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      finfet

      finfet

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      FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

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      2023-08-02 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計QFN封裝 2.1k 0

      14nm FinFET的決斗，IBM死磕英特爾

      當(dāng)今，英特爾在FinFET制程上仍屬于佼佼者，其他半導(dǎo)體廠商正嘗試開發(fā)3D FinFET與英特爾抗衡。IBM同樣在FinFET制程上表現(xiàn)突出，這也是英特...

      2014-10-22 標(biāo)簽：英特爾IBMFinFET 2.1k 0

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      臺積電董事長張忠謀8日在股東會中表示，臺積電營運猶如今日艷陽高照的天氣，象征營運是蓬勃有朝氣，2016年是營運創(chuàng)新高紀(jì)錄的一年，2017年也是不錯的一年...

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      全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET

      FinFET在22nm節(jié)點的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成...

      2022-08-01 標(biāo)簽：晶體管柵極FinFET 2.1k 0

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      2014-10-11 標(biāo)簽：臺積電FinFETEUV 2.1k 5

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      臺積電采用Cadence的FinFET單元庫特性分析解決方案

      全球知名電子設(shè)計創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計系統(tǒng)公司 （NASDAQ： CDNS），今日宣布臺積電采用了Cadence?16納米FinFET單元庫特性...

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      中科院清華北大西電教授聯(lián)合發(fā)文：中國芯片面臨的重大問題

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      2017-04-27 標(biāo)簽：三星電子FinFET10nm制程 1.9k 1

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        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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