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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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逆變器(Inverter)是一種電源轉(zhuǎn)換裝置,可以將直流電(DC)轉(zhuǎn)換為交流電(AC),或者將一種交流電轉(zhuǎn)換為另一種交流電。這種轉(zhuǎn)換是通過半導體開關(guān)設備...
為了理解IGBT進入退飽和的過程機理,我們有必要簡單比較下MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)上的區(qū)別:簡單來看,IGBT在MOSFET的基本結(jié)構(gòu)上增加了一個P+...
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET的結(jié)構(gòu)_特性_性能差異
作為第三代功率半導體的絕代雙驕,氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界,特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體,是因為...
UC3842數(shù)據(jù)手冊及UC3842內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解
UC3842是驅(qū)動MOSFET的一個理想器件,功能之前我們已經(jīng)說到了,那么還有什么其它的保護特性呢?
SiC MOSFET 具有超低輸入電容,因此開啟器件所需的柵極電荷也非常低。PWM 控制器 IC 可以直接驅(qū)動 SiC MOSFET,無需額外的驅(qū)動器 ...
2022-02-06 標簽:變壓器MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 2.2萬 0
米勒效應在MOS驅(qū)動中臭名昭著,他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應,在MOS管開通過程中,GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過后GS電...
開關(guān)電源(SMPS)中各個元器件損耗的計算和預測技術(shù)介紹
本文詳細介紹了開關(guān)電源(SMPS)中各個元器件損耗的計算和預測技術(shù),并討論了提高開關(guān)調(diào)節(jié)器效率的相關(guān)技術(shù)和特點,以選擇最合適的芯片來達到高效指標。
2024-01-22 標簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2.2萬 0
柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET,JFET等,因為如MOSFET有個柵極電容,在導通之前要先對該電容充電,當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)...
2020-01-29 標簽:MOSFET開關(guān)二極管柵極驅(qū)動器 2.1萬 0
MOSFET和三極管ON狀態(tài)它們到底有何區(qū)別呢?
MOSFET是一種在模擬電路和數(shù)字電路中都應用的非常廣泛的一種場效晶體管。
CCM 和DCM 的判斷,不是按照初級電流是否連續(xù)來判斷的。而是根據(jù)初、次級的電流合成來判斷的。只要初、次級電流不同是為零,就是CCM 模式。而如果存在...
2025-05-14 標簽:變壓器MOSFET開關(guān)電源 2.1萬 0
SiC MOSFET學習筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)
當前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一,被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;...
2017-12-24 標簽:mosfet開關(guān)電源emi 2.1萬 0
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