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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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SVPWM原理推導(dǎo)與Mathcad建??刂茖?shí)現(xiàn)
SVPWM是變流器控制基礎(chǔ),其實(shí)現(xiàn)流程大致為,判斷合成矢量所在扇區(qū),計(jì)算相鄰矢量作用時(shí)間,計(jì)算各橋臂導(dǎo)通時(shí)間,得到各相PWM占空比,更新相應(yīng)寄存器值。
本應(yīng)用筆記介紹了為反向阻斷功能而開(kāi)發(fā)的新型 IGBT。應(yīng)用筆記介紹了新型 IGBT 的應(yīng)用及其電氣特性。 抽象的 開(kāi)發(fā)了一種新的 IGBT,具有反向阻斷...
2021-06-01 標(biāo)簽:二極管轉(zhuǎn)換器逆變器 4k 1
有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)一樣嗎?怎么驅(qū)動(dòng)大功率直流電機(jī)?
有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)的原理是不同的,因此,在驅(qū)動(dòng)方式上也存在較大的差異。
2023-04-01 標(biāo)簽:IGBTESC有刷直流電機(jī) 4k 0
?如何解讀IGBT數(shù)據(jù)表中的瞬態(tài)熱特性數(shù)據(jù)
在使用數(shù)據(jù)表中的熱特性參數(shù)時(shí),如何做出設(shè)計(jì)決策經(jīng)常存在一定的誤區(qū)。本文將幫助您了解如何解讀數(shù)據(jù)表中的熱參數(shù):包括如何選擇 θ 與 ψ 及其計(jì)算,以及如何...
電動(dòng)車(chē)用大功率 IGBT模塊測(cè)試解決方案
功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類(lèi),其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類(lèi)。
2020-11-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車(chē)IGBT功率半導(dǎo)體 4k 0
MOS晶體管是MOSFET,中文全稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,稱(chēng)為金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見(jiàn)的兩種功率開(kāi)關(guān)器件。它們?cè)谠S多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作...
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)
在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。
IGBT模塊銀燒結(jié)工藝引線(xiàn)鍵合工藝研究
歡迎了解 張浩亮?方杰?徐凝華 (株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體有限公司?新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室) 摘要: 主要研究了應(yīng)用于?IGBT?模塊封裝中的銀燒結(jié)...
針對(duì)汽車(chē) IGBT 模塊的主要失效原理和引線(xiàn)鍵合壽命短板,結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì),結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線(xiàn)的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命...
2023-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)模塊仿真 4k 0
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過(guò)使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工...
在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常使用,它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管...
IGBT在電動(dòng)汽車(chē)逆變器中的應(yīng)用
IGBT模塊在電動(dòng)汽車(chē)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,是電動(dòng)汽車(chē)及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件。IGBT模塊占電動(dòng)汽車(chē)成本將近10%,占充電樁成本約20%。
2022-09-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 4k 0
如何選擇能代換FGH60N60SMD的型號(hào)參數(shù)的IGBT單管來(lái)應(yīng)用呢?
在整個(gè)光伏逆變器的開(kāi)發(fā)中,單相組串式光伏逆變器的前級(jí)升壓通常采用高效的升壓轉(zhuǎn)換器,如Boost轉(zhuǎn)換器或SEPIC轉(zhuǎn)換器等,以提高電路效率和穩(wěn)定性。
2023-04-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器IGBT快恢復(fù)二極管 3.9k 0
IGBT驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么
——驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么?
2022-04-29 標(biāo)簽:電流IGBT驅(qū)動(dòng)芯片 3.9k 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)吸收電容的原理是一個(gè)復(fù)雜而重要的概念,它涉及到IGBT...
IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
前面我們也聊到過(guò)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺(jué)人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 3.9k 0
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