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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
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車規(guī)功率半導體被玩家壟斷,2023年看不到供需緩解跡象
功率器件品類眾多,其中車規(guī)功率器件量價齊升市場規(guī)模已超過1000億元
功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...
賽米控近期完成了基于成熟大功率三電平IGBT模塊并聯(lián)的功率模組參考設計與測試驗證。本文將詳細的介紹這款設計。
特別是對于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動器IC必須將開關和傳導損耗(包括導通和關斷能量)降至最低。
功率循環(huán)試驗中最重要的是準確在線測量結(jié)溫,直接影響試驗結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義。基于通態(tài)特性的電學參...
SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管
『集成電路IC』,指采用半導體制備工藝,把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
三電系統(tǒng),即動力電池(簡稱電池)、驅(qū)動電機(簡稱電機)、電機控制器(簡稱電控),也被人們成為三大件,加起來約占新能源車總成本的70%以上,是決定整車運動...
新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng)中的IGBT模塊技術(shù)解讀
要弄明白IGBT模塊,就要先了解新能源汽車的電驅(qū)系統(tǒng),先用一句話概括電驅(qū)系統(tǒng)如何工作:在駕駛新能源汽車時,電機控制器把動力電池放出的直流電(DC)變?yōu)榻?..
2023-02-02 標簽:新能源汽車IGBT電驅(qū)系統(tǒng) 3.3k 0
功率半導體器件也被稱作電力電子器件或功率器件,它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關。在計算機、通信、消費電子、新能源、汽車...
Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅(qū)動模塊
設計多電飛機(MEA)的飛機制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動,以減輕重量和設計復雜性。
2023-02-02 標簽:MOSFET控制系統(tǒng)IGBT 1.3k 0
瑞薩電子推出推出一款全新柵極驅(qū)動IC—RAJ2930004AGM
柵極驅(qū)動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。
與大多數(shù)功率半導體相比,IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二...
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