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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率MOSFET平均售價持續(xù)上升 成為IDM大廠產(chǎn)品主要發(fā)展重點
自2018年開始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售價(ASP)持續(xù)上升,其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產(chǎn)品成...
基于無源填谷電路的LED高壓驅(qū)動電源設(shè)計分析
近年來,LED燈具(含LED和驅(qū)動電源)作為一種節(jié)能環(huán)保型照明燈具正在迅速推廣,被廣泛用于閱讀燈、手電筒、汽車方向燈、小型聚光燈,標(biāo)牌、建筑輪廓及穹頂照...
亞洲工業(yè)市場規(guī)模已達44億美元,ST打算吞下這塊“肥肉”
雖然工業(yè)市場規(guī)模龐大,然而卻高度碎片化,要像吃下這塊“肥肉”并不那么容易。為了能順利吃到肉,2019年5月28日,ST攜手龍頭企業(yè)、中小企業(yè)、合作伙伴和...
英飛凌科聯(lián)合Schweizer開發(fā)出面向輕度混合動力汽車新技術(shù)
英飛凌聯(lián)合Schweizer電子股份公司成功開發(fā)出面向輕度混合動力汽車的新技術(shù):芯片嵌入式功率MOSFET。
CISSOID新型柵極驅(qū)動器板亮相紐倫堡PCIM 2019展會
CISSOID在2019年歐洲功率電子及智能傳動產(chǎn)品展覽會(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT...
聞泰科技收購安世半導(dǎo)體通過中國反壟斷調(diào)查
根據(jù)公司戰(zhàn)略規(guī)劃和業(yè)務(wù)需求,并結(jié)合公司全資子公司昆明聞泰通訊有限公司(以下簡稱“昆明聞泰”)的實際經(jīng)營情況,公司擬對昆明聞泰進行增資,主要用于擴大產(chǎn)能及...
2019-05-09 標(biāo)簽:MOSFET安世半導(dǎo)體聞泰科技 6k 0
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析
SiC適合高壓領(lǐng)域,GaN更適用于低壓及高頻領(lǐng)域。
如何使用Soatherm進行MOSFET熱模型的設(shè)計
在高功率水平下,驗證熱插拔設(shè)計是否不超過MOSFET的能力是一個挑戰(zhàn)。幸運的是,熱行為和SOA可以在LTSPICE IV?等電路模擬器中建模。LTSPI...
LTC3731和LTC3853控制器的特點與應(yīng)用
電壓與電流模式控制多相DC / DC轉(zhuǎn)換器中的Curent共享 - LTC3731,LTC3853_zh
高壓側(cè)N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器的應(yīng)用
快速150V保護高側(cè)Driver_zh
1:雪崩失效(電壓失效),也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超越MOSFET的額定電壓,并且超越到達了一定的才能從而招致MOSFET失效。 2:SO...
大晶磊半導(dǎo)體最新研發(fā)的針對中高壓碳化硅MOSFET的驅(qū)動解決方案
目前,大晶磊半導(dǎo)體可以為市場提供通過90kV BIL測試的碳化硅驅(qū)動模塊。而且此驅(qū)動模塊可以將碳化硅MOSFET的開關(guān)頻率提升到500kHz,而耦合電容...
從工業(yè)到智慧工業(yè),半導(dǎo)體廠商可以做什么?
從第一次工業(yè)革命開始到現(xiàn)在,工業(yè)領(lǐng)域發(fā)生了翻天覆地的變化,現(xiàn)在及未來的工業(yè)將會更加智能化。
MOSFET2019年價格預(yù)估有衰退可能 英飛凌提及擴大委外代工鞏固主要營收市場
市場普遍認為,MOSFET 在 2019 年價格預(yù)估有衰退可能,原因來自全球 MOSFET 需求吃緊狀況減緩,以及中國自有 12 吋廠功率半導(dǎo)體逐步放量...
國際汽聯(lián)電動方程式錦標(biāo)賽三亞站結(jié)束 揭密極速賽車的幕后英雄
隨著2018-19賽季ABB國際汽聯(lián)電動方程式錦標(biāo)賽第六輪比賽結(jié)束,衛(wèi)冕冠軍讓-埃里克維爾涅在車隊主場2019電動方程式FWD富衛(wèi)三亞站拿下本賽季首個分...
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
2019-03-19 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率半導(dǎo)體 3.6k 0
國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求持續(xù)上升 產(chǎn)品價格預(yù)期仍將上漲
全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持...
2019-03-19 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 8.8k 0
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件,IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性,同時擁有...
滿足新能源汽車應(yīng)用的SiC MOSFET系列產(chǎn)品
產(chǎn)品基本覆蓋了以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料全產(chǎn)業(yè)鏈,包括:電子級碳化硅高純粉料、碳化硅單晶襯底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模塊和典型應(yīng)用,...
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