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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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選型手冊:VSP007P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管
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選型手冊:MOT4N70D N 溝道功率 MOSFET 晶體管
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onsemi碳化硅MOSFET NTBG028N170M1:高性能與可靠性的完美結(jié)合
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深入解析 onsemi FCA47N60 與 FCA47N60 - F109 MOSFET
深入解析 onsemi FCA47N60 與 FCA47N60 - F109 MOSFET 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其性能...
2026-01-26 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源onsemi 494 0
安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析
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MOT3910J 雙 N 溝道增強型 MOSFET 技術(shù)解析
一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子(MOT)推出的雙N溝道增強型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯...
安森美SiC MOSFET NVBG025N065SC1:汽車電子應(yīng)用的理想之選
在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代,碳化硅(SiC)MOSFET憑借其卓越的性能,在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。今天,我們就來深入了解一下安森美(onsemi)推...
?基于NCV81071柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NCV81071柵極驅(qū)動器是高速雙路低側(cè)MOSFET驅(qū)動器,能夠為容性負(fù)載提供較大的峰值電流。這些驅(qū)動器可在米勒平坦區(qū)域提供5A峰值電流,有助于降...
為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動器指南旨在針對各類高功率主流應(yīng)用,提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動器的專業(yè)指導(dǎo),同時探索減少導(dǎo)通損耗與功率損耗的有...
探索 NTMFS7D5N15MC:高性能N溝道屏蔽柵 PowerTrench MOSFET 的卓越表現(xiàn)
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?NCP303160A智能功率模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NCP303160A柵極驅(qū)動器在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動器、高側(cè)MOSFET和低側(cè)MOSFET。該柵極驅(qū)動器和MOSFET優(yōu)化用于大電流、...
深入解析 onsemi NTBLS1D7N10MC MOSFET:性能與應(yīng)用的完美融合
在電子設(shè)備的海洋中,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其性能優(yōu)劣直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就來深入剖析 onsemi 推出的 NT...
2025-12-02 標(biāo)簽:MOSFETN溝道功率開關(guān)器件 480 0
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安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容,采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFE...
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選型手冊:MOT3920J 雙 N 溝道增強型 MOSFET
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探索 onsemi NTHL015N065SC1 SiC MOSFET 的卓越性能
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解析 NVMFS4C306N:高性能單通道 N 溝道 MOSFET 的卓越之選
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