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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET,可以
德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET,可以顯著降低上表面熱阻 采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)...
TI推出面向高電流DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率
TI推出面向高電流DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 ...
2010-01-14 標(biāo)簽:MOSFET 709 0
安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC
安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出高度集...
小信號(hào)應(yīng)用60V功率MOSFET 日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOS...
IR2117 單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路IR2117 IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動(dòng)單個(gè)MOSFET或IGBT而設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路。文...
2009-12-08 標(biāo)簽:MOSFET 8.9k 0
具有高開關(guān)速度和過溫保護(hù)功能的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
具有高開關(guān)速度和過溫保護(hù)功能的MOSFET驅(qū)動(dòng)器 日前,Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列,...
2009-12-03 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.3k 0
ADI新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器助力提高系統(tǒng)可靠
ADI新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器助力提高系統(tǒng)可靠性 ADI公司最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列,該系列產(chǎn)品可提供2A 和...
2009-12-03 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1k 0
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新...
2009-11-23 標(biāo)簽:MOSFET 961 0
ADI發(fā)表全新的高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器系列
ADI發(fā)表全新的高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器系列 美商亞德諾公司(Analog Devices;ADI)發(fā)表全新的高速18伏特MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場...
2009-11-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0
內(nèi)置高壓MOSFET電流模式電源控制器 杭州士蘭微電子即將推出應(yīng)用于開關(guān)電源的內(nèi)置高壓MOSFET、電流模式PWM+PFM控制器——SD486X系列芯...
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性 通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)...
全新高密度溝槽MOSFET(安森美) 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物...
2009-11-02 標(biāo)簽:MOSFET 1.2k 0
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程,從而使電子工程師知道哪個(gè)參...
2009-10-25 標(biāo)簽:MOSFET 3.7k 0
什么是功率MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號(hào)流。此外,二極
2009-09-23 標(biāo)簽:MOSFET 1.7k 0
N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性曲線
N溝道耗盡型MOSFET 1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu) N
2009-09-16 標(biāo)簽:MOSFET 2.5萬 0
N溝道增強(qiáng)型MOSFET N溝道增強(qiáng)型MOSFET的工作原理 1) N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)N 溝道增強(qiáng)型
2009-09-16 標(biāo)簽:MOSFET 1.1萬 0
隨著這種新器件的發(fā)布,采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道...
2009-09-12 標(biāo)簽:MOSFET 1.1k 0
如何選擇節(jié)能、高效的MOSFET 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例
2009-09-03 標(biāo)簽:MOSFET 758 0
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析 摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時(shí)能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 標(biāo)簽:MOSFET 6.7k 0
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