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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

如果固態(tài)硬盤沒有了DRAM緩存還能不能工作

在討論固態(tài)硬盤時(shí)經(jīng)常會(huì)聽到“無(wú)緩存方案”一詞，缺少了DRAM緩存的固態(tài)硬盤還能正常工作嗎？會(huì)不會(huì)因?yàn)樯倭司彺娑堂?/p>

2020-01-31 標(biāo)簽：閃存 DRAM 固態(tài)硬盤 6.9k 0

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)腄RAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變

在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)（CFMS）上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRA...

2019-09-26 標(biāo)簽：DRAM 長(zhǎng)鑫 4.3k 0

DRAM公司告訴英特爾他們?cè)诔兄ZRambus之前需要有約束力的訂單

SAN JOSE - 參加英特爾公司匆忙召集的Direct Rambus承諾會(huì)議的DRAM制造商告訴MPU據(jù)芯片公司官員在會(huì)議上透露，只有當(dāng)PC OEM...

2019-08-13 標(biāo)簽：DRAM PCB打樣華強(qiáng)PCB 3.4k 0

基于個(gè)人經(jīng)驗(yàn)對(duì) Arduino 入門套件作了相關(guān)介紹，開啟創(chuàng)客世界大門

ATmega328P 處理器是一款低功耗 8 位微控制器，采用增強(qiáng)型精簡(jiǎn)指令集計(jì)算機(jī) (RISC) 架構(gòu)

2019-08-02 標(biāo)簽：DRAM Arduino 創(chuàng)客 1.0萬(wàn) 0

存算一體化芯片簡(jiǎn)史介紹在DRAM上的各種嘗試

借著大數(shù)據(jù)和深度學(xué)習(xí)的東風(fēng)，PIM一下子流行起來(lái)。其實(shí)，PIM并不是一個(gè)新概念，每一個(gè)很靠譜的PIM的綜述文章都會(huì)講那個(gè)開始-The Berkeley...

2019-07-04 標(biāo)簽：DRAM 深度學(xué)習(xí)RISC-V 9k 0

SF-EP1C學(xué)習(xí)板：基于SDRAM讀寫的串口調(diào)試實(shí)驗(yàn)

通常DRAM是有一個(gè)異步接口的，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入的變化。而SDRAM有一個(gè)同步接口，在響應(yīng)控制輸入前會(huì)等待一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，這樣就能和計(jì)算機(jī)的系統(tǒng)...

2019-12-25 標(biāo)簽：dram sdram 計(jì)算機(jī) 2.3k 0

NVDIMM的幾種實(shí)現(xiàn)方式, NVDIMM-P的性能所做的硬件上的優(yōu)化和支持

這是一個(gè)目前還沒有發(fā)布的標(biāo)準(zhǔn) (Under Development)。預(yù)計(jì)將與DDR5 標(biāo)準(zhǔn)一同發(fā)布。按照計(jì)劃，DDR5將比DDR4提供雙倍的帶寬，并提...

2019-03-18 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)技術(shù)內(nèi)存 1.6萬(wàn) 0

如何將Flash中的程序轉(zhuǎn)移到RAM中運(yùn)行

對(duì)于獨(dú)立的嵌入式系統(tǒng)，需要把程序存入non-volitale存儲(chǔ)單元中，常用的也就是flash。但是程序在flash中運(yùn)行相對(duì)在RAM中行，速度會(huì)變慢很...

2019-02-22 標(biāo)簽：DRAM FlaSh 8.6k 0

非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器有什么全部詳細(xì)資料對(duì)比

非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字...

2019-04-07 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 RRAM 9.7k 0

介紹DRAM、FLASH和DDR技術(shù)分析和對(duì)比

DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，其中，SDRAM 是Sy...

2019-02-04 標(biāo)簽：閃存 DRAM 存儲(chǔ)器 9.7k 0

新型的存儲(chǔ)器技術(shù)有哪些新型存儲(chǔ)器能解決哪些問(wèn)題

盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技...

2018-12-24 標(biāo)簽：DRAM NAND 嵌入式存儲(chǔ)器 1.2萬(wàn) 1

如何使用Xilinx SDK啟動(dòng)電路板及利用Zynq DRAM進(jìn)行測(cè)試

在本視頻中，我們將學(xué)習(xí)如何使用Xilinx SDK啟動(dòng)電路板，利用每個(gè)驅(qū)動(dòng)程序提供的應(yīng)用示例并測(cè)試各種外設(shè)。我們將詳細(xì)介紹Zynq DRAM測(cè)試，并...

2018-11-29 標(biāo)簽：dram 電路板賽靈思 6.2k 0

閃存物理結(jié)構(gòu),閃存器件原理

圖3-4是閃存芯片里面存儲(chǔ)單元的閾值電壓分布函數(shù)，橫軸是閾值電壓，縱軸是存儲(chǔ)單元數(shù)量。其實(shí)在0或1的時(shí)候，并非所有的存儲(chǔ)單元都是同樣的閾值電壓，而是以這...

2018-11-13 標(biāo)簽：閃存 DRAM 固態(tài)硬盤 1.2萬(wàn) 0

突發(fā)事件聯(lián)電單方面宣布停止與晉華合作

索尼近期傳出了申請(qǐng)新型控制器的專利，專利名為「Controller having lights disposed along a loop of the...

2018-11-13 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)芯片 897 0

永久記憶會(huì)解決性能問(wèn)題嗎

持久性內(nèi)存為DRAM和SSD之間的內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)添加了一個(gè)全新的內(nèi)存層。

2018-11-09 標(biāo)簽：dram 存儲(chǔ)器 intel 3.3k 0

你還在為存儲(chǔ)煩惱？英特爾數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的解決方案詳細(xì)資料概述

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2018-10-03 標(biāo)簽：DRAM 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)HDD 4.5k 0

DRAM實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)最大增長(zhǎng)，無(wú)線連接等技術(shù)大有可為

2018年McClean報(bào)告的年中更新中，IC Insights更新了WSTS定義的33個(gè)主要IC產(chǎn)品類別中每個(gè)類別的銷售增長(zhǎng)預(yù)測(cè)(圖1)。IC Ins...

2018-09-19 標(biāo)簽：DRAM 無(wú)線連接汽車芯片 5.7k 0

從低速Flash到高速Dram，輸出電路有哪些不同？

這篇文章聊一聊輸入輸出（IO）中的輸出。大家都知道IO是芯片跟系統(tǒng)交互的直接路徑，IO做的好與壞系統(tǒng)很容易就能檢測(cè)出來(lái)。

2018-09-12 標(biāo)簽：Dram Flash 輸出電路 6.8k 0

針對(duì)含DSP電路板的測(cè)試方法與診斷分析

在現(xiàn)代雷達(dá)系統(tǒng)中，含DSP電路板應(yīng)用很廣，含DSP電路板通常是以某種DSP芯片為核心，外圍配以雙口RAM（DRAM）和閃存（Flash）等器件。DSP芯...

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2018年半導(dǎo)體資本支出的數(shù)據(jù)手冊(cè)存儲(chǔ)器IC占總數(shù)的53％

ICInsights預(yù)測(cè)，今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元，這是該行業(yè)在一年中首次在資本支出上花費(fèi)超過(guò)1000億美元。這一1020億美元的支出...

2018-09-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 存儲(chǔ)器 4.2k 0

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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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