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標簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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文章主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識，例如：mos管工作原理、mos管封裝等知識。
通常情況下直流電源輸入防反接保護電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺崿F(xiàn)防反接保護。如下圖1所示。
前幾期曾經(jīng)講過，對封裝后的芯片進行CDM測試，大量非平衡載流子會通過金線集聚到封裝框架中。所以封裝也是影響CDM的關(guān)鍵因素之一，恰宜的封裝能大幅度提升芯...
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 標簽：開關(guān)電路MOS管漏極 2.6k 0
mos管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導率。發(fā)明mos管是為了克服 FET 中存在的缺點，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以...
LM2675電源芯片的內(nèi)部設(shè)計原理和結(jié)構(gòu)
類似于板級電路設(shè)計的基準電源，芯片內(nèi)部基準電壓為芯片其他電路提供穩(wěn)定的參考電壓。這個基準電壓要求高精度、穩(wěn)定性好、溫漂小。
電池管理系統(tǒng)的幾個硬件設(shè)計關(guān)鍵點
電池管理系統(tǒng)（Battery Management System，BMS）的作用是智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過放和過充，延長電池的使用壽命
2023-05-15 標簽：NTCMOS管電池管理系統(tǒng) 4.4k 0
三種基本運算（與、或、非），復合邏輯計算（與非、或非、與或非、異或、同或），邏輯代數(shù)的基本公式和常用公式，邏輯代數(shù)的基本定理（帶入定理、反演定理、對偶定...
離子注入是一種向襯底中引入可控制數(shù)量的雜質(zhì)，以改變其電學性能的方法。它是一個物理過程，不發(fā)生化學反應。
了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)...
MOS管因為其導通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應用在開關(guān)電源上。而用好一個MOS管，其驅(qū)動電路的設(shè)計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動電路。
2023-05-12 標簽：開關(guān)電源電路設(shè)計MOS管 4.1k 0
根據(jù)電容公式，i=C*du/dt，得知du/dt=i/C，故電容兩端電壓從0升到VDD時，取決于電流和電容的比值。容值一定時，電流越大，電壓上升越快；電...
I2C總線是微電子通信控制領(lǐng)域中常用的一種總線標準，具備接線少，控制簡單，速率高等優(yōu)點。在I2C電路中常見的上拉電阻有1k、1.5k、2.2k、4.7k...
POE以太網(wǎng)供電技術(shù)的發(fā)展勢頭十分強勁，這一技術(shù)可簡化用電設(shè)備的安裝和部署，省去了需要設(shè)置獨立輸電的專用線。現(xiàn)如今，POE以太網(wǎng)供電技術(shù)應用十分廣泛，在...
當器件內(nèi)部，載流子在不連續(xù)的材料上移動時，會隨機的遭遇到捕獲和釋放，進而產(chǎn)生閃爍噪聲。
介紹一種國產(chǎn)車規(guī)級霍爾電流傳感器應用案例
國產(chǎn)車規(guī)級霍爾電流傳感器CH704是為50A以上大電流檢測應用開發(fā)的隔離集成式電流傳感芯片，具有高精度、增強絕緣耐壓、高可靠性、低功耗等優(yōu)點。
MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程(由截止到導通的過渡過程)、導通狀態(tài)、關(guān)斷過程(由導通到截止的過渡過程)、截止狀態(tài)。MOS主要損耗也對應這幾個狀...
描述：采用二極管進行保護，電路簡單，成本低，占用空間少，但是二極管PN結(jié)在導通時，會存在一定的壓降，一般在0.5V左右（主要根據(jù)選型的二極管參數(shù)決定）
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