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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。（關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù)）

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dram資訊

DRAM、NAND、AMOLED面板三大零組件影響手機(jī)廠獲利能力

智能手機(jī)關(guān)鍵零組件于 2016 下半年開始供應(yīng)吃緊導(dǎo)致漲價(jià)，至 2017 年第一季傳統(tǒng)淡季的行情也逆勢(shì)上揚(yáng)。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢（TrendFor...

2017-03-02 標(biāo)簽：DRAM NAND AMOLED面板 1.1k 0

傳三星或緊急召回內(nèi)存模組 PC DRAM價(jià)格將再度飆高

三星近來(lái)狀況頻傳，在 Galaxy Note 7 電池出包與管理層級(jí)涉及行賄被起訴后，近日業(yè)界又傳出其產(chǎn)業(yè)重心存儲(chǔ)模組產(chǎn)品良率出問(wèn)題需緊急召回，由于三星...

2017-03-02 標(biāo)簽：DRAM 三星電子內(nèi)存模組 846 0

存儲(chǔ)器正在成為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口

2月12日，總投資300億美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購(gòu)北京矽成100%股權(quán)，矽成的主要業(yè)務(wù)為SDRAM。新...

2017-02-23 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器 3D NAND FLASH 1.3k 0

榮耀V9高配版定價(jià)3499元國(guó)產(chǎn)手機(jī)成本遭遇飆升

2017年智能手機(jī)現(xiàn)在最熱的詞語(yǔ)就是漲價(jià)，不管是手機(jī)廠商，還是消費(fèi)者，對(duì)這次漲價(jià)都有些無(wú)奈。三星、SK海力士等手機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈上元器件的漲價(jià)，引發(fā)了整個(gè)供應(yīng)鏈...

2017-02-22 標(biāo)簽：DRAM OLED 三星電子 1.8k 0

存儲(chǔ)器需要一場(chǎng)新的技術(shù)革命

引人注目的新存儲(chǔ)器包括：相變存儲(chǔ)器（PCM）、鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉(zhuǎn)移力矩RAM...

2017-02-21 標(biāo)簽：PCM 英特爾 DRAM 3.3k 0

DRAM產(chǎn)業(yè)持續(xù)獲利狀況將維持一整年

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的內(nèi)存儲(chǔ)存研究部門DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，受到三星（Samsung）智能型手機(jī)Note 7爆炸影響，消費(fèi)者...

2017-02-21 標(biāo)簽：DRAM 三星半導(dǎo)體 SK海力士 1.1k 0

身陷危機(jī)的“三星帝國(guó)”業(yè)績(jī)?yōu)楹卧幃惿蠞q？

雖然身陷危機(jī)，但“三星帝國(guó)”的業(yè)績(jī)卻詭異地逆勢(shì)上漲。時(shí)代周報(bào)記者梳理三星電子2016年的財(cái)報(bào)發(fā)現(xiàn)，三星電子去年全年?duì)I業(yè)利潤(rùn)達(dá)到29.24萬(wàn)億韓元，同比增...

2017-02-21 標(biāo)簽：dram 三星電子 amoled 2.8k 0

三個(gè)因素使NOR Flash供給吃緊漲價(jià)或到年底

等了數(shù)年，NOR Flash價(jià)格終于開始上漲，受到上游供給沒(méi)有增加，2017年NOR Flash第1季漲幅約5~10%，旺宏總經(jīng)理盧志遠(yuǎn)指出，年底前看不...

2017-02-16 標(biāo)簽：DRAM NOR Flash 1.6k 0

3D IC測(cè)試的現(xiàn)在與未來(lái)

3D IC測(cè)試的兩個(gè)主要目標(biāo)是提高預(yù)封裝測(cè)試質(zhì)量，以及在堆棧芯片之間建立新的測(cè)試。業(yè)界如今已能有效測(cè)試堆棧在邏輯模塊上的內(nèi)存，但logic-on-log...

2017-02-15 標(biāo)簽：DRAM IC測(cè)試堆棧芯片 4.5k 1

美光擴(kuò)大在臺(tái)投資加快先進(jìn)制程布局追趕三星

美國(guó)內(nèi)存大廠美光（Micron）合并華亞科技后，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo)，并全力沖刺 DRAM 和 3D N...

2017-02-13 標(biāo)簽：DRAM 美光 3D NAND Flash 1.1k 0

紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基正式開工將支撐我國(guó)存儲(chǔ)器跨越式發(fā)展

據(jù)悉，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)投資建設(shè)，主要產(chǎn)品為3D-NAND FLASH、DRAM存儲(chǔ)芯片等，占地面積約1500畝。項(xiàng)目一期投資約100...

2017-02-13 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)芯片 NAND FLASH 1.4k 0

中國(guó)半導(dǎo)體迎擴(kuò)產(chǎn)潮 SK海力士將投36億建新廠

中國(guó)半導(dǎo)體迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)潮，不只中國(guó)本土廠商，全球半導(dǎo)體廠商也競(jìng)相在中國(guó)布建生產(chǎn)線，而早早在中國(guó)插旗的韓國(guó)內(nèi)存大廠 SK 海力士同樣不落人后，將在中國(guó)無(wú)錫興建...

2017-02-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM SK海力士 1.4k 0

中國(guó)2025年IC自主率要達(dá)7成面臨的主要困境

中國(guó)大陸擁有龐大IC產(chǎn)品需求市場(chǎng)，但自給自足率卻明顯偏低，必須高度仰賴海外IC產(chǎn)品進(jìn)口。為此中國(guó)國(guó)務(wù)院于2015年3月發(fā)起“2025年中國(guó)制造”（MIC...

2017-02-10 標(biāo)簽：DRAM IC產(chǎn)業(yè)NAND Flash 2k 0

DRAM和NAND Flash毛利率或在今年年中觸頂

存儲(chǔ)供應(yīng)緊俏，業(yè)者獲利直線上沖，口袋賺飽。外資警告，廠商砸錢增產(chǎn)，DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能會(huì)在今年年中觸頂。

2017-02-09 標(biāo)簽：DRAM NAND Flash 1.5k 0

索尼內(nèi)嵌DRAM緩存CMOS傳感器曝光 Xperia旗艦機(jī)首發(fā)

索尼已經(jīng)將相機(jī)傳感器技術(shù)提升到了新的水平。在其最新披露的面向智能機(jī)的 3 層 BSI（背照式）CMOS 傳感器設(shè)計(jì)中，我們發(fā)現(xiàn)它已經(jīng)內(nèi)嵌了 DRAM 緩存。

2017-02-08 標(biāo)簽：DRAM CMOS傳感器手機(jī)傳感器 2.8k 0

NRAM商用能席卷根深蒂固的DRAM/NAND Flash嗎？

25年來(lái)，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)一直在等待更好的技術(shù)出現(xiàn)。目前市場(chǎng)上的主流存儲(chǔ)器是DRAM和NAND Flash，有可能席卷目前兩種主流存儲(chǔ)器的NRAM近日有了最新消...

2017-01-27 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)NAND Flash 1.6k 0

硅谷創(chuàng)業(yè)公司希望用新技術(shù)幫助中國(guó)突破DRAM

眾所周知，中國(guó)是智能電子設(shè)備的制造大國(guó)和消費(fèi)大國(guó)。在美國(guó)、歐洲、非洲各地都能看到有中國(guó)特色的手機(jī)和電腦賣的紅紅火火；每年在拉斯維加斯舉辦的全球消費(fèi)電子展...

2017-01-22 標(biāo)簽：DRAM 三星電子海力士 1.1k 0

紫光集團(tuán)2600億投資南京半導(dǎo)體生產(chǎn)線

1月18日下午，新春佳節(jié)來(lái)臨之際，從南京傳來(lái)喜訊，紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目簽約。據(jù)披露，此次投資達(dá)到2600億元，目前雙方已經(jīng)敲定了產(chǎn)線動(dòng)工日期。聯(lián)系...

2017-01-20 標(biāo)簽：DRAM 3D NAND 紫光 2.2k 0

2019年中國(guó)晶圓產(chǎn)能或占全球產(chǎn)能的18%以上

為了提高芯片自給率，中國(guó)中央及地方政府持續(xù)進(jìn)行大手筆投資，并將重點(diǎn)放在內(nèi)存與晶圓代工兩大領(lǐng)域。此外，由于中國(guó)芯片需求量驚人，許多外資企業(yè)為就近爭(zhēng)取商機(jī)，...

2017-01-19 標(biāo)簽：DRAM 晶圓晶圓代工 1.9k 0

未來(lái)投資金超3500億元中國(guó)為何再成晶圓廠投資熱土

新年伊始，回顧2016年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，“投資”無(wú)疑是出現(xiàn)頻率最高的熱詞。在“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”的助力下，2016年國(guó)內(nèi)投資活動(dòng)頻頻：長(zhǎng)...

2017-01-16 標(biāo)簽：集成電路 dram 存儲(chǔ)器 1.7k 0

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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無(wú)線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無(wú)線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動(dòng)版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外，Haswell將會(huì)使用LGA1150插座，無(wú)法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時(shí)間2015年9月10日，美國(guó)蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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公司在特別依賴分布式高性能計(jì)算維護(hù)網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)在該細(xì)分市場(chǎng)持續(xù)保持全球第一的市場(chǎng)地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運(yùn)算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個(gè)國(guó)家和地區(qū)，深受用戶喜愛(ài)。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動(dòng)設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍(lán)牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會(huì)根據(jù)該ID采取一些行動(dòng)。
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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費(fèi)電子及智能移動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動(dòng)化控制、汽車電子等電子整機(jī)和智能化領(lǐng)域。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機(jī)發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號(hào)直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問(wèn)題。

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