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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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宜普推高頻氮化鎵場效應芯片高效無線電源展示系統(tǒng)

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2012-08-16 標簽：MOSFET 無線電源電源芯片 1.4k 0

飛兆半導體擴大P通道PowerTrench MOSFET產(chǎn)品線FDMA910PZ和FDME910PZT

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經(jīng)擴大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產(chǎn)品線。

2012-08-10 標簽：飛兆半導體 MOSFET 半導體芯片 2.2k 0

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2012-08-02 標簽：變壓器 MOSFET 開關電源 2.8萬 2

快捷低功率LED驅(qū)動器整合MOSFET

快捷（Fairchild）擴大發(fā)光二極體（LED）照明驅(qū)動器解決方案產(chǎn)品陣容，提供最佳化的低功率產(chǎn)品，可協(xié)助設計人員克服有限的電路板面積、滿足電路保護和...

2012-07-27 標簽：MOSFET led驅(qū)動器低功率 1.1k 1

飛兆半導體新型低功率LED驅(qū)動器集成MOSFET

　　隨著LED照明市場持續(xù)增長，設計人員需要能夠適合有限的線路板占位面積、滿足電路保護和系統(tǒng)可靠性要求并簡化供應鏈物流，同時符合全球能源法規(guī)要求的解決方...

2012-07-25 標簽：飛兆半導體 MOSFET LED照明 1.1k 0

快捷半導體推出新型低功率LED驅(qū)動器整合MOSFET

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2012-07-24 標簽：MOSFET LED驅(qū)動器半導體芯片 1.4k 0

計算機外設的電源管理

標準化的要求通過附加外設來擴展計算機的功能時，需要使用標準接口才能實現(xiàn)不同廠商應用的全部功能。使用無線通信增加臺式機的功能，或者通過使用更多的內(nèi)存條來...

2012-07-23 標簽：MOSFET CPLD 電源管理 3.5k 0

瑞薩推出導通電阻僅為150mΩ的600V耐壓超結(jié)MOSFET

瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150m（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL...

2012-06-26 標簽：MOSFET 瑞薩 1k 0

瑞薩600V耐壓超結(jié)MOSFET 導通電阻僅為150mΩ

瑞薩電子宣布開發(fā)出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結(jié)（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“R...

2012-06-26 標簽：MOSFET 瑞薩電源芯片 1.7k 0

羅姆發(fā)布第二代SiC制MOSFET

羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品（圖1）。特點是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導通電阻，以及備有將S...

2012-06-18 標簽：MOSFET 羅姆 2k 0

小尺寸功率MOSFET及Schottky二極管封裝在汽車電子的應用

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2012-05-31 標簽：MOSFET 保護電路驅(qū)動電路 1.1萬 0

功率器件的開發(fā)應用與實例（圖解）

　　隨著全球能源的日趨緊張，節(jié)能節(jié)電迫在眉睫。電能轉(zhuǎn)換是節(jié)能節(jié)電的重要環(huán)節(jié)。在電能轉(zhuǎn)換過程中，轉(zhuǎn)換期間的能量損失是影響節(jié)能節(jié)電的重要因素，始終成為人們關...

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功率MOSFET的鋰電池保護電路設計

鉛酸電池具有安全、便宜、易維護的特點，因此目前仍然廣泛的應用于電動自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國對環(huán)保要求越來越高，鉛酸電池...

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Vishay的新一代TrenchFET MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)導通電阻最低記錄

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---...

2012-05-08 標簽：MOSFET Vishay 導通電阻 1.1k 0

Diodes新型MOSFET芯片高度減少50%

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2012-05-04 標簽：MOSFET Diodes 電源芯片 1.2k 1

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2012-05-04 標簽：MOSFET 醫(yī)療設計 1.8k 0

Vashay推出下一代D系列高壓功率MOSFET

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　　在能源效率標準和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設計人員需要有助于縮減其應用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導體公司（Fairch...

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　　國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSF...

2012-04-25 標簽：MOSFET IR 電源芯片 1.3k 0

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