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標簽 > mdd
MDD是國內少數(shù)采用了“Fabless+封裝測試”模式的半導體品牌,15年的行業(yè)深耕,一直專注于半導體領域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎上,積累了厚實的研發(fā)設計能力,同時還建立全流程的封裝測試產線(涵蓋封裝測試、成品測試等多項)。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質的半導體分立器件
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| 型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
|---|---|---|---|
| SMBJ10CA-T3 | 極性:雙向;反向截止電壓(Vrwm):10V;擊穿電壓:11.1V;最大鉗位電壓:17V; |
獲取價格
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| SMBJ170CA-T3 | 極性:雙向;反向截止電壓(Vrwm):170V;擊穿電壓:189V;最大鉗位電壓:275V; |
獲取價格
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| DB157S--Tube | 直流反向耐壓(Vr):1kV;平均整流電流(Io):1.5A;正向壓降(Vf):1.1V@1.5A;反向電流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌電流(Ifsm):50A;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
|
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| LB6S | 直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):800mA;正向壓降(Vf):1V@400mA;反向電流(Ir):5uA@600V;正向浪涌電流(Ifsm):30A;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
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|
| SL1045U | 直流反向耐壓(Vr):45V;平均整流電流(Io):10A;正向壓降(Vf):460mV@10A; |
獲取價格
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| SF56(OJ) |
獲取價格
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||
| RS2G-SMBG | 正向壓降(Vf):1.3V @ 2A;直流反向耐壓(Vr):400V;平均整流電流(Io):2A;反向恢復時間(trr):150ns;二極管配置:-; |
獲取價格
|
|
| ES2JB 框架 | 二極管配置:獨立式;直流反向耐壓(Vr):600V;平均整流電流(Io):2A;正向壓降(Vf):1.7V@2A;反向電流(Ir):5μA@600V;反向恢復時間(trr):35ns;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj); |
獲取價格
|
|
| SMF300CA |
獲取價格
|
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| S2MW |
獲取價格
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| MBRD10100 | TO-252塑料封裝肖特基二極管 |
獲取價格
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| MURD1060D | TO-252塑料封裝超高速恢復二極管 |
獲取價格
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| MURD1020D | TO-252塑料封裝超快恢復整流二極管 |
獲取價格
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| MURD1040D | TO-252塑料封裝超快恢復整流二極管 |
獲取價格
|
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| MDD50P02Q | 20V P通道增強模式MOSFET |
獲取價格
|
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| MBRD20100 | TO-252塑料封裝肖特基二極管 |
獲取價格
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| 74LVC1G58GV | 通用邏輯門芯片 SOT23-6 |
獲取價格
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|
| MDDG03R04Q | 30V N通道增強模式MOSFET |
獲取價格
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|
| SS520C | 電壓:200V 電流:5A |
獲取價格
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| M4 GPP | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):400V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.1V@1A;反向電流(Ir):5uA@400V; |
獲取價格
|
|
| M2 GPP | 二極管配置:-;直流反向耐壓(Vr):100V;平均整流電流(Io):1A;正向壓降(Vf):1.1V@1A;反向電流(Ir):5uA@100V; |
獲取價格
|
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| M6 |
獲取價格
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| M5 |
獲取價格
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| M3 |
獲取價格
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| BAV19WS |
獲取價格
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| BAV20WS |
獲取價格
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| BAV19W |
獲取價格
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||
| BAV20W |
獲取價格
|
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| B5818WS |
獲取價格
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||
| B5817W-SJ |
獲取價格
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