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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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安森美推出第七代IGBT智能功率模塊, 助力降低供暖和制冷能耗
來源:安森美 SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅(qū)動應(yīng)用,能實現(xiàn)更高能效和更佳性能 2月27日,智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(...
江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司(簡稱“芯長征”)正式啟動A股IPO進(jìn)程,并已向證監(jiān)會提交上市輔導(dǎo)備案報告。該公司是一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域具有領(lǐng)先...
2024-02-27 標(biāo)簽:IGBTipo功率半導(dǎo)體 2.9k 0
安森美推出第7代絕緣柵雙極晶體管技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出采用了新的場截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(I...
意法半導(dǎo)體推出功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器
意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
佳恩半導(dǎo)體成功入選青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項目名單!
近日,市民營經(jīng)濟(jì)發(fā)展局公示了青島市2023年度小微企業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)型項目的名單,我司成功入選,同時感謝大家對佳恩半導(dǎo)體的高度認(rèn)可與肯定
江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司(簡稱“芯長征”),一家在新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域享有盛譽的高新技術(shù)企業(yè),近日向證監(jiān)會提交了首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案...
2024-02-26 標(biāo)簽:芯片IGBT功率半導(dǎo)體 3.1k 0
江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司(以下簡稱“芯長征”)近日引起了市場的廣泛關(guān)注。證監(jiān)會已公開披露了關(guān)于該公司首次公開發(fā)行股票并上市的輔導(dǎo)備案報告,這一消...
2024-02-22 標(biāo)簽:封裝IGBT功率半導(dǎo)體 2k 0
功率半導(dǎo)體龍頭芯長征擬A股IPO,已進(jìn)行上市輔導(dǎo)備案
近日,證監(jiān)會披露了關(guān)于江蘇芯長征微電子集團(tuán)股份有限公司(簡稱:芯長征)首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報告。
2024-02-22 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 4.2k 0
廣州新增青藍(lán)半導(dǎo)體SiC模塊產(chǎn)線 全年產(chǎn)量或達(dá)80萬只
新的一年,許多碳化硅企業(yè)紛紛開工,龍騰虎躍開新篇!廣州番禺區(qū)一家SiC模塊企業(yè)也開足馬力忙生產(chǎn),全年產(chǎn)量或達(dá)80萬只。
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時候是不是都要負(fù)電壓的?
GTO、IGBT等電力電子元件關(guān)斷的時候是不是都要負(fù)電壓的? GTO和IGBT是兩種常見的電力電子元件,它們在關(guān)斷過程中確實需要負(fù)電壓。 首先,讓我們了...
什么是絕緣柵雙極型晶體管的開通時間與關(guān)斷時間? 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種主要應(yīng)用于功率電子裝置中的半導(dǎo)體器件,其具有低導(dǎo)通壓降和高關(guān)斷速度等...
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系?
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時間是什么關(guān)系? IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號轉(zhuǎn)換為高電壓、...
近日,據(jù)邗江發(fā)布消息,在維揚經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項目新春集中簽約儀式上,揚州揚杰電子科技股份有限公司副董事長梁瑤信心滿滿地告訴記者,“去年揚杰電子實現(xiàn)開...
什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象?
什么是IGBT的退飽和?為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象? IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點。它在高電壓和高電流應(yīng)用中...
2024-02-19 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 7.6k 0
為什么IGBT的短路耐受時間只有10us?10us又是如何得來的?
為什么IGBT的短路耐受時間只有10us?10us又是如何得來的? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種常用的功率半導(dǎo)體器件,用于控制高功率的電流和電壓...
2024-02-18 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率半導(dǎo)體 3.3k 0
退飽和電路的實現(xiàn)機理是什么樣的?IGBT退飽和過程和保護(hù)
退飽和電路的實現(xiàn)機理是什么樣的?IGBT退飽和過程和保護(hù) 退飽和電路的實現(xiàn)機理是當(dāng)IGBT工作在飽和狀態(tài)時,通過引入一定的電路設(shè)計和調(diào)整,使IGBT在過...
2024-02-18 標(biāo)簽:功率開關(guān)散熱器IGBT 5.1k 0
IGBT和MOSFET在對飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是...
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 4.3k 1
IGBT導(dǎo)通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT導(dǎo)通過程中可能發(fā)生的過流、短路故障一直是電力電子領(lǐng)域研究的熱點問題之一。IGBT 是一種新型的功率半導(dǎo)體器...
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