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MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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mos技術(shù)

合適的比例，讓效率曲線更加優(yōu)美

今天我們就為大家分享——在電源設計過程中，如何恰當選擇上下 MOS 管的比例來提高電源的工作效率。 MOS 選擇的困惑如何選擇合適的 MOS 管內(nèi)阻值...

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輸入/輸出阻抗的計算方法

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FinFET工藝之self-heating概念介紹

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MOS結(jié)電容（下）MOS的結(jié)電容應用特性分解

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MDD | MOS管和三極管的電源開關電路，NPN 與 PMOS 管組合并非唯一CP

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MOS管防反接電路

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一文詳解二極管在ESD防護中的應用

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2023-12-04 標簽：串聯(lián)電阻二極管 ESD 5.1k 0

淺談半導體材料的特性

硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過程中，硅原子伸展到與SI/Ge原子對齊，使硅層染色。電學效應可以降低硅的電阻，可以使電子移動的速度快了70...

2023-12-03 標簽：半導體晶體管 MOS 1.6k 0

國產(chǎn)化顯示器接口芯片：Type-C接口臺式顯示器方案

LDR6020P 是帶有 3 組 6 路 DRP USB-C通道（不需要另外像其他家方案需通過外圍去切換CC通道）及 PD 通信協(xié)議處理模塊和 USB...

2023-12-02 標簽：顯示器通信協(xié)議顯示屏 1.7k 0

IGBT的關斷瞬態(tài)分析—電荷存儲初始值

在穩(wěn)態(tài)部分的分析中，我們詳細地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構(gòu)成部分與多余載流子濃度分布之間的關系，即一維空間的物理關系。

2023-12-01 標簽：IGBT MOS BJT 1.4k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（3）

在《IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型》中，我們將IGBT內(nèi)部PIN結(jié)切分成了PIN1和PIN2（見上一節(jié)插圖），因為PIN1與溝槽所構(gòu)成的MOS串聯(lián)

2023-12-01 標簽：IGBT MOS PN結(jié) 1.7k 0

IGBT穩(wěn)態(tài)分析—電流與電荷分布的初步分析（2）

上一章我們對IGBT穩(wěn)態(tài)的分析中，在IGBT的大注入條件下，電子和空穴的運動相互影響，這個影響關系需要用雙極性擴散系數(shù)來描述。

2023-12-01 標簽：IGBT MOS BJT 1.6k 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（2）

上一章講到了IGBT的飽和電流，與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關系，這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。

2023-12-01 標簽：IGBT MOS BJT 1.6k 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型（1）

在前面關于PIN&MOS模型分析中，特別強調(diào)了這個模型所存在的一個短板，即所有電流都通過MOS溝道，實際上只有電子電流通過MOS溝道，而空穴電流...

2023-12-01 標簽：IGBT 晶體管 MOS 2.8k 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（3）

這里需要注意的是，載流子電流為零并不意味著載流子濃度為零，反之亦然。對于PIN1結(jié)構(gòu)，因為陽極和陰極的多子濃度遠大于少子濃度，所以可以忽略少子電流；

2023-12-01 標簽：IGBT MOS PN結(jié) 1.9k 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（2）

上一節(jié)的分析中，僅考慮了PIN1，而未考慮PIN2。PIN1與MOS結(jié)構(gòu)相連接，而PIN2則與基區(qū)相連接。

2023-11-30 標簽：IGBT MOS 載流子 2k 0

IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型（1）

分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單

2023-11-30 標簽：二極管 IGBT MOS 3.9k 0

四種半導體器件基本結(jié)構(gòu)

按施敏教授的觀點，半導體器件有四個最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由...

2023-11-30 標簽：MOSFET 半導體 MOS 5.8k 0

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(2)

MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié)，就構(gòu)成一個MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時半導體表面不是反型的，此時由于PN結(jié)的反向截止效果，源漏之間不會導通。...

2023-11-30 標簽：MOSFET 半導體晶體管 3.2k 0

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(1)

金屬-絕緣體（氧化層）-半導體構(gòu)成MOS結(jié)構(gòu)，金屬作為柵極，當柵極零偏時，理想情況下半導體能帶是平的，意味著半導體內(nèi)沒有凈電荷存在。

2023-11-30 標簽：MOSFET 半導體 MOS 9.5k 0

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