GaN控制芯片在充電器領(lǐng)域的應(yīng)用

GaN憑借其優(yōu)越的性能，成為第三代半導(dǎo)體材料中的一員，在半導(dǎo)體領(lǐng)域中備受關(guān)注。

2021-09-01 標(biāo)簽：GaN 4.8k 0

靈活的EPC2218增強(qiáng)模式氮化鎵功率晶體管

功率電子技術(shù)正朝向更高的功率密度、高快的開關(guān)速度、更小的器件體積這個趨勢發(fā)展，而傳統(tǒng)的硅基器件已經(jīng)接近了物理性能的天花板，很難有大幅提升的空間，因此基于...

2021-08-17 標(biāo)簽：晶體管FETGaN 3.7k 0

GaN將在5G大規(guī)模MIMO部署中逐漸取代 LDMOS

相比其它半導(dǎo)體，GaN 是一種相對較新的技術(shù)，但它已然成為某些高射頻、大功率應(yīng)用的技術(shù)之選。雖然 LDMOS 技術(shù)目前仍在射頻基站領(lǐng)域占有最大市場份額，...

2021-07-30 標(biāo)簽：GaN 3.2k 0

我們對GaN認(rèn)識的幾大誤區(qū)

高功率密度、高效率和更寬的頻率支持使基于 GaN 的解決方案成為適合許多射頻應(yīng)用的優(yōu)良選擇。嵌入式系統(tǒng)設(shè)計人員都知道，每一種材料都必須權(quán)衡利弊。在探討最...

2021-07-28 標(biāo)簽：GaN 2.2k 0

恩智浦將GaN用于5G多芯片模塊，以實現(xiàn)高能效移動網(wǎng)絡(luò)

減少能耗是電信基礎(chǔ)設(shè)施的一個主要目標(biāo)，其中每一點效率都至關(guān)重要。在多芯片模組中使用GaN可在2.6 GHz頻率下將產(chǎn)品組合效率提高到 52%，比公司上一...

2021-07-05 標(biāo)簽：恩智浦氮化鎵GaN 1.6k 0

中國本土廠商在GaN晶圓廠建設(shè)的腳步不斷提速

目前，在高功率與高頻應(yīng)用領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）越來越受到重視，無論是國際大廠，如Qorvo、英飛凌、NXP、Cree、日本住友等，還是中國本土產(chǎn)商，如三...

2021-06-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN毫米波 3.7k 0

北京MEMS產(chǎn)線啟動量產(chǎn)，提供高標(biāo)準(zhǔn)MEMS制造服務(wù)

據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱：賽微電子）舉行投資者關(guān)系活動，賽萊克斯北京首席科學(xué)家：陸原博士，公司董事、副總經(jīng)理、董事會秘書：...

2021-06-21 標(biāo)簽：mems晶圓ISP 4.5k 0

探究氮化鎵在射頻電子中的應(yīng)用

近年來，因為 5G 的應(yīng)用，大家對射頻氮化鎵的關(guān)注度日益提升。 小編也認(rèn)為，GaN 非常適合提供毫米波領(lǐng)域所需的高頻率和寬帶寬。它可以滿足性能和小尺寸要...

2021-06-18 標(biāo)簽：RF氮化鎵GaN 3.2k 0

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展熱潮

? 第三代半導(dǎo)體材料是支撐經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性和基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)，是國家新材料發(fā)展計劃的重中之重。“十四五”期間，我國將在教育、科研、開發(fā)、融資...

2021-06-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體TSMCSiC 1.2萬 0

復(fù)合年增長70%！GaN被快充帶火，用于數(shù)據(jù)中心、電動汽車，未來市場無限可期

近幾年，第三代半導(dǎo)體GaN快速發(fā)展，根據(jù)襯底材料的不同，GaN主要分為幾類：Si基GaN，目前主要應(yīng)用在功率期間中，也逐漸被部分射頻器件采用；藍(lán)寶石襯底...

2021-06-16 標(biāo)簽：GaN快充 6.2k 0

你們知道深度學(xué)習(xí)有哪四個學(xué)習(xí)階段嗎

機(jī)器學(xué)習(xí)領(lǐng)域是巨大的，為了學(xué)習(xí)不迷路，可以從以下列表幫助學(xué)習(xí)。它概述深度學(xué)習(xí)的一些學(xué)習(xí)細(xì)節(jié)。 階段1：入門級入門級能夠掌握以下技能： 能夠處理小型數(shù)據(jù)集...

2021-06-10 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 3.1k 0

寬禁帶半導(dǎo)體是怎么從頂流成為主流的？

近幾年，中國碳化硅（SiC）項目可謂遍地開花，據(jù)中國電子材料行業(yè)協(xié)會半導(dǎo)體材料分會統(tǒng)計，截至今年5月，我國從事SiC襯底研制的企業(yè)已經(jīng)有30家，還不包括...

2021-06-08 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 2.4k 0

研究人員開發(fā)了一款比現(xiàn)有可用模型更準(zhǔn)確的GaN生物傳感器

GaN生物傳感器基于一種被稱為“生物高電子遷移率晶體管（bio High Electron Mobility Transistor，bioHEMT）”的...

2021-06-07 標(biāo)簽：GaN生物傳感器電介質(zhì) 3.3k 0

GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場有望在2027年達(dá)45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為7億美...

2021-05-21 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 2.8k 0