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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.4k 0
溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
12V1A路由器開關(guān)電源芯片U6773S可提高WiFi速度
WiFi技術(shù)可以算的上是近幾年來偉大的發(fā)明之一。它徹底改變了人們的生活,改變了智能設(shè)備對網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)的接受方式。
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET路由器開關(guān)電源芯片 2.1k 0
功率放大器主要解決低功率信號放大的問題,它可以將來自低功率信號源的電信號放大為高功率信號,以便驅(qū)動(dòng)需要更高功率的負(fù)載。功率放大器的種類繁多,包括晶體...
功率放大器屬于電子設(shè)備的一種,主要用于放大電信號的幅度或功率。功率放大器通常用于音響系統(tǒng)、無線電通信、雷達(dá)系統(tǒng)、激光驅(qū)動(dòng)器等領(lǐng)域。它是電子設(shè)備中的一...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器功率放大器 3.3k 0
負(fù)端5v2A同步整流芯片U7710開通階段,變壓器副邊續(xù)流階段開始時(shí),同眇整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài),副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實(shí)現(xiàn)續(xù)流
電機(jī)的典型驅(qū)動(dòng)方法包括電壓驅(qū)動(dòng)、電流驅(qū)動(dòng)以及PWM驅(qū)動(dòng)。本文將介紹采用PWM驅(qū)動(dòng)方式的恒流工作。首先介紹的是什么是PWM驅(qū)動(dòng)的電機(jī)恒流工作,其次是PWM...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFETPWM驅(qū)動(dòng)電機(jī) 2.8k 0
兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路
繼上一篇“兩相雙極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)”之后,本文將從兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電路,兩相單極步進(jìn)電機(jī)的兩相勵(lì)磁PWM驅(qū)動(dòng)波形兩個(gè)方面來介紹“兩相單極步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路 4.7k 0
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動(dòng)器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi68515,專為驅(qū)動(dòng)高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計(jì)
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 2.5k 0
IGBT的低Vd(或低Id)范圍(在本例中是Vd到1V左右的范圍),在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會(huì)構(gòu)成問題,但當(dāng)用電設(shè)備的電...
本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細(xì)研究每個(gè)參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動(dòng)方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 1.8k 0
使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同,因而電氣特征也不同。補(bǔ)充說明一下,DMOS是平面型的MOSFET,是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET,因其高耐壓且可降低...
功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進(jìn)行各種改良。SiC功率元器件半導(dǎo)體的優(yōu)勢前面已經(jīng)介紹過,如低損耗、高速...
探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其2
上一篇文章中,介紹了在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)注意事項(xiàng)中的第一項(xiàng)。關(guān)鍵要點(diǎn)是要想提高輸出電流,需要使用導(dǎo)通電阻低的MOSFET,提高開關(guān)速...
探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng) 其1
上一篇文章介紹了輸入電壓升高時(shí)損耗增加的部分、注意事項(xiàng)及相應(yīng)的對策。本文將介紹在探討輸出電流較大的應(yīng)用時(shí)應(yīng)該注意的兩個(gè)事項(xiàng)之一。探討高輸出電流應(yīng)用時(shí)的注...
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET輸出電流開關(guān)損耗 1.6k 0
探討高輸入電壓應(yīng)用時(shí)的注意事項(xiàng)
上一篇文章探討了通過提高開關(guān)頻率來實(shí)現(xiàn)應(yīng)用小型化時(shí)的注意事項(xiàng)。本文將通過輸入電壓升高的案例,來探討損耗增加部分、注意事項(xiàng)及相應(yīng)的對策。
2023-02-23 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET輸入電壓 1.5k 0
DC/DC評估篇損耗探討-電源IC的功率損耗計(jì)算示例
此前計(jì)算了損耗發(fā)生部分的損耗,本文將介紹匯總這些損耗并作為電源IC的損耗進(jìn)行計(jì)算的例子。電源IC的功率損耗計(jì)算示例(內(nèi)置MOSFET的同步整流型IC),...
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