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dram

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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

2018年全球前25大半導(dǎo)體廠商的總營(yíng)收增加16.3%

在內(nèi)存領(lǐng)域中NAND Flash市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩,全年多數(shù)時(shí)間的平均售價(jià)都因?yàn)楣┻^(guò)于求而下滑,不過(guò)這個(gè)類別仍維持了6.5%的營(yíng)收成長(zhǎng)率,原因是固態(tài)硬盤(pán)(SS...

2019-01-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM固態(tài)硬盤(pán) 5.1k 0

Gartner:2018年全球半導(dǎo)體營(yíng)收達(dá)4767億美元,2019內(nèi)存芯片需求下滑

本文來(lái)自Gartner報(bào)告,本文作為轉(zhuǎn)載分享。 內(nèi)存芯片成為近兩年半導(dǎo)體領(lǐng)域增長(zhǎng)最快的產(chǎn)品,但是最新內(nèi)存芯片的主導(dǎo)廠商三星卻對(duì)2019年這個(gè)市場(chǎng)看淡,據(jù)...

2019-01-16 標(biāo)簽:英特爾DRAM三星電子 1.7k 0

Gartner發(fā)布2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)初步報(bào)告

Gartner發(fā)布2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)初步報(bào)告

因此,就半導(dǎo)體而言,內(nèi)存在2018年收入增長(zhǎng)27.2%。除2018年第四季度外,全年大部分時(shí)間DRAM的平均銷售價(jià)格ASP都在增加。同時(shí),受固態(tài)硬盤(pán)(S...

2019-01-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM三星電子 7.2k 0

沒(méi)有技術(shù)的無(wú)奈!美光壟斷案硬是成了晉華竊取技術(shù)案

而對(duì)于DRAM價(jià)格持續(xù)上漲的原因,此前業(yè)界認(rèn)為是由于DRAM市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng),以及各大存儲(chǔ)廠商積極轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash制造,但3DNAND F...

2019-01-15 標(biāo)簽:芯片DRAM美光 5.4k 0

三星存儲(chǔ)器芯片和手機(jī)市場(chǎng)艱難主要有以下原因

三星存儲(chǔ)器芯片和手機(jī)市場(chǎng)艱難主要有以下原因

1月8日,全球最大的芯片和智能手機(jī)制造商三星電子稱,公司2018年最后三個(gè)月的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為10.8萬(wàn)億韓元(合96.5億美元),同比下降28.7%,較第三...

2019-01-11 標(biāo)簽:DRAM三星電子存儲(chǔ)器 3.5k 0

2019年存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)下滑的最大因素

相較于穩(wěn)定的DRAM產(chǎn)業(yè),NANDFlash產(chǎn)業(yè)則明顯慘烈的許多,在各家64層堆棧的3D-NAND Flash良率普遍提升至80%以上的情況下,產(chǎn)出供給...

2019-01-11 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈 3.9k 0

晉華在美力爭(zhēng)擺脫禁運(yùn)清單

國(guó)內(nèi)自主存儲(chǔ)DRAM技術(shù)陣營(yíng)“福建晉華案”持續(xù)發(fā)酵,美方提出可能最高超過(guò)200億美元的罰金,成為全球半導(dǎo)體界的“歷史天案”,也是國(guó)產(chǎn)替代業(yè)者發(fā)展存儲(chǔ)器芯...

2019-01-11 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)晉華 4.2k 0

2018年NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過(guò)于求 供需失衡態(tài)勢(shì)難止

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過(guò)于求,且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器...

2019-01-11 標(biāo)簽:DRAMNAND 3k 0

在經(jīng)歷了不平凡的2018年后,全球半導(dǎo)體廠商表現(xiàn)如何呢?

在經(jīng)歷了不平凡的2018年后,全球半導(dǎo)體廠商表現(xiàn)如何呢?

其中,西部數(shù)據(jù)2018年?duì)I收為93.21億美元,較2017年增長(zhǎng)了1.8%,全球市占率為2.0%;意法半導(dǎo)體2018年?duì)I收為92.76億美元,較2017...

2019-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM三星電子 5.6k 0

聯(lián)電撤走工程師,停止DRAM研發(fā)!晉華集成真要涼?

聯(lián)電強(qiáng)調(diào),為福建晉華開(kāi)發(fā)DRAM技術(shù),原計(jì)劃分二期,第一期發(fā)展3x奈米制程技術(shù)進(jìn)入尾聲,但因晉華裝機(jī)中止,已無(wú)進(jìn)行;至于第二期開(kāi)發(fā)2x奈米制程,將視未來(lái)...

2019-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM聯(lián)電 5.7k 0

2018年的銷售額增長(zhǎng)率僅達(dá)到2017年一半 存儲(chǔ)器市場(chǎng)開(kāi)始陷入低迷

DRAM三大生產(chǎn)企業(yè)三星電子、SK海力士以及美光去年半導(dǎo)體銷售額皆呈兩位數(shù)成長(zhǎng),其中又以三星電子的銷售額最高,SK海力士的銷售額增加率最高,但即使全年創(chuàng)...

2019-02-04 標(biāo)簽:DRAM三星電子存儲(chǔ)器 1.7k 0

三星電子、SK海力士、美光三大巨頭不約而同地要開(kāi)始刻意控制產(chǎn)能了

美光宣布將資本支出削減至30億美元,產(chǎn)能增幅從20%下修到15%左右;SK海力士2019年的資本支出將減少至55億美元;三星宣布終止其平澤工廠的產(chǎn)能擴(kuò)張...

2019-01-08 標(biāo)簽:DRAM美光固態(tài)硬盤(pán) 5.7k 0

聯(lián)電將縮減與福建晉華合作計(jì)劃,相關(guān)DRAM開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)也將被裁撤

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出,盡管聯(lián)電將 DRAM 的發(fā)展視為公司未來(lái)的主要成長(zhǎng)項(xiàng)目,但是,在當(dāng)前美中貿(mào)易沖突越演越烈的情況下,聯(lián)電還是選擇在這場(chǎng)美中的沖突中退出。 ...

2019-01-08 標(biāo)簽:DRAM聯(lián)電晶圓代工 4.9k 0

2019年開(kāi)年以來(lái),第一樁赴陸半導(dǎo)體人才大舉回流的案例

2019年開(kāi)年以來(lái),第一樁赴陸半導(dǎo)體人才大舉回流的案例

聯(lián)電坦承,原本編制為福建晉華研發(fā)DRAM的團(tuán)隊(duì)約300多人,礙于美光控告福建晉華侵權(quán)及竊取營(yíng)業(yè)秘密 ,美國(guó)也限禁相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備和零組件出口給晉華,導(dǎo)致福...

2019-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM 3.4k 0

供應(yīng)過(guò)剩 三星縮減DRAM庫(kù)存量

為了因應(yīng)截至去(2018)年第3季為止的半導(dǎo)體絕佳需求,三星將半導(dǎo)體庫(kù)存量維持在1.5-3個(gè)月左右水準(zhǔn)。

2019-02-05 標(biāo)簽:DRAMNAND三星電子 3k 0

為什么說(shuō)韓半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展起來(lái)可以領(lǐng)跑全球

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是韓國(guó)的支柱產(chǎn)業(yè)之一,歷經(jīng)數(shù)十年發(fā)展,韓國(guó)至今依然在世界范圍內(nèi)保持著半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)地位。

2019-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM 2.9k 0

DRAM、FLASH和DDR的區(qū)別你都知道哪些

NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產(chǎn)過(guò)程更為簡(jiǎn)單,NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量,也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。

2019-01-07 標(biāo)簽:DRAMFLASHDDR 7.3萬(wàn) 0

隨著5G和AI的來(lái)臨 將再度開(kāi)啟DRAM甚至NAND Flash的強(qiáng)勁需求

在過(guò)去六年的四年中,DRAM增長(zhǎng)速度極快,在過(guò)去兩年中更因平均銷售價(jià)格強(qiáng)勁上漲,登頂了2018年增長(zhǎng)最快的產(chǎn)品排行榜。然而DRAMeXchange最新調(diào)...

2019-01-04 標(biāo)簽:DRAMNAND 1.1k 0

2019年DRAM產(chǎn)業(yè)用于生產(chǎn)的資本支出總金額約為180億美元,年減約10%

據(jù)估計(jì),明年韓國(guó)半導(dǎo)體公司的資本支出預(yù)計(jì)將達(dá)到120.87億美元,同比下降34.7%,引領(lǐng)了全球的經(jīng)濟(jì)衰退。大陸企業(yè)的資本支出今年暴漲84.3%后,明年...

2019-01-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM 3.4k 0

存儲(chǔ)器市場(chǎng)將要進(jìn)行深度的調(diào)整 NAND價(jià)格會(huì)下跌45%

在經(jīng)歷了兩年的瘋狂上漲之后,存儲(chǔ)器市場(chǎng)要進(jìn)行深度的調(diào)整了。美國(guó)花旗銀行預(yù)計(jì)明年存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)大幅下降,NAND價(jià)格會(huì)跌45%,DRAM價(jià)格會(huì)下跌30%,而...

2019-01-02 標(biāo)簽:DRAMNAND存儲(chǔ)器 1.2k 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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