7種MOS管柵極驅動電路

首先說一下電源IC直接驅動，下圖是我們最常用的直接驅動方式，在這類方式中，我們由于驅動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優(yōu)化...

2023-04-28 標簽：MOSFETMOS管柵極 1.2萬 0

溝道反型層閾值電壓Vth介紹

如圖，電流分擴散電流和漂移電流，工作時的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴散電流的成分。

2023-05-30 標簽：電容器MOSFET場效應管 1.2萬 0

高速光耦隔離H橋之痛！

大家可以參考這個電路的原理，但是實際上這樣的電路由于結構復雜，非常不適合實際使用，同時由于放大器也具有可觀的延遲，所以最終還是破壞了我們得到高速隔離mo...

2019-02-04 標簽：電路MOS管光耦 1.2萬 0

關于MOS管、IGBT米勒平臺的分析

米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標簽：MOS管IGBT驅動電流 1.2萬 0

CDM防護措施以及設計思路

前幾期曾經(jīng)講過，對封裝后的芯片進行CDM測試，大量非平衡載流子會通過金線集聚到封裝框架中。所以封裝也是影響CDM的關鍵因素之一，恰宜的封裝能大幅度提升芯...

2023-05-16 標簽：二極管ESDMOS管 1.2萬 0

MOS管的概念、結構及原理

MOS管也就是常說的MOSFET。 MOSFET全稱是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...

2023-03-23 標簽：MOSFET場效應管MOS管 1.2萬 0

MOS管的種類、結構及導通特性詳解

一般情況下，普遍用于高端驅動的MOS，導通時需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比...

2023-08-02 標簽：MOSFETMOS管晶體管 1.2萬 0

增強型MOS管的結構及工作原理

通常將柵極與襯底連接在一起，這樣襯底與柵極之間就形成電容，當柵極與源極之間電壓變化時，將改變襯底靠近絕緣層出的感應電荷的多少，從而控制漏極電流大小。

2023-02-13 標簽：半導體MOS管MOS 1.2萬 0

IGBT中米勒效應的影響和處理方法

之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺

2023-05-25 標簽：三極管MOSFETMOS管 1.2萬 0

大功率鋰電池組BMS(電池管理系統(tǒng))保護板電路介紹

電池管理系統(tǒng)(BMS)是電力巡檢機器人、電動汽車、大型無人遙控車等系統(tǒng)的中一個越來越重要的關鍵部分,我國在這方面的研究正在逐步加強。 現(xiàn)有的設計方法是采...

2023-04-12 標簽：MOS管運放電池管理系統(tǒng) 1.2萬 0

針對MOS管寄生參數(shù)振蕩損壞電路仿真模擬方案

通過對PFC MOS管進行測試和深入分析發(fā)現(xiàn)，MOS管的寄生參數(shù)對振蕩起著關鍵作用。

2021-02-07 標簽：振蕩器MOS管PFC 1.2萬 0

耗盡模式和增強模式MOS管是什么？有什么區(qū)別？

耗盡型 MOSFET 類似于開路開關。在此模式下，施加柵極到源極電壓 （VGS） 以關閉器件。當柵極電壓為負時，正電荷會在通道中累積。這會導致溝道中的耗...

2023-02-19 標簽：MOSFETMOS管 1.1萬 0