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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3325個 瀏覽：263397次 帖子：485個

      igbt資訊

      IGBT的工作原理與結構參數(shù)及短路特性

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      IGBT是雙極型三極管和MOS管結合在一起的產(chǎn)物，雙極型三極管具有低頻（10KHz以下）大電流能力，MOSFET具有高頻（100KHz以上）小電流特點。...

      2021-04-13 標簽：MOS管IGBT雙極型三極管 1.2萬 0

      關于IGBT制造流程與模塊結構及老化簡介

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      對于工程設計人員來講，IGBT芯片的性能，可以從規(guī)格書中很直觀地得到。

      2021-04-09 標簽：封裝逆變器IGBT 2.4萬 1

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      從功能上來說，IGBT就是一個由晶體管實現(xiàn)的電路開關。當其導通時，可以承受幾十到幾百安培量級的電流；當其關斷時，可以承受幾百至幾千伏特的電壓。

      2021-04-08 標簽：IGBT晶體管數(shù)字信號 1.2萬 0

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      2021-04-01 標簽：逆變器IGBT 5.1k 0

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      追求巔峰 efans_b69f6b afeng20200928 jf_99582534 jf_35291062 jf_50507575 jf_81865677 jf_69253771 jf_48124471 jf_10001769 jf_42784404 jf_99190008

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