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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET等開關(guān)器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介...
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。
簡單的PSPICE模型可預(yù)測MAX8546的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)
MAX8546為低成本、寬輸入電壓范圍、降壓型控制器,具有折返電流限制。其 300kHz 開關(guān)頻率非常適合與低成本外部元件(如鐵粉電感器和鋁電解電容器)...
同步整流MOSFET發(fā)燙,首先要從控制MOSFET的信號去分析,主要看信號是否合理,還有是在DCM 還是在CCM發(fā)燙?
半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況
從發(fā)展歷程來看,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展
采用全陶瓷電容器的1.8V/600mA降壓型穩(wěn)壓器
LTC3406、LTC3406-1.5、LTC3406-1.8、LTC3406B、LTC3406B1.5 和 LTC3406B-1.8 是業(yè)界首款單片式...
????? 在開關(guān)電源的組成中,柵極驅(qū)動器作為連接控制級與功率級的橋梁,對系統(tǒng)的正常運行至關(guān)重要。在新能源汽車市場,尤其是關(guān)乎人身安全的車載充電器應(yīng)用中...
2023-03-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器開關(guān)電源 3k 0
目前主流的實現(xiàn)方式是使用絕緣體上硅(Silicon on Insulator)技術(shù)。使用等離子體浸沒注入或者晶圓鍵合技術(shù)制造SOI Wafer,在硅下面...
線性穩(wěn)壓器采用受高增益差分放大器控制的有源(BJT或MOSFET)通流器件(串聯(lián)或并聯(lián))。它將輸出電壓與精密基準(zhǔn)電壓源相比較,并對通流器件進(jìn)行調(diào)整以維持...
2023-03-16 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器差分放大器 968 0
基于他對理解半導(dǎo)體物理學(xué)的理論貢獻(xiàn)和他發(fā)明的結(jié)型晶體管,肖克利與巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年諾貝爾物理學(xué)獎,以表彰“半...
隨著SWITCH的開關(guān),電感L中的電流也是在輸出電流的有效值上下波動的。所以在輸出端也會出現(xiàn)一個與SWITCH同頻率的紋波,一般所說的紋波就是指這個,它...
2023-03-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源晶體管 1.7k 0
LTC3803轉(zhuǎn)換器為電信管理電路提供幾瓦的輸出功率
許多電信應(yīng)用需要一個小型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器可以為內(nèi)務(wù)管理電路提供幾瓦的輸出功率。小尺寸和高效率是任何轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的主要關(guān)注點,因為電信系統(tǒng)板...
2023-03-15 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET變壓器 1.4k 0
非對稱封裝的電源芯片的焊盤和鋼網(wǎng)設(shè)計建議
電源管理芯片廣泛應(yīng)用于板級電源系統(tǒng)中,包括控制器和功率MOSFET。但對于大電流電源管理芯片,基于不同半導(dǎo)體工藝的技術(shù)特點,即控制器和MOSFET所需要...
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