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場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

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fet技術(shù)

為什么FeFET變得如此有趣？

隨著芯片制造商尋找新的選擇來維持驅(qū)動(dòng)電流，鐵電體正在接受認(rèn)真的重新考慮。

2023-01-29 標(biāo)簽：電容器 DRAM 存儲(chǔ)器 1.3k 0

關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識(shí)

主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識(shí)，例如：mos管工作原理、mos管封裝等知識(shí)。

2023-01-29 標(biāo)簽：封裝 MOS管晶體管 5.9k 0

盤點(diǎn)MOS管傳輸特性曲線的細(xì)微之處

這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構(gòu)造，如下圖所示，柵極和源極之間就是一個(gè)耗盡層（PN結(jié)）。

2023-01-29 標(biāo)簽：場效應(yīng)管 MOS管負(fù)電壓 4.1k 0

IGBT的工作原理和退飽和 IGBT的電感短路和直通短路

為了理解IGBT進(jìn)入退飽和的過程機(jī)理，我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別：簡單來看，IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個(gè)P+...

2023-01-17 標(biāo)簽：MOSFET 電感 IGBT 2.2萬 0

最新電源轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械腟iC FET

從歷史上看，存在從 AC 到 DC 和 DC 到 DC 的首選電源轉(zhuǎn)換方法。這些都是由隨著時(shí)間演變的各種限制條件設(shè)定的。例如，有一天，“功率因數(shù)校正”僅...

2022-12-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 FET SiC 1.8k 0

GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)

在任何電力電子轉(zhuǎn)換器中，熱設(shè)計(jì)都是一項(xiàng)重要的考慮因素。熱設(shè)計(jì)經(jīng)優(yōu)化后，工程師能夠?qū)?GaN 用于各種功率級(jí)別、拓?fù)浜蛻?yīng)用中。此應(yīng)用手冊論述了 TI LM...

2022-11-18 標(biāo)簽：pcb 散熱器 FET 1.6k 0

在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，...

2022-11-14 標(biāo)簽：MOSFET FET SiC 1.9k 0

SiC FET的起源和發(fā)展

高頻開關(guān)等寬帶隙半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)更高功率轉(zhuǎn)換效率的助力。SiC FET就是一個(gè)例子，它由一個(gè)SiC JFET和一個(gè)硅MOSFET以共源共柵方式構(gòu)成。

2022-11-11 標(biāo)簽：FET SiC 高頻開關(guān) 1.8k 0

一種用于實(shí)時(shí)檢測溶液中COVID-19刺突抗原的電子生物傳感器

這款GO-FET生物傳感器采用由p型硅（Si）襯底以及覆蓋其上的二氧化硅（SiO2）介電層組成的p型硅片（Si/SiO2）制備。

2022-11-10 標(biāo)簽：FET 場效應(yīng)晶體管生物傳感器 1.1k 0

來說說J-FET的實(shí)際使用注意事項(xiàng)

該模型可用于小信號(hào)電路計(jì)算，其中，極間電容在低頻和直流電路中可以忽略。Rgs是J-FET的柵源等效電阻，當(dāng)加了正常直流偏置電路后，柵源之間外接的電阻比R...

2022-11-03 標(biāo)簽：FET 等效電路可變電阻 2.8k 0

講一講增強(qiáng)型MOSFET器件結(jié)構(gòu)和原理

我們可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)Ugs=0時(shí)，MOS-FET就是兩個(gè)共陽極的二極管，B極是公共陽極，S、D極是兩個(gè)陰極。

2022-11-03 標(biāo)簽：二極管 MOSFET FET 2.9k 0

開發(fā)一種基于GFET的生物傳感器

基于FET的生化傳感器表現(xiàn)出可靠、環(huán)保、高靈敏、便捷的特點(diǎn)，有望成為新一代傳感平臺(tái)。

2022-10-31 標(biāo)簽：傳感器晶體管 FET 767 0

采用N溝JFET與PNP型三極管的放大電路設(shè)計(jì)

下圖是一個(gè)采用N溝JFET與一只PNP型三極管組合而成的一個(gè)放大電路，原理上采用輸入阻抗高的FET作為源極接地的放大電路，第二級(jí)采用提高放大倍數(shù)的三極管...

2022-10-18 標(biāo)簽：三極管放大電路 JFET 4.7k 0

柵極驅(qū)動(dòng)器和偏置電源注意事項(xiàng)

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)...

2022-10-11 標(biāo)簽：晶體管 FET GaN 1.7k 0

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉

該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平；甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能，以便預(yù)測結(jié)溫。

2022-10-11 標(biāo)簽：FET 肖特基二極管 SiC 1.1k 0

NC-FET技術(shù)解決方案

眾所周知，互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 晶體管存在縮放問題。隨著 CMOS 場效應(yīng)晶體管 (FET) 變得更小，它們的功率效率會(huì)降低，進(jìn)而更容易受...

2022-09-23 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 FET 4.3k 0

晶體管的分類方式

根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。

2022-08-23 標(biāo)簽：晶體管 FET MOS 5.1k 0

48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用

對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用...

2022-08-04 標(biāo)簽：控制器 FET GaN 1.5k 0

SiC FET的起源及其向完美開關(guān)的演變

當(dāng)然，（近乎）完美的電氣開關(guān)已經(jīng)存在很長時(shí)間了，但我們在這里不是在談?wù)摍C(jī)械。現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒有電阻的半導(dǎo)體開關(guān)，當(dāng)打開時(shí)沒有電阻，關(guān)閉時(shí)...

2022-08-03 標(biāo)簽：電源 FET SiC 1.5k 0

基于p型V-WSe2和n型MoS2的可編程FET的異質(zhì)集成

CMOS技術(shù)是無數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品、儀器和計(jì)算工具的大腦。60多年來，CMOS技術(shù)在性能、能效和單位功能成本方面持續(xù)增長，這得益于遵循摩爾定律的硅基MOSF...

2022-08-02 標(biāo)簽：CMOS MOSFET FET 3.9k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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