臺積電熊本二廠轉攻2納米背后：AI需求重塑半導體供應鏈，國產(chǎn)功率器件迎機遇

臺積電2024年宣布興建的日本熊本二廠，在10月動工不到兩月便因制程規(guī)劃調(diào)整暫停。據(jù)悉，原計劃的6/7納米制程因市場需求下滑被棄用，最新方案擬跳過4納米...

2025-12-22 標簽：MOSFET可控硅SiC 526 0

宏微科技一舉斬獲兩項重磅行業(yè)大獎

聚力創(chuàng)新動能，破局產(chǎn)業(yè)難題，領航技術前沿！近期深圳半導體與電源技術領域盛會密集，宏微科技攜旗下子公司上海宏微愛賽半導體有限公司（以下簡稱“宏微愛賽”）強...

2025-12-19 標簽：GaN功率半導體宏微科技 899 0

新品 15W-T氮化鎵電源！

當電子設備的集成度不斷挑戰(zhàn)物理極限，為其供電的“能量心臟”也迎來新一輪革新。傳統(tǒng)電源方案占空間、散熱難，是否已成為您產(chǎn)品迭代中的隱形瓶頸？今天，我們帶來...

2025-12-15 標簽：氮化鎵電源GaN 279 0

芯干線斬獲2025電源行業(yè)GaN技術突破獎

2025年12月6日，芯干線攜自主研發(fā)的 GaN（氮化鎵）核心技術及產(chǎn)品參展世紀電源網(wǎng)主辦的亞洲電源展，憑借突破性技術成果與高競爭力產(chǎn)品，成功斬獲 “G...

2025-12-13 標簽：功率器件SiCGaN 976 0

芯干線斬獲2025行家極光獎年度第三代半導體市場開拓領航獎

2025年12月4日，深圳高光時刻！由第三代半導體產(chǎn)業(yè)標桿機構「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎」頒獎晚宴盛大啟幕，數(shù)百家SiC&GaN...

2025-12-13 標簽：半導體SiCGaN 1k 0

電源學會學術年會前沿報告：GaN+HSC解決方案，開啟數(shù)據(jù)中心48V高效轉換新紀元

聚焦模擬和數(shù)模混合日前，第四屆中國電力電子與能量轉換大會暨展覽會、中國電源學會第二十八屆學術年會（CPEEC&CPSSC2025）在深圳圓滿落幕...

2025-12-10 標簽：電源數(shù)據(jù)中心GaN 908 0

當GaN和SiC掀起能源革命，誰在背后穩(wěn)住它們的“高頻心跳”？

引言我們?yōu)镚aN和SiC帶來的高效與節(jié)能歡呼，卻常忽略：若沒有與之匹配的“能量守護者”，再強的半導體也無法真正賦能場景。想象一下：一輛電動汽車正在快充，...

2025-12-06 標簽：SiCGaN第三代半導體 610 0

日均省電超82萬度!事關AI服務器GaN電源模塊

根據(jù)IDC機構的測算，2025年全球人工智能服務器市場規(guī)模將達到1587億美元，2028年更有可能飛躍式增長至2227億美元。AI數(shù)據(jù)中心發(fā)展勢頭迅猛的...

2025-12-08 標簽：電源模塊GaNAI服務器 689 0

從小型化到高頻化：立山科學TWT系列NTC熱敏電阻如何助力下一代功率電子設計

深圳市智美行科技有限公司攜手日本立山科學株式會社，持續(xù)關注功率電子技術的發(fā)展前沿。本文將探討行業(yè)小型化、高頻化、集成化的核心趨勢，并闡釋TWT系列如何成...

2025-12-05 標簽：新能源車SiCGaN 496 0

小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應用更多可能

在傳統(tǒng)橫向結構的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直GaN的GaN層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結構使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動...

2025-12-04 標簽：安森美功率器件GaN 616 0

基本半導體碳化硅MOSFET在固態(tài)斷路器領域的市場引領與技術解析

在全球能源結構向電氣化、低碳化轉型的宏大背景下，電力電子系統(tǒng)正經(jīng)歷著從交流（AC）為主向直流（DC）為主的深刻變革。在電動汽車（EV）、數(shù)據(jù)中心（Dat...

2025-12-11 標簽：MOSFET斷路器GaN 661 0