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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

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安世IGBT模塊賦能馬達驅動應用

近年來，我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高，但能耗比卻居高不下，高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸，為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目，變頻調速技術已越來越...

2024-07-02 標簽：變頻器仿真 IGBT 914 0

Vishay 改良設計的 INT-A-PAK 封裝 IGBT 功率模塊

Vishay推出五款采用改良設計的INT-A-PAK封裝新型半橋IGBT功率模塊。新型器件由VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、...

2024-06-29 標簽：Vishay 封裝 IGBT 1k 0

人工智能架構將推動未來硅基IGBT和碳化硅材料的改進

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2024-06-25 標簽：IGBT 人工智能硅基 1.8k 0

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2024-06-24 標簽：IGBT 光伏發(fā)電太陽能逆變器 1.3k 0

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2024-06-20 標簽：二極管 IGBT 額定電壓 1.5k 0

招生通知｜IGBT基礎培訓班

對于每一位從事電力電子技術的工程師來說，功率半導體，包括二極管和三極管，雖然其基本功能看似簡單，但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項極具挑戰(zhàn)性的工作。IGB...

2024-06-19 標簽：三極管二極管電子系統(tǒng) 1.5k 0

V0阻燃等級氮化硼高導熱絕緣片

IGBT是一種晶體管結構，由MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）控制Bipolar雙極晶體管的開關動作。發(fā)熱量巨大的電子器件、芯片、MOSFET...

2024-06-18 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 1.3k 0

全球IGBT企業(yè)TOP 55

中國IGBT發(fā)展的這20年，誕生了許多優(yōu)秀的企業(yè)。除了比亞迪、斯達半導和中車時代電氣，還有擁有國內第一條全內資8英寸專注功率器件晶圓生產(chǎn)線的華潤微；全球...

2024-06-17 標簽：半導體 IGBT 集成電路芯片 5.5k 0

陶瓷燒結厚膜電路：高功率IGBT、高頻、堅固耐用

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安森美推出最新的第 7 代 IGBT 模塊，助力可再生能源應用簡化設計并降低成本

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安森美發(fā)布高功率密度IGBT模塊，助力能源系統(tǒng)優(yōu)化

在智能電源和感知技術領域，美國納斯達克上市的安森美公司（onsemi，股票代碼：ON）再次展現(xiàn)其技術實力。近日，該公司正式發(fā)布了第7代1200VQDua...

2024-06-12 標簽：安森美 IGBT 功率模塊 1.8k 0

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2024-06-08 標簽：逆變器 IGBT SiC 1.0萬 0

極海推出首款GHD3440電機專用柵極驅動器

? 柵極驅動器是低壓控制器和高功電路之間的緩沖電路，用于放大控制器的控制信號，從而實現(xiàn)功率器件更有效的導通和關斷。隨著各種智能電子設備的不斷普及和應用，...

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測量IGBT的門級可以用低壓探頭嗎?

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種集成了MOSFET和雙極型晶體管特性的功率半導體器件。在實際的工程應...

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“聚勢賦能共赴未來”，2024九峰山論壇暨中國國際化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會，已在中國武漢光谷圓滿落下帷幕。此次活動作為化合物半導體產(chǎn)業(yè)領域規(guī)模最大、規(guī)格最...

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