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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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在有些電子系統(tǒng)中,需要斷開(kāi)電源線路的連接。例如,可能是切斷電池電壓,以保持電池電量,或者是斷開(kāi)負(fù)載與帶電線路的連接。理想情況下,可以使用機(jī)械開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)這...
2023-06-14 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 3.5k 0
如何有效地比較CMOS開(kāi)關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來(lái)衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)后,源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器...
高效DC/DC轉(zhuǎn)換器從15.3V背板提供兩個(gè)3A輸出
3.3V 直流母線在寬帶網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中廣受歡迎,用于各種較低電壓,為 DSP、ASIC 和 FPGA 供電。這些較低的電壓范圍為1V至2.5V,通常需要高負(fù)...
2023-06-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETasic 1.2k 0
單片驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
本文介紹最新的驅(qū)動(dòng)器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和...
2023-06-14 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器穩(wěn)壓器 4.5k 0
半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱(chēng)為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱(chēng)為單極型三極管,因...
2023-06-13 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 1.6k 0
IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開(kāi)關(guān)器件,是通過(guò)在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功...
近日,中國(guó)科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(IEEE ISPSD)。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小,單個(gè) MOSFET的耗電量...
電子電路中的電流通常必須受到限制。例如,在USB端口中,必須防止電流過(guò)大,以便為電路提供可靠的保護(hù)。同樣,在充電寶中,必須防止電池放電。放電電流過(guò)高會(huì)導(dǎo)...
除了直接對(duì)USB設(shè)備供電,USB電源最有用的功能之一就是對(duì)電池充電。許多便攜設(shè)備,如MP3播放機(jī)、PDA等,都需要與PC機(jī)進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,如果在與PC機(jī)進(jìn)...
引言:上節(jié)(傳送門(mén):CSS-1:?jiǎn)喂?jié)鋰電池保護(hù)解決方案-1)簡(jiǎn)單講解了PCM在充放電過(guò)程中的運(yùn)行過(guò)程,對(duì)于一個(gè)鋰電池組的PCM設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō),不僅僅需要滿足法...
鋰基(Li+)電池在便攜式設(shè)備中變得越來(lái)越普遍。它們具有理想的特性,但往往供不應(yīng)求。交貨時(shí)間可能很長(zhǎng),除非您在電池制造商處具有首選客戶身份。因此,Li+...
2023-06-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電池 1.5k 0
引言:功率MOSFET需要串聯(lián)連接在鋰離子電池組和輸出負(fù)載之間,同時(shí)專(zhuān)用鋰電池保護(hù)IC用于控制MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷,以管理電池的充電和放電。 在諸如...
基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H概述
光伏與儲(chǔ)能是能源電力系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)利用的有效途徑,在推動(dòng)碳達(dá)峰碳中和方面發(fā)揮顯著作用,碳化硅憑借導(dǎo)通電阻低開(kāi)關(guān)損耗小的優(yōu)勢(shì),可有效助力光伏與儲(chǔ)能...
2023-06-12 標(biāo)簽:MOSFET電力系統(tǒng)光伏 1.1k 0
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...
使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案
機(jī)械斷路器損耗小,但速度很慢,且容易磨損。本博文概述如何通過(guò)采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問(wèn)題,并且損耗也會(huì)持續(xù)降低。
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