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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰與抑制方法分析（上）

高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動電壓產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-18 標簽：MOSFET emc 電磁干擾 7.8k 1

ADP1821降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器電路圖

這是 ADP1821 降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器電路。

2023-12-16 標簽：電路圖轉(zhuǎn)換器 MOSFET 3.3k 0

MOS結(jié)構(gòu)和MOSFET反型層電荷的來源

我們知道，MOS結(jié)構(gòu)的CV曲線是跟頻率相關(guān)的，高頻和低頻曲線長這樣，但是用MOS管是測不出來高頻曲線的，只能測出低頻曲線，為什么呢，下面來簡單盤一盤。

2023-12-16 標簽：MOSFET MOS管 PN結(jié) 7.8k 0

15W適配器電源IC U6203D概述

選購適配器電源IC和電池充電器IC時，應考慮品牌及生產(chǎn)商的規(guī)模、信譽、售后服務。具備正規(guī)資質(zhì)、品質(zhì)優(yōu)良且有較好的售后服務

2023-12-15 標簽：MOSFET 電池充電器適配器 1.5k 0

mosfet和igbt相比具有什么特點

MOSFET (金屬氧化物半導體場效應晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導體器件。它們在不同的應用場景中具有不同的特點和優(yōu)...

2023-12-15 標簽：MOSFET IGBT 場效應晶體管 2.7k 0

MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些？如何區(qū)分是什么原因失效的？

MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件，其主要功能是控制電流的流動。

2023-12-15 標簽：MOSFET 場效應晶體管 EOS 1.3萬 0

SiC功率器件中的失效機制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應用于電力電子轉(zhuǎn)換半導體 (PECS) 應用，例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...

2023-12-15 標簽：MOSFET 半導體肖特基二極管 7.9k 0

半導體芯片究竟是如何發(fā)展起來的？又是如何工作的？

1883年，著名發(fā)明家托馬斯·愛迪生（Thomas Edison）在一次實驗中，觀察到一種奇怪現(xiàn)象。

2023-12-15 標簽：CMOS MOSFET 電磁波 3.8k 0

基于PN8360電源IC的5V/2.4A電源應用方案

PN8360電源IC 5V/2.4A電路描述 1、PN8360電路圖中R7、R8和R9為反饋分壓電阻，C5起到環(huán)路補償?shù)淖饔谩? 2、C1、D...

2023-12-14 標簽：原理圖電路圖 MOSFET 2.2k 0

PCB常用工藝總結(jié)

中度損耗的比較常用的比如Megtron4（松下）,TU872LK（臺耀）。這需要跟廠家明確你需要用M4還是TU872，因為一來他們雖然是同一級別的板材，...

2023-12-14 標簽：pcb MOSFET 焊盤 1.4k 0

SiC功率器件輻照效應研究進展概述

隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展，作為傳統(tǒng)半導體材料的硅（Si）與砷化鎵（GaAs）在半導體器件中表現(xiàn)出的電學性能已逐漸接近其理論極限。

2023-12-13 標簽：新能源汽車 MOSFET 功率器件 7.5k 0

淺談SiC MOSFET芯片的短路能力

SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數(shù)在數(shù)據(jù)手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：shor...

2023-12-13 標簽：芯片 MOSFET IGBT 5.6k 0

碳化硅的5大優(yōu)勢

碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。

2023-12-12 標簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 2.9k 0

MOSFET參數(shù)的理解

EAS 表示單脈沖雪崩擊穿能量，如果電壓過沖值(通常由于漏電流和雜散電感造成)未超過擊穿電壓，則器件不會發(fā)生雪崩擊穿，因此也就不需要消散雪崩擊穿的能力...

2023-12-11 標簽：MOSFET 半導體無刷電機 5.7k 0

MOSFET和IGBT設計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路設計指南

驅(qū)動電路和以兩個輸入電壓作為擺幅的偏置電路，都與器件的源極軌連。但是，驅(qū)動電路和它的浮動偏置可以通過低壓電路實現(xiàn)，因為輸入電壓不會作用到這些電路上。

2023-12-11 標簽：MOSFET IGBT 驅(qū)動電路 2.2k 0

開關(guān)電源芯片U6217定位準確快速有效

越來越多的游戲愛好者喜歡玩一些格斗游戲，既能享受到游戲帶來的樂趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來搭配游戲體驗。

2023-12-08 標簽：MOSFET 充電器 OTP 1.8k 0

開關(guān)電源芯片U6217概述及主要特點

越來越多的游戲愛好者喜歡玩一些格斗游戲，既能享受到游戲帶來的樂趣還能緩解身體疲勞。這自然少不了一款好的游戲手柄來搭配游戲體驗。國內(nèi)躋身游戲外設電子產(chǎn)品賽...

2023-12-07 標簽：MOSFET 適配器電源芯片 1.3k 0

IGBT儲能應用價值及優(yōu)勢分析

儲能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個環(huán)節(jié)。兩種方案，光儲一體以及單獨儲能系統(tǒng)。獨立的儲能系統(tǒng)，功率半導體器件的用量是...

2023-12-07 標簽：三極管 MOSFET 場效應管 1.5k 0

模擬IC布局自動化設計方案

單擊第一個自動生成的布局將顯示"動畫預覽"對話框，其中顯示以下窗口：層次結(jié)構(gòu)、原理圖、布局、結(jié)果和約束。"布局"...

2023-12-07 標簽：集成電路原理圖 MOSFET 911 0

碳化硅MOSFET在數(shù)據(jù)中心能源管理中的應用

數(shù)據(jù)中心通常依靠高頻功率轉(zhuǎn)換來有效地分配和管理電力，而SiC MOSFET具有低開關(guān)損耗和快速開關(guān)速度，可實現(xiàn)高頻操作。

2023-12-06 標簽：MOSFET 電源轉(zhuǎn)換器不間斷電源 1.7k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡環(huán)境的現(xiàn)場總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設備中，尤其是一些應用環(huán)境比較惡劣的場合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號和開關(guān)量信號的傳輸。另一個重要原因是保護器件（或人）免受高電壓的危害。本文詳細介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點，選型及應用，各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計算機市場行情；制定計算機組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設備，并能合理配置、安裝計算機和外圍設備；安裝和配置計算機軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設備；清晰描述出現(xiàn)的計算機軟硬件故障。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡通信標準的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應用的重要組成部分。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。

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