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標(biāo)簽 > 3d封裝
3D封裝的形式有很多種,主要可分為填埋型、有源基板型和疊層型等3類(lèi)。填埋型三維立體封裝出現(xiàn)上世紀(jì)80年代,它是將元器件填埋在基板多層布線內(nèi)或填埋、制作在基板內(nèi)部,它不但能靈活方便地制作成填埋型,而且還可以作為IC芯片后布線互連技術(shù),使填埋的壓焊點(diǎn)與多層布線互連起來(lái)。這就可以大大減少焊接點(diǎn),提高電子部件封裝的可靠性。
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先進(jìn)封裝技術(shù)匯總:晶圓級(jí)芯片封裝&倒裝芯片封裝
What's C4 Flip Chip? ▼C4 is: Controlled Collapsed Chip Connection受控折疊芯...
盤(pán)點(diǎn)先進(jìn)封裝基本術(shù)語(yǔ)
先進(jìn)封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時(shí)代的一大技術(shù)亮點(diǎn)。當(dāng)芯片在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上的微縮越來(lái)越困難、也越來(lái)越昂貴之際,工程師們將多個(gè)芯片...
芯片產(chǎn)業(yè)是一個(gè)分工很細(xì)的產(chǎn)業(yè)。設(shè)計(jì)公司做完邏輯和物理設(shè)計(jì),將最終設(shè)計(jì)結(jié)果交給芯片生產(chǎn)廠。
2023-06-29 標(biāo)簽:NAND芯片設(shè)計(jì)芯片封裝 6.6k 0
什么是Hybrid Bonding?Hybrid Bonding是銅銅鍵合嗎?
在Hybrid Bonding前,2D,2.5D及3D封裝都是采用焊錫球凸點(diǎn)(solder bump)或微凸點(diǎn)(Micro bump)來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片與基板
創(chuàng)建真正的 3D 設(shè)計(jì)被證明比 2.5D 復(fù)雜和困難得多,需要在技術(shù)和工具方面進(jìn)行重大創(chuàng)新。
2023-04-03 標(biāo)簽:pcbEDA工具片上系統(tǒng) 5.6k 0
易于實(shí)現(xiàn)且全面的3D堆疊裸片器件測(cè)試方法
當(dāng)裸片尺寸無(wú)法繼續(xù)擴(kuò)大時(shí),開(kāi)發(fā)者開(kāi)始考慮投入對(duì) 3D 堆疊裸片方法的研究??紤]用于 3D 封裝的高端器件已經(jīng)將當(dāng)前的可測(cè)試性設(shè)計(jì) (DFT) 解決方案推...
從 2D 擴(kuò)展到異構(gòu)集成和 3D 封裝對(duì)于提高半導(dǎo)體器件性能變得越來(lái)越重要。近年來(lái),先進(jìn)封裝技術(shù)的復(fù)雜性和可變性都在增加,以支持更廣泛的設(shè)備和應(yīng)用。在本...
UCIe技術(shù):實(shí)現(xiàn)Chiplets封裝集成的動(dòng)機(jī)
實(shí)現(xiàn)Chiplets封裝集成的動(dòng)機(jī)有很多。為了滿足不斷增長(zhǎng)的性能需求,芯片面積不斷增加,有些設(shè)計(jì)甚至?xí)鲅谀0婷娣e的限制,比如具有數(shù)百個(gè)核心的多核 C...
2022-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造3D封裝chiplet 1.5k 0
英特爾為你解說(shuō)“Foveros”邏輯芯片3D堆疊技術(shù)
在近日舉行的英特爾“架構(gòu)日”活動(dòng)中,英特爾不僅展示了基于10納米的PC、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng),支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架...
PoP是堆積一個(gè)或多個(gè)芯片封裝的安裝形式。一般說(shuō)來(lái),PoP是將存儲(chǔ)器封裝堆疊在邏輯封裝之上,以節(jié)省PCB空間。由于在PoP中的總封裝高度增加了,必須盡可...
如何利用3D封裝和組件放置解決POL穩(wěn)壓器散熱難題?
POL 穩(wěn)壓器之所以產(chǎn)生熱量,是因?yàn)闆](méi)有電壓轉(zhuǎn)換效率能夠達(dá)到 100%。這樣一來(lái)就產(chǎn)生了一個(gè)問(wèn)題,由封裝結(jié)構(gòu)、布局和熱阻導(dǎo)致的熱量會(huì)有多大? 封裝的熱阻...
2018-08-13 標(biāo)簽:pcbpol穩(wěn)壓器3d封裝 2.1k 0
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