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標(biāo)簽 > mdd
MDD是國內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導(dǎo)體品牌,15年的行業(yè)深耕,一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力,同時(shí)還建立全流程的封裝測試產(chǎn)線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項(xiàng))。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件
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普通二極管的PN結(jié)多采用面接觸型,即P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體間的接觸面積大,具有耐壓高、平均電流大、恢復(fù)時(shí)間長(幾百納秒到幾毫秒)等顯著特點(diǎn)。
LMDDesignPack是10個(gè)本地VCL組件的集合
新的全局組件修改通知功能允許同步DesignPack控件中顯示的內(nèi)容,而控件之間沒有任何鏈接。有用,例如,如果您由設(shè)計(jì)器移動(dòng)一些Vcl控件,則屬性檢查器...
截止?fàn)顟B(tài)近似開關(guān)關(guān)斷,飽和狀態(tài)近似于開關(guān)打開,因此三極管工作在這兩種狀態(tài)時(shí),多應(yīng)用于數(shù)字電路中的電子開關(guān);放大狀態(tài)多應(yīng)用于模擬電路中的電流放大。
MOSFET的低開關(guān)損耗在集成電路中應(yīng)用
MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí),當(dāng)VGS電壓達(dá)到M...
2022-11-28 標(biāo)簽:集成電路MOSFET開關(guān)電源 1.7k 0
功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國產(chǎn)替代加速,華秋和MDD達(dá)成合作
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理 IC 和功率模組三大類。
2022-11-11 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體華秋MDD 1.3k 0
功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國產(chǎn)替代加速,華秋與MDD達(dá)成合作
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費(fèi)、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理 IC 和功率模組三大類。 圖:功率半...
MDD推出的MDD7N65D這款功率MOSFET,采用VDMOS芯片技術(shù),具有高耐壓、驅(qū)動(dòng)功率小、導(dǎo)通電阻低、卓越的開關(guān)特性和電容特性,可滿足應(yīng)用中各種...
隨著PD快充技術(shù)的普及以及氮化鎵快充市場的爆發(fā),消費(fèi)類電源市場對高頻率、高效率、小體積的產(chǎn)品需求量日益提升。而在開發(fā)高頻率快充電源時(shí),找元器件現(xiàn)貨上唯樣...
ESD0506PHL采用DFN4120-10L表面貼片封裝外形,外形尺寸僅為4.1*2.0*0.5mm;符合RoHS、HF和REACH標(biāo)準(zhǔn)。這種小巧纖薄...
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