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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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在先進(jìn)的反向?qū)ń^緣柵雙極晶體管(RCIGBT)中,低導(dǎo)通電壓降(Vce(sat))和集成二極管正向電壓(VF)對(duì)于有效減少導(dǎo)通損耗至關(guān)重要。
2025-10-10 標(biāo)簽:二極管意法半導(dǎo)體IGBT 2.4k 0
浮思特 | TRinno特瑞諾 600V IGBT TGAF40N60F2D如何賦能高可靠性電源系統(tǒng)
在追求高效、節(jié)能與穩(wěn)定的電力電子世界里,IGBT作為能量轉(zhuǎn)換與管理的核心器件,其性能的優(yōu)劣直接決定了整機(jī)系統(tǒng)的表現(xiàn)。因此,選擇一款性能卓越的IGBT至關(guān)...
2025-09-30 標(biāo)簽:IGBT電源系統(tǒng) 1.9k 0
TMS320F28P650DK實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F28P650DH 微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
TMS320F28P659SH-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
?UCC27624V-Q1 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC27624V-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC27624V-Q1 的典型...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.7k 0
?UCC34141-Q1 汽車級(jí)隔離式DC/DC電源模塊技術(shù)文檔總結(jié)
UCC34141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 SiC 和 IGBT 隔離柵極驅(qū)動(dòng)器供電。其專有的集成變壓器、倒裝...
UCC218200-Q1 是一款電隔離單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為工作電壓高達(dá) 1500V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能...
UCC57148 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
UCC5714x 通過(guò) OCP 引腳提供過(guò)流保護(hù)。當(dāng)在 OCP 引腳上檢測(cè)到過(guò)流信號(hào)時(shí),內(nèi)部電路將下拉 EN/FLT 引腳以報(bào)告故障并強(qiáng)制 OUT 到低...
2025-09-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器過(guò)流保護(hù)IGBT 1.5k 0
UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
UCC5714x 是一款單通道、高性能、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC5714x 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.6k 0
三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是Si...
上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹
在工業(yè)自動(dòng)化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天,對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體...
一文讀懂電控系統(tǒng)核心——功率半導(dǎo)體IGBT模塊
前言功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分,在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。而IGBT模塊作為其中一個(gè)極其高效、聽話且力量巨大的”電能開關(guān)“被廣...
2025-09-10 標(biāo)簽:IGBT電控系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 3.7k 0
散熱底板對(duì) IGBT 模塊功率循環(huán)老化壽命的影響
摘要:功率半導(dǎo)體模塊通常采用減小結(jié)殼熱阻的方式來(lái)降低工作結(jié)溫,集成Pin-Fin基板代替平板基板是一種有效選擇。兩種封裝結(jié)構(gòu)的熱阻抗特性不同,可能對(duì)其失...
2025-09-09 標(biāo)簽:IGBT散熱功率半導(dǎo)體 2.3k 0
?TPS65560 集成式閃光燈充電器和IGBT驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該器件提供了一個(gè)完整的解決方案,用于通過(guò)電池輸入為閃光燈電容器充電,然后將電容器放電到氙氣閃光燈管。該器件具有集成基準(zhǔn)電壓源、電源開關(guān)、IGBT 驅(qū)動(dòng)器...
2025-09-05 標(biāo)簽:電容器驅(qū)動(dòng)器PWM 2.1k 0
浮思特 | TRINNO IGBT在電焊機(jī)中的應(yīng)用方案
特瑞諾(TRINNO)作為領(lǐng)先的IGBT技術(shù)提供商,憑借其創(chuàng)新的半導(dǎo)體產(chǎn)品,助力焊接行業(yè)提升生產(chǎn)效率與焊接質(zhì)量。作為TRINNO的合作代理商,浮思特科技...
不同封裝形式的IGBT模塊在熱性能上的差異主要體現(xiàn)在散熱路徑設(shè)計(jì)、材料導(dǎo)熱性、熱阻分布及溫度均勻性等方面。以下結(jié)合技術(shù)原理和應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行系統(tǒng)分析。
?TPS65563A 集成式閃光燈充電器和IGBT驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該TPS65563A為充電光電閃光燈電容器和帶有絕緣柵雙極傳輸 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)器的閃光氙管提供了完整的解決方案。該器件具有集成基準(zhǔn)電壓源、電源開關(guān) ...
2025-09-03 標(biāo)簽:電容器驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.3k 0
高性能隔離式DC/DC電源模塊UCC14240-Q1技術(shù)解析
Texas Instruments UCC14240-Q1穩(wěn)壓汽車直流-直流模塊是一款高隔離電壓 (3kV ~RMS~ ) 直流/直流模塊,設(shè)計(jì)用于為I...
薄膜電容器助力SiC和IGBT技術(shù)高速推進(jìn):永銘電容應(yīng)用方案
近年來(lái),光儲(chǔ)充和電動(dòng)汽車(EV)等新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,導(dǎo)致了直流支撐(DC-Link)電容需求的急劇增長(zhǎng)。簡(jiǎn)而言之,DC-Link電容在電路中扮演著至...
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