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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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硅功率 MOSFET 沒(méi)有跟上電力電子行業(yè)的演進(jìn)變化,其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區(qū)的主要需求。電力電子行業(yè)已經(jīng)看到硅 MOSFET 的理論極...
準(zhǔn)諧振DC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)
我原以為,這是一個(gè)簡(jiǎn)單的項(xiàng)目,直到遇到其他資深專(zhuān)業(yè)人士對(duì)所使用的方法和所獲得的結(jié)果的拒絕。有這些準(zhǔn)諧振 DC 到 DC 轉(zhuǎn)換器 正在使用中,它們的預(yù)期工...
2022-08-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 1.2k 0
隨著寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)變得越來(lái)越流行,正在執(zhí)行不同的耐久性測(cè)試來(lái)評(píng)估二極管在高溫和嚴(yán)酷電流循環(huán)條件下的運(yùn)行情況。毫無(wú)疑問(wèn),電力電子在未來(lái)幾年內(nèi)將繼續(xù)在基礎(chǔ)...
動(dòng)態(tài)測(cè)試確認(rèn)SiC開(kāi)關(guān)頻率的準(zhǔn)確性
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專(zhuān)家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。
2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC動(dòng)態(tài)測(cè)試 2.7k 0
如果無(wú)法應(yīng)用被動(dòng)解決方案,最好使用主動(dòng)解決方案,這些解決方案通常由用于測(cè)量熱參數(shù)的系統(tǒng)和執(zhí)行器(恒溫器或恒濕器)組成。它控制改變熱量的設(shè)備(風(fēng)扇、加熱器...
揭開(kāi)SiC MOSFET挑戰(zhàn)的神秘面紗
晶體管作為數(shù)字電子產(chǎn)品的構(gòu)建塊間歇性地存在?;诎雽?dǎo)體的晶體管的發(fā)明,取代了用于電氣開(kāi)關(guān)的真空管,使人類(lèi)在技術(shù)上取得了一些最終的飛躍。
快速恢復(fù)二極管CMF02A應(yīng)對(duì)車(chē)載電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
CMF02A是一款具有高速開(kāi)關(guān)用途的FRD二極管,與典型二極管相比,F(xiàn)RD具有更短的反向恢復(fù)時(shí)間(trr),因此具有更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間和更低的損耗。當(dāng)然,C...
選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問(wèn)題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開(kāi)關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會(huì)對(duì)功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
2022-08-07 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 4.7k 0
我們都知道,IGBT發(fā)生短路時(shí),需要在10us或者更短的時(shí)間內(nèi)關(guān)閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數(shù)來(lái)進(jìn)行調(diào)節(jié),如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明,例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個(gè) MOSFET由貝爾實(shí)驗(yàn)室研究員 John Atalla ...
使用LTspice估算SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗
為了正確利用這種能源,必須采用并大量使用轉(zhuǎn)換器,其目的是將一種能源轉(zhuǎn)換成另一種更適合最終使用的能源。今天,這些公司專(zhuān)注于減少轉(zhuǎn)換器的重量和體積,以及提高...
2022-08-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1.6萬(wàn) 0
幾十年來(lái),基于硅的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)一直主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域,IGBT 和 Si MOSFET 提供了成熟、穩(wěn)健的解決方案。然而,當(dāng)寬帶隙 (WBG) 器件于 2...
1200V 300A SiC MOSFET開(kāi)關(guān)性能評(píng)估
由于快速開(kāi)關(guān)、傳導(dǎo)損耗和擊穿電壓增加,碳化硅 MOSFET在現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用中的使用有所增加。憑借最快速的切換速度和更高的頻率授權(quán),該框架減小了尺寸并提高了...
如何將SiC庫(kù)導(dǎo)入LTspice并對(duì)其進(jìn)行仿真
碳化硅 (SiC)是一種越來(lái)越重要的半導(dǎo)體材料:用這種材料制造的電子元件越來(lái)越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫(kù),這些組件現(xiàn)在在...
功率 MOSFET 中的SiC(碳化硅)與其對(duì)應(yīng)物相比具有一系列優(yōu)勢(shì),例如更高的導(dǎo)電性、更低的開(kāi)關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損。
MOSFET如何定義 MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)詳解
功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門(mén)子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorol...
電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員正在尋找提高效率同時(shí)增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...
工業(yè)驅(qū)動(dòng)使用SiC MOSFET提高能效
工業(yè)電源應(yīng)用基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī),可以在風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱中找到。三相電動(dòng)機(jī)是最常見(jiàn)的電動(dòng)機(jī)類(lèi)型,它由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯尿?qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。...
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