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Wolfspeed的CGHV40100是前所未有的;氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGHV40100;選用50伏電流電壓軌工作;提供一...
GaN要快速擴(kuò)散至各應(yīng)用領(lǐng)域仍有層層關(guān)卡待突破
氮化鎵(GaN)主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料,是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表, 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。
本調(diào)查全面回顧了生成模型的歷史、基本組件、AIGC 從單模態(tài)交互和多模態(tài)交互的最新進(jìn)展。我們從單峰性的角度介紹了文本和圖像的生成任務(wù)和相關(guān)模型。我們從多...
借助 GaN,智能手機(jī)制造商可以制造外殼尺寸更小且性價(jià)比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價(jià)比硅貴,但更高的頻率和更高的功率密度值導(dǎo)致每瓦美元更...
美國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)在起草當(dāng)前的“AI分析框架”過程中,這些要點(diǎn)成為重要方向,并與國(guó)家AI研發(fā)戰(zhàn)略重點(diǎn)保持一致 。此外,需要在數(shù)據(jù)和計(jì)算方...
安世半導(dǎo)體再獲功率器件行業(yè)大獎(jiǎng)!
由世紀(jì)電源主辦的第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在論壇同期舉辦的 2022 電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)評(píng)選中,Nexper...
KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作開發(fā)下一代電車應(yīng)用GaN技術(shù)
KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作開發(fā)下一代電車應(yīng)用GaN技術(shù)
2023-03-01 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器GaN 1.8k 0
載流子輸運(yùn)與復(fù)合模型數(shù)據(jù)庫(kù)在臺(tái)面二次刻蝕的Micro-LED中的應(yīng)用
Micro-LED顯示技術(shù)憑借高分辨、快響應(yīng)、長(zhǎng)壽命、低能耗等優(yōu)勢(shì)已應(yīng)用在智能手機(jī)、平板、電腦等高分辨率全彩顯示產(chǎn)品中,預(yù)計(jì)到2026年或?qū)⒛軒?.9...
針對(duì)相控陣?yán)走_(dá)的緊湊型三芯片電源解決方案
Qorvo 新推出的芯片組優(yōu)化了相控陣系統(tǒng)中尺寸最大、成本最高的部件之一---脈沖儲(chǔ)能電容器。該解決方案采用創(chuàng)新型架構(gòu),使電容減少 90%,系統(tǒng)體積縮小...
2023-02-28 標(biāo)簽:GaN雷達(dá)系統(tǒng) 1k 0
UMS?CHA6282-QCB是款工作在17.3-21.5GHz頻率段三級(jí)GaN大功率放大器。CHA6282-QCB一般提供28%的功率額外效率相關(guān)聯(lián)的...
晶能光電創(chuàng)新能力獲權(quán)威認(rèn)可通過國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心認(rèn)定
? ? 近日,國(guó)家發(fā)改委、科技部、財(cái)政部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局五部委聯(lián)合發(fā)文,公布第29批新認(rèn)定及全部國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心名單,晶能光電被認(rèn)定為國(guó)家企業(yè)技術(shù)中...
德州儀器、英飛凌、Microchip、Wolfspeed、安森美等廠商擴(kuò)產(chǎn)的另一大重點(diǎn),則是模擬芯片。
Custom?MMIC的QPA4346D是款高功率MMIC放大器,選用Qorvo制造的0.15um?GaN?on?SiC工藝技術(shù)(QGaN15)。QPA...
氮化鎵(GaN)是極具潛力的第三代半導(dǎo)體,廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制,特別是在器...
在過去的 25 年里,砷化鎵 (GaAs)、GaN 混合體和單片微波集成電路 (MMIC) 等有線電視技術(shù)不斷進(jìn)步,擴(kuò)展帶寬并提高系統(tǒng)性能,以符合最新的...
淺談帶驅(qū)動(dòng)的三基色Micro LED顯示模組
作為國(guó)家虛擬現(xiàn)實(shí)創(chuàng)新中心入局者,晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術(shù),承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開發(fā)。
GaN價(jià)格及市場(chǎng)規(guī)模的發(fā)展趨勢(shì)
根據(jù)行家說 Research 數(shù)據(jù)顯示,2021年,全球GaN 功率器件營(yíng)收規(guī)模約為 1.66 億美元,其中消費(fèi)類電子市場(chǎng)為0.95億美元,通信與數(shù)據(jù)中...
來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來,芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破,在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中...
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