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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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利用MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)與負載電阻配對來提供脈沖電流
當(dāng)一系列環(huán)境和電路設(shè)計變量影響輸出時,就很難確定具有負反饋電路的穩(wěn)定性。任何計算錯誤都會成為怪異電路行為(如振蕩和振鈴)的溫床。
SPWM發(fā)生器的實現(xiàn)基于Dialog半導(dǎo)體公司的SLG46826V,它是一種可配置的混合信號IC(CMIC),其中包含F(xiàn)SM數(shù)字計數(shù)器、高速模擬比較器和...
這個要看生產(chǎn)制造的工藝,現(xiàn)在在一些制造比較好的工廠,對于高密度的產(chǎn)品是非常常見的,這就叫VIP via(Via in Pad),好處有:出線距離短,節(jié)省...
2018-06-03 標簽:PCBMOSFETPCB設(shè)計 1.3萬 0
歡迎來到電源設(shè)計小秘笈! 隨著現(xiàn)在對更高效、 更低成本電源解決方案需求的強調(diào),本文就各種電源管理課題提出一些對您有幫助的小技巧。無論您是從事電源業(yè)務(wù)多年...
2014-09-23 標簽:MOSFET開關(guān)電源 1.3萬 0
逆變器,作為一種將直流電(DC)轉(zhuǎn)化為交流電(AC)的重要設(shè)備,在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中占據(jù)了不可或缺的地位。其應(yīng)用范圍廣泛,從家庭電器到工業(yè)設(shè)備,從電動汽...
2024-05-12 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 1.3萬 0
Flyback主電路中哪些元器件需要我們設(shè)計?電源用什么拓撲結(jié)構(gòu)?
MOSFET關(guān)斷時,當(dāng)Vds超過RCD緩沖電路中的電容兩端的電壓VSN時,緩沖二極管導(dǎo)通.尖峰電流被RCD電路吸收,從而削減了尖峰電流. 緩沖電容一定要...
2018-05-09 標簽:電源MOSFET拓撲結(jié)構(gòu) 1.3萬 1
如何應(yīng)對輸入端負壓 驅(qū)動輸入端負壓尖峰的形成原因
由于開關(guān)電源經(jīng)常需要硬開關(guān)驅(qū)動大功率負載,在硬開關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會對驅(qū)動芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。
深入理解MOSFET規(guī)格書及應(yīng)用設(shè)計
MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升,下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為140度的時候,為20度時候的2倍。
只要是學(xué)過《電力電子技術(shù)》這門課程,接觸過一個名叫“Buck電路”的電力電子拓撲結(jié)構(gòu),如下圖所示。
2023-10-31 標簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 1.3萬 0
介紹MOSFET絕對最大額定值相關(guān)的參數(shù)
VDS是指MOSFET的漏-源極的絕對最大值電壓,在管子工作時,這兩端的電壓應(yīng)力不能超過最大值。在MOSFET選型時,VDS電壓都要降額80%選用。
MOSFET是一種三端器件,其三個電極分別是柵極、漏極和源極。在MOSFET中,柵極可以控制漏極和源極之間的電流流動。
2023-02-28 標簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 1.3萬 0
每個晶體管的兩個p-n結(jié)提供了電荷流動的電子能壘,而晶體管可以通過向溝道上方的柵極施加電壓來導(dǎo)通。
場效應(yīng)管FET(Field Effect Transistor),是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,分為結(jié)型(JFET)和絕緣...
2023-11-17 標簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 1.3萬 0
超級結(jié)MOSFET開關(guān)速度和導(dǎo)通損耗問題
利用仿真技術(shù)驗證了由于源極LSource生成反電動勢VLS,通過MOSFET的電壓并不等于全部的驅(qū)動電壓VDRV。MOSFET導(dǎo)通時3引腳封裝的反電動勢...
SEPIC升降壓DC-DC的工作路徑和關(guān)鍵公式推導(dǎo)
引言:與一個反向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器相類似,一個SEPIC轉(zhuǎn)換器具有一個單個MOSFET (S1) 和一個單個二極管D1 (S2),SEPIC轉(zhuǎn)換器中的MO...
2023-06-07 標簽:二極管轉(zhuǎn)換器MOSFET 1.3萬 0
如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動電路
在本文中,我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路,該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的...
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