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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

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cmos技術(shù)

詳解低功耗設(shè)計(jì)

功耗越低，同等電量下電子產(chǎn)品工作時(shí)間越長(zhǎng)，便攜性設(shè)備的電池容量和體積設(shè)計(jì)的困難度也會(huì)降低。例如，手機(jī)越做越薄，性能還不受影響，就是因?yàn)榈凸脑O(shè)計(jì)發(fā)揮了至...

2023-03-26 標(biāo)簽：CMOS NMOS 低功耗 3.7k 0

EDA探索之MOSFET的微縮-nanosheet era

主要的障礙在于n型和p型器件之間需要很大的空間余量，這使得有效納米片寬度在按比例的單元高度中變得困難，空間被功函數(shù)金屬的圖形化步驟所消耗。

2023-03-24 標(biāo)簽：CMOS MOSFET eda 935 0

使用或非門(mén)和與非門(mén)實(shí)現(xiàn)觸發(fā)器

大家好，上次我們研究了D觸發(fā)器，今天我們繼續(xù)研究。在開(kāi)始之前，先來(lái)做一點(diǎn)刪減，之前我們討論了用或非門(mén)或者與非門(mén)實(shí)現(xiàn)觸發(fā)器的方法，在功能上兩種實(shí)現(xiàn)方法完全...

2023-03-23 標(biāo)簽：CMOS 或非門(mén)D觸發(fā)器 8.5k 0

MOSFET的微縮-nanosheet era

做到這一點(diǎn)的一個(gè)方法是通過(guò)減少軌道數(shù)來(lái)降低單元高度--它被定義為每個(gè)單元的金屬線（或軌道）的數(shù)量乘以金屬間距。對(duì)于FinFET，通過(guò)逐步將一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)...

2023-03-23 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 驅(qū)動(dòng)電流 2.1k 0

高性能全集成逐次逼近寄存器型模數(shù)轉(zhuǎn)換器

首先就是抗混疊電路的需求。例如當(dāng)電路中的SAR型ADC采樣率為fs時(shí)，根據(jù)香濃采樣定律，輸入信號(hào)的頻率需要小于fs/2，頻率超過(guò)fs/2的信號(hào)將會(huì)通過(guò)混...

2023-03-22 標(biāo)簽：CMOS 濾波器 SAR 1.7k 0

線陣工業(yè)相機(jī)的選型線陣相機(jī)的幾個(gè)重要參數(shù)

相機(jī)的選擇十分重要，直接關(guān)系到整體設(shè)備的成本，像素多就要采用大的鏡頭，數(shù)據(jù)量大就要采用傳輸率大的數(shù)據(jù)線，還需要圖像處理卡，數(shù)據(jù)量大對(duì)運(yùn)算要求也高，對(duì)計(jì)算...

2023-03-21 標(biāo)簽：傳感器 CMOS 線陣相機(jī) 4.3k 0

模擬技術(shù)板級(jí)低噪放的設(shè)計(jì)步驟

綠色橢圓形內(nèi)的三個(gè)參數(shù)，最小噪聲系數(shù)Fmin,最佳源導(dǎo)納對(duì)應(yīng)的源反射系數(shù)，晶體管的等效噪聲電阻，稱為晶體管的噪聲參數(shù)，這三個(gè)參數(shù)，管子廠家一般會(huì)在s2p...

2023-03-19 標(biāo)簽：CMOS 放大器模擬電子 1.3k 0

一文詳解數(shù)值比較器

數(shù)值比較器用來(lái)判斷兩個(gè)二進(jìn)制數(shù)的大小或相等。

2023-03-17 標(biāo)簽：芯片集成電路 CMOS 1.7萬(wàn) 0

TTL與CMOS電平的知識(shí)點(diǎn)

在工作中，會(huì)遇到OC門(mén)與OD門(mén)的稱謂。而感性的認(rèn)識(shí)一般為：OD門(mén)是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。

2023-03-17 標(biāo)簽：CMOS TTL MOS管 3.5k 0

觸發(fā)器使用中的幾個(gè)問(wèn)題

將已有觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為所需觸發(fā)器的功能,實(shí)際上是求轉(zhuǎn)換電路,即求轉(zhuǎn)換電路的函數(shù)表達(dá)式。

2023-03-15 標(biāo)簽：CMOS 電路圖轉(zhuǎn)換電路 4.3k 0

什么是飛行時(shí)間，3D成像機(jī)器人視覺(jué)3D成像方法比較

在經(jīng)典的TOF測(cè)量方法中，探測(cè)器系統(tǒng)在發(fā)射光脈沖的同時(shí)啟動(dòng)探測(cè)接收單元進(jìn)行計(jì)時(shí)，當(dāng)探測(cè)器接收到目標(biāo)發(fā)出的光回波時(shí)，探測(cè)器直接存儲(chǔ)往返時(shí)間。

2023-03-15 標(biāo)簽：CMOS 工業(yè)機(jī)器人機(jī)器人視覺(jué) 1.9k 0

【CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識(shí)】——受歡迎的CMOS邏輯IC

在上期的芝識(shí)課堂中，我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類，并且特別提到CMOS邏輯IC因成本、系統(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性最好，因此得到了最廣泛應(yīng)用...

2023-03-13 標(biāo)簽：CMOS MOSFET 反相器 2.1k 0

單節(jié)升壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生LCD輔助偏置

本應(yīng)用筆記展示了用于小型低輸入電壓或電池供電系統(tǒng)的CMOS升壓DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器如何為液晶顯示器（LCD）產(chǎn)生輔助偏置。

2023-03-09 標(biāo)簽：CMOS 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC-DC 1.8k 0

HS52F003N新品介紹

HS52F003N 是采用低耗高速 CMOS 工藝制造的 1T 速度 51 內(nèi)核單片機(jī)，它內(nèi)建了 16Kx8-bit 的FLASH、256 Byte 的...

2023-03-09 標(biāo)簽：CMOS PWM 51單片機(jī) 2.3k 0

利用自動(dòng)檢測(cè)技術(shù)簡(jiǎn)化電壓轉(zhuǎn)換挑戰(zhàn)

在過(guò)去的十年中，用于微控制器和微處理器系統(tǒng)的 CMOS 技術(shù)發(fā)生了重大變化。當(dāng)前的需求包括更小的系統(tǒng)、更長(zhǎng)的電池續(xù)航時(shí)間以及總體減少的物料清單（BOM）...

2023-03-08 標(biāo)簽：CMOS 電壓電平轉(zhuǎn)換器 1.5k 0

一文詳解LVDS低電壓差分信號(hào)

LVDS（Low-Voltage Differential Signaling ,低電壓差分信號(hào)）是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體（National Semicondu...

2023-03-08 標(biāo)簽：CMOS HDMI 接口 1.3萬(wàn) 0

EERPOM的基本結(jié)構(gòu)及工作原理

EEPROM（Electrically Erasable Programmable read only memory）即電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器，是一種掉...

2023-03-08 標(biāo)簽：CMOS 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元 2.3k 0

CMOS源電阻及其對(duì)源極跟隨器增益的影響

CMOS源跟隨器很難使用CMOS器件進(jìn)行設(shè)計(jì)，因?yàn)榕c雙極結(jié)型晶體管（BJT）相比，CMOS器件的跨導(dǎo)較低。因此，非常規(guī)跟隨器必須設(shè)計(jì)為提供接近1的增益。...

2023-03-08 標(biāo)簽：CMOS 放大器晶體管 4.5k 0

完整的獨(dú)立GPS接收機(jī)方案，采用MAX2742

MAX2742為CMOS、單芯片、GPS前端下變頻器。這款先進(jìn)的器件功耗非常低（32.2V時(shí)為4mW），無(wú)需昂貴的中頻SAW濾波器或笨重的分立中頻帶通濾...

2023-03-03 標(biāo)簽：芯片 CMOS 濾波器 3k 0

2.5GHz LNA具有增益階躍，適用于802.11b/g和藍(lán)牙應(yīng)用

MAX2645為硅鍺（SiGe）低噪聲放大器（LNA），具有25dB增益步進(jìn)、關(guān)斷模式和可調(diào)IP3。LNA 經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可提高 2.4GHz、802.11...

2023-03-03 標(biāo)簽：CMOS 接收器 LNA 2k 0

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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開(kāi)創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋(píng)果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋(píng)果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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東軟集團(tuán)是中國(guó)領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽(yáng)東大開(kāi)發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽(yáng)東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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