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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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大功率電力電子裝置常用的功率半導(dǎo)體開關(guān)器件有哪些?
電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導(dǎo)體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電...
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路,LS開關(guān)導(dǎo)通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻,HS和L...
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動電路
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交...
這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動器進(jìn)行特性對比。在電路構(gòu)成中,有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動器時,...
緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關(guān)節(jié)點的電容器。寄生電感會使開關(guān)關(guān)斷時(切斷電流)產(chǎn)生較大的浪涌,當(dāng)浪涌超過元器件的額定值時,甚至...
首先需要了解的是:接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評估事項,而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中,該信息...
羅姆BD7682FJ-EVK-402的準(zhǔn)諧振電源軟開關(guān)功能測試
本文主要對電源的軟開關(guān)功能進(jìn)行測試。當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過零點處工作時,由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過零點。檢測通過此處的電流...
SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測試
羅姆這回提供的電路非常豐富,按由主及次的評測思路,我們需要對電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計電路實驗,特整理了電路分析的內(nèi)容。
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體器件與其驅(qū)動電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強(qiáng)等...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體器件 2.9k 0
MOSFET是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 4.3k 0
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 7.2k 0
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱 FET)是一種三端半導(dǎo)體器件,其特點是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管JFET 4.5k 0
具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關(guān)斷器件,是指通過控制信號既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。
在場效應(yīng)管家族中可以分支成三類成員,第一類是比較常用的一類,它的大名叫“絕緣柵型場效應(yīng)管”(MOSFET),它的小名叫“MOS”管,也就是題目所講的MO...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 6.4k 0
對于三極管開關(guān)電路,要使其 ON和 OFF 時間越短越好,為防止在 OFF 是因晶體管中的殘留電荷引起的時間滯后,在基極 B和發(fā)射機(jī) E間應(yīng)加一電阻 R...
2023-02-24 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路MOSFET 5.3k 0
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