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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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ZK100G08P應(yīng)用全景:TO-220封裝與SGT工藝驅(qū)動多場景功率控制升級
在功率電子領(lǐng)域,“適配性”與“可靠性”是器件立足市場的核心。中科微電推出的ZK100G08PN溝道MOSFET,以100V耐壓、88A連續(xù)漏極電流為性能...
2025-10-21 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 583 0
ZK150G002B:SGT工藝賦能的中壓大電流MOSFET技術(shù)解析
在60V-200V中壓功率控制場景中,如工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、新能源儲能、大功率電源等領(lǐng)域,對MOSFET的電流承載能力、導(dǎo)通損耗與封裝適配性提出了嚴(yán)苛要求。中...
2025-11-04 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS 582 0
選型手冊:MOT5N50C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借500V耐壓、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛...
ZK60G120T:SGT+小型化封裝,60V/120A功率控制的破局者
ZK60G120T以60V額定電壓、120A額定電流的硬核性能為基底,融合屏蔽柵(SGT)核心技術(shù)與PDFN5x6-8L超薄封裝,構(gòu)建起“高性能+小體積...
2025-10-31 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 570 0
選型手冊:MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力...
選型手冊:VS6614GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS6614GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...
2025-12-17 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 558 0
ZK60G120T:SGT+PDFN封裝,60V/120A功率器件的小型化革命
在消費電子快充、車載電源、工業(yè)伺服驅(qū)動等中低壓大電流場景中,功率器件正面臨“大電流承載”與“小型化設(shè)計”的雙重訴求。ZK60G120T這款N溝道MOSF...
2025-10-31 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 558 0
中科微電ZK30N140T:Trench工藝加持的低壓大電流MOS管新標(biāo)桿
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,中科微電憑借多年技術(shù)積淀,持續(xù)推出契合市場需求的核心器件。針對低壓大電流場景中“功率與體積難兼顧、效率與成本難平衡”的行業(yè)痛點,中科微...
2025-10-31 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 556 0
MOT (仁懋) MOT4160G 技術(shù)全解析:41.6kΩ 精密網(wǎng)絡(luò)電阻的工業(yè)級信號處理方案
在工業(yè)自動化控制、精密儀器儀表等對電阻精度與穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛的場景中,網(wǎng)絡(luò)電阻的阻值一致性、溫度特性及抗干擾能力直接決定電路信號處理的準(zhǔn)確性。MOT(仁懋...
ZK40N100G:PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標(biāo)桿
在中低壓功率電子系統(tǒng)的設(shè)計中,MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現(xiàn),是決定產(chǎn)品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管,以...
2025-11-05 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 556 0
選型手冊:VS3618AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性,適...
MDD MOS導(dǎo)通電阻對BMS系統(tǒng)效率與精度的影響
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件,其導(dǎo)通電阻(RDS(on))參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的...
雙向控制賦能低壓場景:中科微電ZK4030DS MOS管技術(shù)解析與應(yīng)用探索
一、參數(shù)解構(gòu):N+P雙溝道的性能優(yōu)勢在低壓功率電子領(lǐng)域,對器件雙向電流控制能力、電壓適配性及能效的要求日益嚴(yán)苛,中科微電ZK4030DS作為一款N+P溝...
2025-10-28 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 552 0
淺談辰達(dá)MOSFET在USB PD快充電源中的應(yīng)用挑戰(zhàn)與應(yīng)對
在USBPD快充電源設(shè)計中,MOSFET作為功率控制與轉(zhuǎn)換的核心器件,發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進(jìn),對MOSFET的性能提...
選型手冊:VS40200ATD 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200ATD是一款面向40V低壓超大電流場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用TO-263封裝,適...
2025-12-17 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 549 0
SGT工藝加持下的高效功率器件:中科微電ZK150G09T MOS管全面解讀
隨著電子設(shè)備向高功率、小型化、高效能方向快速迭代,功率MOS管作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件,其性能表現(xiàn)直接決定了整機(jī)的運行效率與可靠性。在中高壓、中大功...
2025-10-28 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 547 0
新潔能NCE6020AQ高效能N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET解析與應(yīng)用
新潔能(NCE)推出的NCE6020AQ是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET。該器件在低柵極電荷條件下實現(xiàn)了優(yōu)異的導(dǎo)通電阻特性,適用于多...
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