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晶能光電硅襯底氮化鎵技術(shù)助力MicroLED產(chǎn)業(yè)化
Micro LED被譽(yù)為新時代顯示技術(shù),但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝,邁入類IC制程。...
5G 功率放大器的其他候選者包括氮化鎵 (GaN) 和硅鍺 (SiGe)。GaN 技術(shù)通過促進(jìn)具有更高容量和熱效率的多個數(shù)據(jù)流的傳輸來增強(qiáng) PA 性...
佐治亞理工學(xué)院的研究人員開發(fā)了一種新的鍵合技術(shù),可以改善 GaN 器件的冷卻效果,從而轉(zhuǎn)化為各種應(yīng)用的更好性能,包括無線發(fā)射器、雷達(dá)和衛(wèi)星設(shè)備
使用 WBG 半導(dǎo)體進(jìn)行設(shè)計需要一些額外的專業(yè)知識
電磁干擾、并聯(lián)、布局都是工程師懂的東西,但是從硅基芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r,就需要多注意這些問題了
在電力電子應(yīng)用中,為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求,功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。
大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫,這促使需要更有效的熱設(shè)計。eGaN FET 和 IC 的芯片級封裝提供六面冷卻,從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱...
2022-08-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器散熱器GaN 2.7k 0
由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻,因此能夠?qū)崿F(xiàn)非常高密度的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計。大多數(shù)高密度轉(zhuǎn)換器中輸出功率的限制因素...
2022-08-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器散熱器GaN 1.7k 0
隔離設(shè)備是一種集成電路,允許在高低壓單元之間傳輸數(shù)據(jù)和能量,防止來自網(wǎng)絡(luò)的危險或不受控制的瞬態(tài)電流的存在。目標(biāo)是通過提高電源效率和增加功率傳輸速率(也稱...
考慮在 ≥ 40 kHz 的開關(guān)頻率下運(yùn)行的硅基功率器件。在這些條件下,開關(guān)損耗大于傳導(dǎo)損耗,對總功率損耗產(chǎn)生連鎖效應(yīng)。散發(fā)產(chǎn)生的多余熱量需要散熱器,從...
自硅問世以來,寬帶隙半導(dǎo)體,如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比,這些材料具有多個優(yōu)勢...
2022-08-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN寬帶隙半導(dǎo)體 2.1k 0
氮化鎵 (GaN)是一種寬帶半導(dǎo)體材料 (WBG),與硅一樣,它可用于制造二極管和晶體管等半導(dǎo)體器件。電源設(shè)計人員會選擇 GaN 晶體管而不是硅,因為它...
2022-08-08 標(biāo)簽:電源管理晶體管降壓轉(zhuǎn)換器 902 0
經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外,經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提,很明顯 WBG 技術(shù)是...
由佐治亞理工學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)的一個團(tuán)隊實施了一系列基于室溫表面活化鍵合(SAB)的結(jié)果,以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開發(fā)的技術(shù)...
電力電子系統(tǒng)的性能發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變,它由比硅 MOSFET 和 IGBT 更快、更小的 GaN 晶體管驅(qū)動。GaN 的性能表明效率和功率密度得到了顯著提高...
碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)
碳化硅是一種非常高效的材料,具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是...
GaN 是一種高帶隙材料,與硅相比,它允許器件在更高的溫度下運(yùn)行并承受更高的電壓。此外,GaN 更高的介電擊穿允許構(gòu)建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特...
2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電力電子 2.8k 0
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