DDR4通道中過(guò)孔 stub對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響分析

今天要給大家分享的文章如下，這次的題目很容易讀懂，就叫DDR4通道里，過(guò)孔的stub對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響分析。 那主要肯定是講過(guò)孔stub（殘樁）對(duì)DDR4...

2021-03-23 標(biāo)簽：DDR4信號(hào)質(zhì)量 8k 0

為什么常規(guī)阻抗控制只能是10%的偏差？

首先看一個(gè)真實(shí)的故事：H公司的某網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品，PCB一直在A板廠生產(chǎn)，產(chǎn)品測(cè)試一直沒(méi)有什么問(wèn)題。量產(chǎn)的時(shí)候，由于供應(yīng)鏈需要雙供應(yīng)商備份，就嘗試找了B板廠進(jìn)行...

2021-03-31 標(biāo)簽：阻抗數(shù)字信號(hào)DDR4 4.5k 0

電子設(shè)備中MCU類VS Linux類 不同的存儲(chǔ)方式

日常生活離不開(kāi)各類電子產(chǎn)品，我們常見(jiàn)的電子產(chǎn)品通常以電路板作為載體，包含信息采集，信息處理，存儲(chǔ)，執(zhí)行等功能。 對(duì)于工程師來(lái)說(shuō)，比起電路板，說(shuō)開(kāi)發(fā)板可能...

2021-02-06 標(biāo)簽：單片機(jī)mculcd 5.2k 0

淺談PCB布局中的DDR4阻抗變化

如果沒(méi)有正確的設(shè)計(jì)和分析工具集，高速接口可能難以布局和布線。以太網(wǎng)，USB，DDR，MIPI等協(xié)議需要在PCB布局中進(jìn)行精確的單端和差分阻抗控制。反過(guò)來(lái)...

2020-12-31 標(biāo)簽：pcb阻抗DDR4 9.2k 0

DDR5內(nèi)存和DDR4內(nèi)存差異總結(jié)

DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。

2020-09-17 標(biāo)簽：內(nèi)存條DDR4DDR5 1.9萬(wàn) 0

影響著筆記本性能主要有這幾個(gè)因素

處理器和顯卡對(duì)性能的影響是立竿見(jiàn)影，很容易通過(guò)跑分軟件量化對(duì)比。然而，在筆記本身上還有很多芯片在偷摸著影響性能，進(jìn)而有損實(shí)際體驗(yàn)。

2020-09-03 標(biāo)簽：處理器筆記本內(nèi)存芯片 7.6k 0

基于長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)顆粒的DDR4內(nèi)存的測(cè)試報(bào)告

從2018年開(kāi)始，世界的局勢(shì)越來(lái)越緊張，米國(guó)尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對(duì)我們?nèi)矫娴膹棄?，所以保證芯片的自立自主呼聲越來(lái)越高。之前我們也測(cè)試過(guò)一對(duì)紫...

2020-07-29 標(biāo)簽：DDR4紫光長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) 1.1萬(wàn) 0

內(nèi)外兼修，江波龍DDR4內(nèi)存已通過(guò)KTI專項(xiàng)測(cè)試認(rèn)證

繼推出全系列容量的DDR4內(nèi)存和基于長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM資源的國(guó)產(chǎn)化內(nèi)存后，江波龍?jiān)趦?nèi)存測(cè)試技術(shù)上不斷探索，除了自主開(kāi)發(fā)基于10nm ASIC的測(cè)試系統(tǒng)外，...

2020-06-23 標(biāo)簽：內(nèi)存DDR4江波龍 3.3k 0

示波器配備的探測(cè)分析工具要能與自動(dòng)一致性測(cè)試相結(jié)合

隨著示波器用戶對(duì)速度更快、功耗更低和體積更小的存儲(chǔ)器的需求與日俱增，雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲(chǔ)器技術(shù)在過(guò)去五年里得到了巨大的發(fā)展。

2020-01-27 標(biāo)簽：示波器DDR4 1.7k 0

內(nèi)存條的什么屬性重要應(yīng)該如何選擇

買(mǎi)電腦內(nèi)存條主要看什么呢？由于內(nèi)存條的種類和品牌非常的多，消費(fèi)者在選擇內(nèi)存條的時(shí)候就需要認(rèn)識(shí)內(nèi)存的主要配置，特別是DIY配置電腦的時(shí)候，如果想要購(gòu)買(mǎi)好點(diǎn)...

2019-12-01 標(biāo)簽：CPU內(nèi)存條DDR4 7.2k 0

內(nèi)存容量和硬盤(pán)容量的有什么區(qū)別？如何選擇合適的內(nèi)存

今天碰到一件扎心的事，朋友帶一妹子咨詢筆記本的配置。需求是日常辦公，偶爾PS一下，4K到5K的價(jià)格，我建議CPU最好要i5-8265、內(nèi)存8G、硬盤(pán)要，...

2019-09-14 標(biāo)簽：硬盤(pán)內(nèi)存DDR4 3.5萬(wàn) 0

高性能DDR4內(nèi)存解決方案的演示介紹

Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb.U...

2018-11-30 標(biāo)簽：asic內(nèi)存ddr4 4.5k 0

Xilinx DDR4控制器和接口的速度運(yùn)行是2400 Mb/s

在安捷倫最新的測(cè)試解決方案之一Infinium 90000X系列示波器上驗(yàn)證，UltraScale FPGA上運(yùn)行的2400 Mb / s DDR4內(nèi)存...

2018-11-30 標(biāo)簽：控制器示波器賽靈思 8.2k 0

DDR4技術(shù)有什么特點(diǎn)？如何采用ANSYS進(jìn)行DDR4仿真？

本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來(lái)仿真DDR4的過(guò)程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對(duì)DDR...

2018-10-14 標(biāo)簽：SDRAMDDR4ANSYS 2.8萬(wàn) 0