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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲(chǔ)器。

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fram技術(shù)

首款對非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的單芯片存儲(chǔ)技術(shù)——FRAM

在許多較早期的系統(tǒng)中，代碼存儲(chǔ)使用ROM或者OTP-EPROM，它們是非易失性的且不能在系統(tǒng)中進(jìn)行修改。因此，設(shè)計(jì)上的主要問題是存儲(chǔ)器的大小、存取時(shí)間，...

2019-04-21 標(biāo)簽：嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1.9k 0

多圖|FRAM特性那么多，我想去看看！

FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是被稱為FeRAM。這種存儲(chǔ)器采用鐵電質(zhì)膜用作電容器來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。FRAM具有ROM（只讀存儲(chǔ)器）和RAM（隨機(jī)存取器）的特...

2017-03-28 標(biāo)簽：fram 1.9k 0

產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，那些可能被你“熟視無睹”的器件

確實(shí)，通常我們習(xí)慣于集中關(guān)注如主控芯片、驅(qū)動(dòng)、信號(hào)處理等系統(tǒng)級關(guān)鍵器件，而常常忽視掉那些被認(rèn)為是“旁枝末節(jié)”的周邊元器件的選型與應(yīng)用。事實(shí)上，這些“熟視...

2017-03-27 標(biāo)簽：繼電器 fram 雙電層電容 1.8k 0

訪談：鐵電存儲(chǔ)器助富士通半導(dǎo)體拓展多領(lǐng)域應(yīng)用

在以往產(chǎn)品開發(fā)過程中，大量的數(shù)據(jù)采集對于工程師來說一直是件頭疼的事情。數(shù)據(jù)需要不斷地高速寫入，傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)如EERPOM、Flash的寫入壽命和讀寫速...

2017-03-29 標(biāo)簽：fram 1.8k 0

基于FRAM的MCU為低功耗應(yīng)用提高安全性

安全性在包括智能手機(jī)配件、智能儀表、個(gè)人健康監(jiān)控、遙控以及存取系統(tǒng)等各種應(yīng)用中正在變得日益重要。要保護(hù)收益及客戶隱私，OEM 廠商必須采用安全技術(shù)加強(qiáng)系...

2012-11-23 標(biāo)簽：MCU FRAM 低功耗設(shè)計(jì) 1.8k 0

物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的一個(gè)關(guān)鍵器件，很多人都沒有g(shù)et到的那些要點(diǎn)

月初，我們的高顏值男神級專家Eric在RFID大會(huì)上發(fā)表了據(jù)說很高大上的主題演講——大容量RFID讓工業(yè)自動(dòng)化更智能。

2017-03-27 標(biāo)簽：rfid 物聯(lián)網(wǎng)fram 1.8k 0

淺談不同類型存儲(chǔ)單元和存儲(chǔ)架構(gòu)的嵌入式MCU

　外部存儲(chǔ)器中的加密代碼塊不會(huì)讓雜散的眼睛以任何可用的形式將其分解。MCU 包含一個(gè)解密算法，其中包含為偽隨機(jī)函數(shù)生成器提供種子的定制參數(shù)。

2022-08-31 標(biāo)簽：微控制器 mcu 存儲(chǔ)器 1.8k 0

媒體聚焦 | FRAM應(yīng)用淺記——只談創(chuàng)新案例

近年來隨著智能三表、物聯(lián)網(wǎng)、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標(biāo)簽、汽車后裝設(shè)備、以及工業(yè)傳感網(wǎng)絡(luò)的快速增長，F(xiàn)RAM存儲(chǔ)器以及FRAM微控制器的應(yīng)用越來越多。似乎幾年...

2017-03-28 標(biāo)簽：fram 1.6k 0

64 Kb存儲(chǔ)有新選擇啦，最佳運(yùn)行功耗FRAM輕松滿足功耗預(yù)算

正在設(shè)計(jì)電池供電可穿戴設(shè)備、測量設(shè)備、智能電表、天然氣表、水表設(shè)備……的親們，您的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是如何解決滴？是否為滿足苛刻功耗預(yù)算而苦惱呢？我們近日宣布推出...

2017-03-27 標(biāo)簽：fram 1.6k 0

使用FRAM存儲(chǔ)器進(jìn)行ADAS數(shù)據(jù)記錄提供改進(jìn)ADAS功能所需洞察力

ADAS功能需要高度專業(yè)化的傳感器、存儲(chǔ)器和收發(fā)器，這些傳感器、存儲(chǔ)器和收發(fā)器符合ASIL-B等功能安全標(biāo)準(zhǔn)。 ? ? ? ?自動(dòng)駕駛不僅改變了汽車行業(yè)...

2022-07-14 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 fram adas 1.6k 0

富士通FRAM產(chǎn)品特性介紹(視頻)

本視頻主要內(nèi)容：介紹了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品特性：低功耗，快速讀寫，高讀寫次數(shù)和防輻射特性。

2017-03-29 標(biāo)簽：fram 1.6k 0

高性能RFID標(biāo)簽是怎樣煉成的？

開車的朋友可能會(huì)有這樣的經(jīng)歷，當(dāng)您經(jīng)過高速公里收費(fèi)站時(shí)，您的交通收費(fèi)卡在進(jìn)站和出站的時(shí)候偶爾會(huì)無法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過了他的讀寫...

2017-03-28 標(biāo)簽：rfid fram 1.5k 0

基于ZigBee技術(shù)的皮帶運(yùn)輸機(jī)可使用國產(chǎn)FRAM PB85RS2MC

國芯思辰，國產(chǎn)芯片替代

2023-10-27 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 fram FRAM芯片 1.5k 0

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在MCU中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的...

2023-06-20 標(biāo)簽：mcu FlaSh 存儲(chǔ)器 1.4k 0

DS32X35高精度實(shí)時(shí)時(shí)鐘和鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的優(yōu)勢

主要的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)包括電池備份SRAM、EEPROM和閃存。FRAM以類似于傳統(tǒng)SRAM的速度提供非易失性存儲(chǔ)。功能操作類似于串行EEPROM，主...

2023-01-11 標(biāo)簽：Maxim 存儲(chǔ)器 fram 1.4k 0

開年大盤點(diǎn)——那些新材料新概念成就的創(chuàng)新存儲(chǔ)技術(shù)

近十年來，在高速成長的非易失性存儲(chǔ)器市場的推動(dòng)下，業(yè)界一直在試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲(chǔ)器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲(chǔ)器，提高存儲(chǔ)...

2017-03-27 標(biāo)簽：fram 1.4k 0

深度解析亮相慕展的六大創(chuàng)新技術(shù)

過完了眼癮，現(xiàn)在來看我們在此次慕尼黑上海電子展上引領(lǐng)未來趨勢的六大創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)吧！

2017-03-28 標(biāo)簽：fram 慕尼黑上海電子展 1.4k 0

次世代記憶體換當(dāng)家？關(guān)于新當(dāng)家的那點(diǎn)事

據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成...

2017-03-27 標(biāo)簽：dram fram 1.4k 0

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在汽車安全氣囊系統(tǒng)中的應(yīng)用

目前汽車安全氣囊系統(tǒng)引入了兩項(xiàng)主要的創(chuàng)新技術(shù)：第一，安全氣囊系統(tǒng)增加了“智能性”，新系統(tǒng)是根據(jù)事故和乘客的具體參數(shù)來決定氣囊的展開力度，這些參數(shù)可能包括...

2023-07-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 ecu fram 1.3k 0

FRAM內(nèi)存耐久度的優(yōu)勢分析

FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開關(guān)周期后維持鐵電開關(guān)電荷的非易失性部分的能力。

2024-02-19 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 RAM 內(nèi)存 1.3k 0

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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