mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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電源pcb設(shè)計(jì)指南分享

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干貨 | 功率MOS管燒毀，我們幫你總結(jié)出了這些原因

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2023-04-24 標(biāo)簽：二極管 MOS管功率 2.1k 0

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運(yùn)算放大器輸出震蕩的原因和防震方法

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2023-04-21 標(biāo)簽：線圈運(yùn)算放大器 MOS管 2.2萬(wàn) 0

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2023-04-19 標(biāo)簽：開關(guān)BUCK MOS管 2.1萬(wàn) 0

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2023-04-18 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管過(guò)電壓 4k 0

充電樁充電模塊常見結(jié)構(gòu)、原理以及市場(chǎng)調(diào)研

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2023-04-17 標(biāo)簽：穩(wěn)壓二極管 MOS管 RC 5.5k 0

MOS管的米勒效應(yīng)：如何平衡抑制米勒效應(yīng)和抑制EMI風(fēng)險(xiǎn)的關(guān)系

關(guān)于MOS管的米勒效應(yīng)，已經(jīng)輸出了8篇，今天這一篇是MOS管章節(jié)的最后一篇，下一篇就開始整理運(yùn)放相關(guān)的內(nèi)容。我個(gè)人認(rèn)為今天聊的這個(gè)話題至關(guān)重要：抑制米勒...

2023-04-17 標(biāo)簽：emi MOS管運(yùn)放 10k 0

使用萬(wàn)用表測(cè)量MOS管的好壞

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開關(guān)電源MOS管損耗?

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2023-04-12 標(biāo)簽：MOS管運(yùn)放電池管理系統(tǒng) 1.2萬(wàn) 0

MOS管原理、選型及應(yīng)用

使用時(shí)，要特別注意內(nèi)部保護(hù)二極管。例如，電源接反時(shí)，源級(jí)S接到了電源正極，此時(shí)通過(guò)內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通，如果電源輸入沒有反接保護(hù)，NOMS管有可能燒毀。

2023-04-12 標(biāo)簽：二極管 MOS管正極 4.4k 0

MOS管米勒效應(yīng)：感性負(fù)載和阻性負(fù)載差異點(diǎn)解析

通過(guò)AM1波形，我們能看到二極管上有電流流過(guò)（一部分的電感電流，續(xù)流），二極管處于正偏狀態(tài)。

2023-04-11 標(biāo)簽：二極管 MOS管漏極電流 4.2k 1

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GPIO是通用輸入/輸出端口的簡(jiǎn)稱，是STM32可控制的引腳。GPIO的引腳與外部硬件設(shè)備連接，可實(shí)現(xiàn)與外部通訊、控制外部硬件或者采集外部硬件數(shù)據(jù)的功能。

2023-04-11 標(biāo)簽：寄存器 MOS管 STM32 2.5k 2

淺談Mos損壞主要原因和Mos開關(guān)原理

os是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。

2023-04-08 標(biāo)簽：MOS管 MOS開關(guān)管 3.7k 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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