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      gan資訊

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      隨著充電技術(shù)的不斷創(chuàng)新，充電效率得到了巨大的提升。普通慢如蝸牛的充電方式逐漸被快充形式所取代。 2019年，快充行業(yè)的飛速發(fā)展，人們對于USB-PD快充...

      2020-03-28 標(biāo)簽：GaNUSB-PD 1.8k 0

      人工智能技術(shù)之GAN算法的應(yīng)用

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      我們知道機器學(xué)習(xí)模型有：生成模型和判別模型。判別模型需要輸入變量x，通過某種模型來預(yù)測p（y｜x）。生成模型是給定某種隱含信息，來隨機產(chǎn)生觀測數(shù)據(jù)。

      2020-01-01 標(biāo)簽：人工智能GaN 5.5k 0

      Transphorm的GaN被用于AES供應(yīng)大型客機的最新電源

      首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今天確認(rèn)，其客戶AES ...

      2019-12-19 標(biāo)簽：氮化鎵GaNAES 2k 0

      Transphorm十年專注引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新

      目前，Transphorm正在努力推出第三代常閉GaN FET技術(shù)。該技術(shù)的閾值將提高到4.0V，提高了其抗噪能力和器件性能，無需負(fù)柵極驅(qū)動，并且相比上...

      2019-12-13 標(biāo)簽：GaNTransphorm 5.2k 0

      西安電子科技大學(xué)研發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管

      西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院郝躍院士團隊揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機制，創(chuàng)新性開發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管，相關(guān)研究成果在國際權(quán)威期刊《Advanc...

      2019-12-03 標(biāo)簽：ledGaN 1.3k 0

      滿足“電老虎”移動計算的需求

      提高頻率是減小尺寸的一種行之有效的方法。對于移動系統(tǒng)而言，實現(xiàn)高效解決方案同樣重要，這是延長電池壽命的關(guān)鍵因素。通過單芯片集成，如增強型氮化鎵功率場效應(yīng)...

      2019-11-30 標(biāo)簽：晶體管功率器件GaN 4k 0

      RF GaN正快速成長 它未來會在手機中實現(xiàn)嗎？

      如今，寬禁帶半導(dǎo)體已成為一個熱門話題。 碳化硅（SiC）正成為業(yè)者瞄準(zhǔn)的下一個戰(zhàn)略目標(biāo)，并且正在電動汽車和其他系統(tǒng)中獲得發(fā)展。另外，還有就是氮化鎵（Ga...

      2019-11-26 標(biāo)簽：RFGaN5G 1.1萬 0

      SiC和GaN半導(dǎo)體產(chǎn)品競爭激烈，日本企業(yè)實力雄厚

      近兩年來，各國科技企業(yè)都在關(guān)注半導(dǎo)體建設(shè)，加快在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的自主研發(fā)步伐，畢竟半導(dǎo)體涉及到的領(lǐng)域也比較廣，能夠為各行各業(yè)的發(fā)展提供幫助，可以說生活中所...

      2019-11-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體sicgan 4.2k 0

      GaN和SiC增利效應(yīng)拉高，市場競逐日趨白熱化

      Wolfspeed，英飛凌，三菱，安森美半導(dǎo)體，意法半導(dǎo)體，ROHM和Toshiba等供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的功率半...

      2019-11-11 標(biāo)簽：SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.2萬 0

      50kW/L功率密度，3.3美元/kW成本的電機實現(xiàn)難點是什么？

      U.S. DRIVE給電機和電控的發(fā)展定了一個目標(biāo)，那就是到2025年時，電機控制器的效率不能低于98%；功率密度要達(dá)到100kW/L；成本要降到2.7...

      2019-10-29 標(biāo)簽：新能源汽車電機SiC 2.0萬 0

      OPPO 65W SuperVOOC和 30W 無線VOOC閃充 技術(shù)亮點全揭曉！

      2019年9月17日，OPPO正式發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0、VOOC 4.0以及最大充電功率為30W的無線VOOC閃充。據(jù)O...

      2019-09-18 標(biāo)簽：適配器OPPO氮化鎵 1.2萬 1

      把扎克伯格的臉放到emoji表情包上是一番怎樣的體驗？

      但今天要說的這個表情包就不一樣了，有外國網(wǎng)友把真人頭像和流行的emoji表情結(jié)合在了一起。至于結(jié)合在一起之后能不能看出來是誰，甚至能不能看出來是人。那可...

      2019-09-07 標(biāo)簽：算法圖像GaN 4.4k 0

      半導(dǎo)體原料明日之星砷化鎵、氮化鎵產(chǎn)業(yè)分析

      半導(dǎo)體原料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一階段是以硅 (Si)、鍺 (Ge) 為代表的第一代半導(dǎo)體原料。

      2019-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN 1.9萬 0

      氮化鎵元件對于5G基地臺需求加持,穩(wěn)懋?dāng)[脫貿(mào)易戰(zhàn)陰霾

      砷化鎵（GaAs）及氮化鎵（GaN）晶圓代工龍頭穩(wěn)懋公告2019年第二季營收情形，營收金額來到1.41億美元。

      2019-08-15 標(biāo)簽：GaN5G 3.1k 0

      神奇的GAN,基于生成的探索

      科學(xué)家認(rèn)為機器學(xué)習(xí)和人工智能所運用的前沿技術(shù)，是一種研究科學(xué)的全新方法。

      2019-08-15 標(biāo)簽：GaN機器學(xué)習(xí) 3.4k 0

      一本書來幫助你入門深度學(xué)習(xí)生成模型

      這一事實并沒有真正公正地反映AGC的輝煌。由于摩爾定律，你可以選擇任何計算機器，也可以說50年后，將會有一臺機器能夠比它的運行速度快22?倍。

      2019-08-02 標(biāo)簽：GaN深度學(xué)習(xí) 4k 0

      關(guān)于GaN微波器件大信號模型及其應(yīng)用和發(fā)展分析

      關(guān)于GaN微波器件大信號模型及其應(yīng)用和發(fā)展分析

      然而上述兩種模型為了達(dá)到大信號特性高精度，仍舊需要引入較多的擬合參數(shù)，加大了模型參數(shù)提取的難度和模型在大功率放大器設(shè)計中的收斂性。對此，提出了一種準(zhǔn)物理...

      2019-09-08 標(biāo)簽：大功率微波GaN 7.9k 0

      關(guān)于PA主流技術(shù)--GaN的性能分析和應(yīng)用

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      作為射頻領(lǐng)域的專家，Qorvo 預(yù)測， 8GHz 以下砷化鎵仍是主流， 8GHz 以上氮化鎵替代趨勢明顯。砷化 鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高工作電...

      2019-09-05 標(biāo)簽：放大器半導(dǎo)體GaN 7.8k 0

      Si襯底GaN基功率開關(guān)器件的發(fā)展?fàn)顩r

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      在電力電子控制系統(tǒng)中，為了保證系統(tǒng)失效安全，器件必須具備常關(guān)型的工作特性。

      2019-08-01 標(biāo)簽：GaN功率開關(guān)器件 4.8k 0

      干貨 | GaN在開關(guān)電源設(shè)計中的應(yīng)用

      干貨 | GaN在開關(guān)電源設(shè)計中的應(yīng)用

      隨著工藝的進步和缺陷率的不斷降低，GaN在交直流電力轉(zhuǎn)換、改變電壓電平、并且以一定數(shù)量的函數(shù)確保可靠電力供應(yīng)的電子電源中的優(yōu)勢越來越明顯。

      2019-08-01 標(biāo)簽：開關(guān)電源GaN 1.1萬 0

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        自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機開始大行其道。
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        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗。
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        藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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      • HBT
        HBT
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        　hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。
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      劉士進 jf_38010428 jf_78150839 過過小日子 kdhaha jf_30061372 jf_75715919 書銘永恒 張偉_81592513 鄒廣田 jf_37200696 gp601

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