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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

用于多種電源應(yīng)用的GaN晶體管

用于多種電源應(yīng)用的GaN晶體管

硅功率 MOSFET 沒(méi)有跟上電力電子行業(yè)的演進(jìn)變化,其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區(qū)的主要需求。電力電子行業(yè)已經(jīng)看到硅 MOSFET 的理論極...

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFET晶體管GaN 3.7k 0

準(zhǔn)諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

準(zhǔn)諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

我原以為,這是一個(gè)簡(jiǎn)單的項(xiàng)目,直到遇到其他資深專(zhuān)業(yè)人士對(duì)所使用的方法和所獲得的結(jié)果的拒絕。有這些準(zhǔn)諧振 DC 到 DC 轉(zhuǎn)換器 正在使用中,它們的預(yù)期工...

2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 1.2k 0

如何有效地測(cè)量Sic MOSFET

如何有效地測(cè)量Sic MOSFET

隨著寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)變得越來(lái)越流行,正在執(zhí)行不同的耐久性測(cè)試來(lái)評(píng)估二極管在高溫和嚴(yán)酷電流循環(huán)條件下的運(yùn)行情況。毫無(wú)疑問(wèn),電力電子在未來(lái)幾年內(nèi)將繼續(xù)在基礎(chǔ)...

2022-08-08 標(biāo)簽:二極管MOSFETSiC 1.8k 0

動(dòng)態(tài)測(cè)試確認(rèn)SiC開(kāi)關(guān)頻率的準(zhǔn)確性

動(dòng)態(tài)測(cè)試確認(rèn)SiC開(kāi)關(guān)頻率的準(zhǔn)確性

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專(zhuān)家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC動(dòng)態(tài)測(cè)試 2.7k 0

電氣設(shè)備的熱管理助于防止過(guò)熱和電路故障

電氣設(shè)備的熱管理助于防止過(guò)熱和電路故障

如果無(wú)法應(yīng)用被動(dòng)解決方案,最好使用主動(dòng)解決方案,這些解決方案通常由用于測(cè)量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器(恒溫器或恒濕器)組成。它控制改變熱量的設(shè)備(風(fēng)扇、加熱器...

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2.2k 0

揭開(kāi)SiC MOSFET挑戰(zhàn)的神秘面紗

揭開(kāi)SiC MOSFET挑戰(zhàn)的神秘面紗

晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在?;诎雽?dǎo)體的晶體管的發(fā)明,取代了用于電氣開(kāi)關(guān)的真空管,使人類(lèi)在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。

2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 1.4k 0

快速恢復(fù)二極管CMF02A應(yīng)對(duì)車(chē)載電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

CMF02A是一款具有高速開(kāi)關(guān)用途的FRD二極管,與典型二極管相比,F(xiàn)RD具有更短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),因此具有更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間和更低的損耗。當(dāng)然,C...

2022-08-07 標(biāo)簽:二極管MOSFET直流電 939 0

選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

Balogh還指出了其他需要考慮的問(wèn)題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開(kāi)關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會(huì)對(duì)功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。

2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 4.7k 0

為什么SiC MOSFET的短路耐受時(shí)間比較小

我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...

2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 4.8k 0

晶體管的誕生及應(yīng)用介紹

硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明,例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個(gè) MOSFET由貝爾實(shí)驗(yàn)室研究員 John Atalla ...

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET晶體管 5.5k 0

碳化硅技術(shù)評(píng)估平臺(tái)

碳化硅技術(shù)評(píng)估平臺(tái)

英飛凌設(shè)計(jì)的平臺(tái),旨在通過(guò) TO247 3 和 4 引腳中的 EiceDRIVER IC 和 CoolSiC? MOSFET 突出 SiC 器件的性能。...

2022-08-05 標(biāo)簽:電源MOSFET半導(dǎo)體 1.2k 0

使用LTspice估算SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

使用LTspice估算SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專(zhuān)注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...

2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.6萬(wàn) 0

第4代SiC FET的突破性性能

第4代SiC FET的突破性性能

幾十年來(lái),基于硅的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而,當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2...

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 1.8k 0

1200V 300A SiC MOSFET開(kāi)關(guān)性能評(píng)估

1200V 300A SiC MOSFET開(kāi)關(guān)性能評(píng)估

由于快速開(kāi)關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加,碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán),該框架減小了尺寸并提高了...

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFETIGBT 2.5k 0

使用GaN設(shè)計(jì)PFC整流器

使用GaN設(shè)計(jì)PFC整流器

650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開(kāi)關(guān)損耗。此外,與 650-V Si MOSFET 相比,650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有...

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET整流器GaN 2.2k 0

如何將SiC庫(kù)導(dǎo)入LTspice并對(duì)其進(jìn)行仿真

如何將SiC庫(kù)導(dǎo)入LTspice并對(duì)其進(jìn)行仿真

碳化硅 (SiC)是一種越來(lái)越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來(lái)越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫(kù),這些組件現(xiàn)在在...

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 4.8k 0

三相電壓源逆變器中SiC MOSFET的結(jié)溫估算

三相電壓源逆變器中SiC MOSFET的結(jié)溫估算

功率 MOSFET 中的SiC(碳化硅)與其對(duì)應(yīng)物相比具有一系列優(yōu)勢(shì),例如更高的導(dǎo)電性、更低的開(kāi)關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損。

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體逆變器 2.5k 0

MOSFET如何定義 MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳解

功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門(mén)子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorol...

2022-08-04 標(biāo)簽:三極管MOSFET 4.7k 0

正確使用并聯(lián)氮化鎵晶體管

正確使用并聯(lián)氮化鎵晶體管

電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員正在尋找提高效率同時(shí)增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...

2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET晶體管GaN 2.3k 0

工業(yè)驅(qū)動(dòng)使用SiC MOSFET提高能效

工業(yè)驅(qū)動(dòng)使用SiC MOSFET提高能效

工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī),可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動(dòng)機(jī)是最常見(jiàn)的電動(dòng)機(jī)類(lèi)型,它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。...

2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 864 0

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  • IOT
    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱(chēng)傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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