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      為什么說氮化鎵是快充領(lǐng)域顛覆者

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      高頻交直流探頭與光隔離探頭在SiC/GaN測試中的性能對比與應用選擇

      本文對比分析了高頻交直流探頭與光隔離探頭在技術(shù)原理、性能參數(shù)及應用場景上的差異，為SiC/GaN器件測試提供選型參考。

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      gan數(shù)據(jù)手冊

      型號 描述 數(shù)據(jù)手冊 參考價格
      GS61008P-MR 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM

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