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      標(biāo)簽　>　mos

      mos

      mos

      +關(guān)注32人關(guān)注

      MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

      文章：1247個 瀏覽：100875次 帖子：215個

      mos資訊

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      2022-12-27 標(biāo)簽：電動車MOS管MOS 2k 0

      使用場效應(yīng)管時的注意事項

      場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，而晶體管是既利用多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，由于少數(shù)載流子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大...

      2022-12-09 標(biāo)簽：場效應(yīng)管晶體管MOS 2.7k 0

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      產(chǎn)品描述 AP5174 是一款效率高，穩(wěn)定可靠的 LED 燈恒流驅(qū)動控制芯片，內(nèi)置高精度比較器，固定關(guān)斷時間控制電路，恒流驅(qū)動電路等，特別適合大功率 L...

      2022-12-07 標(biāo)簽：ICMOS 817 0

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      DW03D 單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池保護IC 內(nèi)置MOS

      概述 DW03D產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護的高集成度解決方案。DW03D包括了先進的功率MOSFET，高精度的電壓檢測電路和延時電路。 ...

      2022-12-05 標(biāo)簽：鋰電池MOSFETMOS 2.5k 0

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      Rdson一致性好，可以有效控制損耗，降低溫升 ? EAS穩(wěn)定，滿足鋰電池短路和大電流沖擊 ? Vth一致性好，支持BMS應(yīng)用中多顆并聯(lián)使用 ? 廣泛應(yīng)...

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      嵌入式源漏選擇性外延（Embedded Source and Drain Selective Epitaxy）

      源漏選擇性外延一般采用氮化硅或二氧化硅作為硬掩模遮蔽層，利用刻蝕氣體抑制遮蔽層上的外延生長，僅在曝露出硅的源漏極區(qū)域?qū)崿F(xiàn)外延生長。

      2022-11-29 標(biāo)簽：嵌入式晶體管MOS 5.1k 0

      AP5103 內(nèi)置 MOS 降壓型大功率 LED 恒流驅(qū)動器

      AP5103 內(nèi)置 MOS 降壓型大功率 LED 恒流驅(qū)動器

      恒流IC,電源IC,電子IC,驅(qū)動IC，MOS管和降壓IC,升壓IC產(chǎn)品

      2022-11-25 標(biāo)簽：led驅(qū)動器MOS 1.9k 0

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      ①在MOS開關(guān)過程中，如果柵極電阻較小，發(fā)生了柵極電壓震蕩，多半是因為MOS源極寄生電感太大導(dǎo)致。根據(jù)U=L*di/dt，我們可以知道，柵極電阻小，開通...

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      • Nexperia
        Nexperia
        +關(guān)注
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        光立方
        +關(guān)注
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