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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù)）

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dram技術(shù)

淺談DDR內(nèi)存技術(shù)原理1

對于DRAM，其主要由行和列組成，每一個bit中都是由類似右下圖的類晶體管的結(jié)構(gòu)組成，對于sdram的數(shù)據(jù)，可以通過控制column和row就可以訪問s...

2023-02-15 標(biāo)簽：DRAM 晶體管 bit 2k 0

IEDM 2022上的新型存儲器簡介

在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。

2023-02-14 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 CMOS工藝 3.3k 0

淺析動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM集成工藝

在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。

2023-02-08 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲器 1.5k 0

動態(tài)隨機(jī)存儲器集成工藝（DRAM）詳解

在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器...

2023-02-08 標(biāo)簽：DRAM 存儲器工藝 1.3萬 0

12納米后，DRAM怎么辦？

追求更小的 DRAM 單元尺寸（cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對于 D12 節(jié)點(diǎn)，DRAM 單元尺寸預(yù)計接近 0.0013 um2。無...

2023-02-07 標(biāo)簽：電容器 DRAM 工藝 1.1k 0

用于存儲器的鐵電體介紹

隨著芯片制造商尋找維持驅(qū)動電流的新方法，鐵電體(Ferroelectric)重新獲得關(guān)注。

2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET DRAM FlaSh 1.3k 0

如何選擇DRAM？深入了解內(nèi)存的使用方式及連接方式

DRAM 仍然是任何這些架構(gòu)中的重要組成部分，盡管多年來一直在努力用更快、更便宜或更通用的內(nèi)存取代它，甚至將其嵌入到 SoC 中。

2023-02-06 標(biāo)簽：DRAM 存儲器人工智能 1.6k 0

三管MOS DRAM基本單元電路原理單管MOS動態(tài)RAM基本單元電路原理

　　如果需要讀出數(shù)據(jù)，首先需要給T4加上一個預(yù)充電信號，然后VDD給讀數(shù)據(jù)線充電，代表需要讀出的數(shù)據(jù)是“1”，進(jìn)行讀出時，讀選擇線是高電平。此時，如果原...

2023-02-03 標(biāo)簽：DRAM 電路原理 MOS 4.5k 0

基于PCI-e協(xié)議的CXL技術(shù)

CXL是一個全新的得到業(yè)界認(rèn)同的互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其正帶著服務(wù)器架構(gòu)迎來革命性的轉(zhuǎn)變。

2023-02-02 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 NIC 2.6k 0

磁性隨機(jī)存取存儲器（MRAM)制造工藝

磁性隧道結(jié)（MTJ）通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽（MgO 或Al2O3）層組成的，它可以實(shí)現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...

2023-02-01 標(biāo)簽：DRAM sram TMR 2.1k 0

鐵電存儲器的優(yōu)勢和發(fā)展趨勢分析

兩種最常見的商業(yè)存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的，對于長期大容量存儲來說足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快...

2023-01-30 標(biāo)簽：MOSFET DRAM 存儲器 4.2k 0

為什么FeFET變得如此有趣？

隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅(qū)動電流，鐵電體正在接受認(rèn)真的重新考慮。

2023-01-29 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲器 1.3k 0

淺談DRAM的電容技術(shù)演變進(jìn)程

可通過去除電容外部雜質(zhì)硼和氫，減少電容器形成后的熱量預(yù)算，消除泄漏電流的退化，而不改變電容器的結(jié)構(gòu)或材料。

2023-01-12 標(biāo)簽：電容器 DRAM EDS 5.4k 0

DRAM存儲電容概述

DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DR...

2023-01-12 標(biāo)簽：DRAM 邏輯電路 GDDR 1.1萬 0

串行接口的速率會比并行快的四種因素

高速串口不需要時鐘信號來同步數(shù)據(jù)流，也就沒有時鐘周期性的邊沿，頻譜不會集中，所以噪聲干擾少很多。

2023-01-11 標(biāo)簽：DRAM 并行接口串行接口 3k 0

淺談DRAM制造工藝及微縮挑戰(zhàn)

薄沉積的使用可以使抗蝕劑硬化，厚沉積的使用可以縮小臨界尺寸（Critical Dimensions：CD）。

2023-01-09 標(biāo)簽：電容器 DRAM 光刻膠 2.2k 0

一文解析DRAM的制造工藝流程

為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

2023-01-09 標(biāo)簽：DRAM 隨機(jī)存取存儲器 1.6萬 0

一文解讀DRAM的9大刻蝕技術(shù)

在將晶圓制成半導(dǎo)體的過程中需要采用數(shù)百項(xiàng)工程。其中，一項(xiàng)最重要的工藝是蝕刻（Etch）——即，在晶圓上刻畫精細(xì)電路圖案。蝕刻（Etch）工程的成功取決于...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 刻蝕 8.7k 0

全面介紹新型存儲技術(shù)：PCM/MRAM/RRAM/ReRAM

MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快...

2023-01-07 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 Nand flash 8.1k 0

借助虛擬工藝加速CMOS工藝優(yōu)化

我們不斷向先進(jìn)的CMOS的微縮和新存儲技術(shù)的轉(zhuǎn)型，導(dǎo)致半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的日益復(fù)雜化。例如，在3D NAND內(nèi)存中，容量的擴(kuò)展通過垂直堆棧層數(shù)的增加來實(shí)現(xiàn)，...

2023-01-06 標(biāo)簽：CMOS DRAM 虛擬工藝 1.9k 0

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東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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