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標(biāo)簽 > emi
EMI是指電子產(chǎn)品工作會對周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾,與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。是電子電器產(chǎn)品經(jīng)常遇上的問題。干擾種類有傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。
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共模電感如何解決數(shù)據(jù)量增長帶來高頻EMI問題
目前數(shù)據(jù)傳輸接口、差分線路接口都在往更高的速度迭代,以廣泛應(yīng)用的MIPI為例,2003年成立的MIPI聯(lián)盟,自2007年發(fā)布D-PHY協(xié)議,已經(jīng)從v1....
電源 PCB設(shè)計(jì)的29個(gè)要點(diǎn)
接地時(shí)首先應(yīng)先判斷地的性質(zhì),再進(jìn)行連接。采樣及誤差放大的地通常應(yīng)當(dāng)接到輸出電容的負(fù)極,采樣信號通常應(yīng)從輸出電容的正極取出,小信號控制地和驅(qū)動(dòng)地通常要分別...
2023-04-04 標(biāo)簽:pcb開關(guān)電源濾波器 840 0
高頻紋波噪聲來源于高頻功率開關(guān)變換電路,在電路中,通過功率器件對輸入直流電壓進(jìn)行高頻開關(guān)變換而后整流濾波再實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓輸出的,在其輸出端含有與開關(guān)工作頻率相...
2023-04-03 標(biāo)簽:開關(guān)電源濾波器emi 1.5k 0
開關(guān)電源EMI主要是由功率器件開通和關(guān)斷過程引起的,比如初級主回路開關(guān)器件,次級整流器件和儲能變壓的磁性元器件。以下根據(jù)EMI的干擾路徑來討論跨接在初次...
2023-04-03 標(biāo)簽:開關(guān)電源元器件emi 1.9k 0
遠(yuǎn)程信息處理控制單元(TCU或T-BOX)是一種嵌入式車載系統(tǒng),可應(yīng)用于車輛的無線跟蹤與通信等領(lǐng)域。該系統(tǒng)可分為電源軌、充電管理、接口、緊急呼叫單元、無...
功率密度是汽車車載充電器和服務(wù)器電源等高度受限系統(tǒng)環(huán)境中的主要指標(biāo)。務(wù)必要減小電磁干擾 (EMI) 濾波器元件的體積,從而確保解決方案能夠滿足嚴(yán)苛的外形...
如果同一電壓源的兩個(gè)電源層需要輸出大電流,則電路板應(yīng)布成兩組電源層和接地層。在這種情況下,每對電源層和接地層之間都放置了絕緣層。
如上圖所示:在高速的PCB設(shè)計(jì)中,時(shí)鐘等關(guān)鍵的高速信號線,則需要進(jìn)行屏蔽處理,如果沒有屏蔽或只屏蔽了部分,都是會造成EMI的泄漏。建議屏蔽線,每1000...
X安規(guī)電容主要有X1安規(guī)電容和X2安規(guī)電容,雖然理論上還有X3安規(guī)電容,但實(shí)際上沒有廠家生產(chǎn),比如科雅出貨量最多的就是X2電容,而X1電容偶爾會用到,使...
ME8133是一款高性能,高效率電流模式PWM控制器,內(nèi)封650V/4A功率MOSFET,功率最高可達(dá)30W(220VAC)。
電磁屏蔽纖維或紗線通過編織得到想要的具有電磁屏蔽功能的織物,而且可以自由組合。然而在使用時(shí)很容易由于外界的機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致錯(cuò)位或者位移,引起電磁屏蔽功能缺陷。
采用集成FET設(shè)計(jì)抑制電磁干擾EMI的實(shí)用電路技術(shù)
在本文中,我討論了使用電源轉(zhuǎn)換器 IC 的 DC/DC 穩(wěn)壓器電路可以采用的 EMI 抑制技術(shù)。減弱 EMI 的 PCB 布局步驟包括盡量減小布局中的電...
2023-03-29 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器 3.4k 0
采用離散FET設(shè)計(jì)的EMI抑制技術(shù)
優(yōu)化后的 PCB 布局有助于改善穩(wěn)壓器的 EMI 信號(與降低 EMI 的其他常用“修復(fù)”手段不同,不會犧牲效率或熱性能)。盡管本文圍繞 EMI 敏感的...
EMI相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和測量技術(shù)
對于 DC/DC 轉(zhuǎn)換器而言,雖然采用開關(guān)更快的電源器件可以提升開關(guān)頻率并縮小尺寸,但在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間出現(xiàn)的開關(guān)電壓和電流轉(zhuǎn)換率(dv/dt 和 di/d...
2023-03-29 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器emi 7.2k 0
最新一代的Silent Switcher μModule器件將低噪聲開關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)與μModule封裝相結(jié)合,能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)易設(shè)計(jì)、高效率、小尺寸和低噪聲的目標(biāo)。
高開關(guān)頻率是在電源轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展過程中促進(jìn)尺寸減小的主要因素。為了符合相關(guān)法規(guī),通常需要采用電磁干擾 (EMI) 濾波器,而該濾波器通常在系統(tǒng)總體尺寸和體...
2023-03-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器濾波器emi 2.8k 0
DC/DC 轉(zhuǎn)換器中半導(dǎo)體器件的高頻開關(guān)特性是主要的傳導(dǎo)和輻射發(fā)射源。本文章系列的第 2 部分回顧了 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的差模 (DM) 和共模 (CM...
2023-03-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器emi 2.8k 0
影響電源轉(zhuǎn)換器在高頻條件EMI特性的輻射發(fā)射
輻射電磁干擾 (EMI) 是一種在特定環(huán)境中動(dòng)態(tài)出現(xiàn)的問題,與電源轉(zhuǎn)換器內(nèi)部的寄生效應(yīng)、電路布局和元器件排布及其在運(yùn)行時(shí)所處的整體系統(tǒng)相關(guān)。因此,從設(shè)計(jì)...
2023-03-29 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器emi 4.1k 0
在 S4回路中,基本上也沒有高頻回路電流,?I4主要為電源紋波電流,高頻成分相對很小,所以S4的面積大小基本上也不需要考慮。
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