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UMS?CHA7062-QCB是款兩級單片GaN功率放大器,在13-20GHz工作頻段內(nèi)展現(xiàn)5W飽和狀態(tài)輸出功率。 CHA7062-QCB具備17%的功...
氮化鎵(GaN)功率半導體應用場景及行業(yè)市場規(guī)模分析
GaN功率器件包括SBD、常關型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品,主要應用于無線充電件、電源開關、逆變器、交流器等領域。隨著技術水平的進步與成本控制,GaN材料...
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關,其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結...
第三代半導體材料與傳統(tǒng)硅材料相比,有什么優(yōu)勢
隨著碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新材料在二極管、場效應晶體管(MOSFET)和其他元件中的不斷應用,電力電子行業(yè)的技術革命已經(jīng)開始。這些新組...
隨著硅接近其物理極限,電子制造商正在轉向非常規(guī)半導體材料,特別是寬帶隙(WBG)半導體,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)。由于寬帶隙材料具有相對...
生長在c面生長表面上的c面氮化鎵基半導體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場,這降低了輻射復合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象,正在進行對非極性或半極性氮化鎵...
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應管可靠性指標
Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應管可靠性指標 日前,高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc...
納芯微全新推出GaN相關產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
納芯微全新推出GaN相關產(chǎn)品,包含GaN驅動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K,均可廣泛適用于快充、儲能、服務器電源等...
Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能參數(shù)。包括相對較高的...
UMS的CHA8312-99F是款8-12GHz頻率段的二級GaN大功率放大器。CHA8312-99F一般提供與50%的功率額外效率相關聯(lián)的17W輸出功...
Wolfspeed的CGH60030D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優(yōu)越產(chǎn)品性能;包括更高擊穿場強...
最新成果展示:半導體激光器光學模型數(shù)據(jù)庫的開發(fā)及應用
半導體激光器的光學模式分布及遠場發(fā)散角是衡量激光輸出質量的重要參數(shù),在器件設計、光學系統(tǒng)搭建及光束耦合等方面具有重要的參考價值。近期,天津賽米卡爾科技有...
2023-01-16 標簽:半導體激光器數(shù)據(jù)庫 1.7k 0
氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導體材料,禁帶寬度為3.4eV,對應截至波長365nm,對可見光無響應,克服了硅基紫外傳感器對可見光有強烈響應,且紫外靈...
GAN:生成對抗網(wǎng)絡 Generative Adversarial Networks
原文鏈接 1 原理 對于生成對抗網(wǎng)絡GAN,一個簡單的理解是可以將其看做博弈的過程,我們可以將生成模型和判別模型看作博弈的雙方,比如在犯罪分子造假幣和警...
2023-01-12 標簽:神經(jīng)網(wǎng)絡GaN函數(shù) 1.5k 0
CEO進一步指出,產(chǎn)品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應用垂直 GaN 技術領導者的地位。它需要我們的重要知識產(chǎn)權來制造適用于客戶用例的產(chǎn)品。
2022年行家說全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇,暨2022行家極光獎(2022 Hangjia Aurora Award)頒獎晚宴在深圳順利舉辦。Ne...
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