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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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變頻驅(qū)動(dòng)器VFD/ IGBT逆變器的過壓保護(hù)6KV
在所有工業(yè)控制系統(tǒng)中,變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)/逆變器通常安裝在電動(dòng)機(jī)的前端,以調(diào)節(jié)速度并節(jié)省能源。根據(jù)不同的輸入電壓要求,逆變器通常分為低壓(110、22...
用于IGBT浪涌保護(hù)的高壓TVS二極管P6SMB600CA
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)廣泛用于功率逆變器,工業(yè)驅(qū)動(dòng)器,電動(dòng)汽車家用電器的充電器, 電機(jī)控制和感應(yīng)加熱,因?yàn)樗鼈円子谑褂们倚阅芨唠妷汉碗娏黩?qū)動(dòng)能力。...
華大半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首款車規(guī)級(jí)隔離型IGBT柵極驅(qū)動(dòng)芯片
集成豐富的保護(hù)功能:具備軟關(guān)斷、退飽和檢測(cè)(DESAT)、有源米勒電流鉗位、欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)、故障反饋輸出(DESAT & UVLO)等多種保護(hù)功能;
2020-04-29 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)芯片華大半導(dǎo)體 8k 0
士蘭微發(fā)布2019年年報(bào),IGBT和IPM產(chǎn)品同比增速40%
報(bào)告期內(nèi),公司研發(fā)項(xiàng)目主要圍繞電源管理產(chǎn)品平臺(tái)、功率半導(dǎo)體器件與模塊技術(shù)、數(shù)字音視頻技術(shù)、射頻/模擬技術(shù),MCU/DSP產(chǎn)品平臺(tái)、MEMS傳感器產(chǎn)品與工...
多芯并聯(lián)封裝IGBT的缺陷以及失效先導(dǎo)的判據(jù)
絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)是由雙極型三極管(Bipolar Junction T...
還記得2018年比亞迪發(fā)布的IGBT4.0技術(shù)嗎?當(dāng)時(shí),比亞迪放言IGBT4.0打破國(guó)外芯片壟斷,開創(chuàng)了“中國(guó)芯”。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”,...
國(guó)內(nèi)IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈自主,打破國(guó)際壟斷局面
2018年12月,比亞迪全資子公司比亞迪微電子發(fā)布了全新一代車規(guī)級(jí)IGBT標(biāo)桿性產(chǎn)品——比亞迪IGBT 4.0。別看IGBT芯片只有“指甲蓋大小”,它卻...
IGBT器件T1通過雙脈沖信號(hào)兩次開通和關(guān)斷。換流的變化率di/dt導(dǎo)通過電阻RGon來調(diào)節(jié)的,VCC是直流母線電壓。
2020-05-02 標(biāo)簽:IGBTIGBT開關(guān) 6.7k 0
IGBT的結(jié)構(gòu)_功率MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)
功率MOSFET和IGBT是做在0.1到1.5平方厘米的芯片上,它的密度是每平方毫米250.000個(gè)單元(50V功率MOS-FET)或者50.000單元...
當(dāng)焊接面很大時(shí),因?yàn)楹附用娴臏囟茸冃蜗禂?shù)不同,所以在溫度變化時(shí),會(huì)產(chǎn)生焊接疲勞,直到脫焊。例如,不能使用這種焊接方法在銅底板上焊接大面積的陶瓷。
有些情況下,IGBT甚至二極管的拖尾電流也有可能發(fā)生振蕩。芯片的內(nèi)部工藝可能激發(fā)LC振蕩(由半導(dǎo)體芯片和上述描述的雜散部分),這種激發(fā)的原理也被作PET...
IGBT關(guān)斷振蕩的參數(shù)_IGBT關(guān)斷振蕩的應(yīng)對(duì)措施
在電壓UCE緩慢上升時(shí),柵極電壓處于密勒平臺(tái),這個(gè)位移電流最初保持穩(wěn)定并有助于維持平臺(tái)電壓恒定。
一文詳解IGBT模塊并聯(lián)動(dòng)態(tài)均流方法
動(dòng)態(tài)工作指電力電子器件的開通和關(guān)斷過程。IGBT的開關(guān)頻率越高,動(dòng)態(tài)均流問題對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的影響就越大。
盡管開關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于緩沖電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開通時(shí)可以等效為電壓控制的電壓源。
IGBT的結(jié)構(gòu)多種多樣,但從縱向結(jié)構(gòu)來看可歸為穿通型,非穿通型。這兩類IGBT的劃分依據(jù)為:臨界擊穿電壓下Pbase-Ndrift結(jié)耗盡層的擴(kuò)展是否穿透...
MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
華虹半導(dǎo)體去年?duì)I收同比增長(zhǎng)0.2%
報(bào)告期內(nèi),華虹半導(dǎo)體產(chǎn)品毛利率為30.3%,較上年度下降3.1個(gè)百分點(diǎn),主要由于產(chǎn)能利用率的下降、人工費(fèi)用、原材料單位成本及折舊成本的上升,部分被平均銷...
IGBT政策支持 國(guó)內(nèi)廠商與國(guó)際巨頭正面競(jìng)爭(zhēng)
IGBT為絕緣柵雙極晶體管,為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件,具有驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等優(yōu)勢(shì)。IGBT是一個(gè)非通即斷的開關(guān),導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。
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