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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Qorvo借助SiC FET獨(dú)特優(yōu)勢,穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位
在產(chǎn)品研發(fā)方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)(如硅基...
重慶公布SiC重大項目 三安2個工廠即將點(diǎn)亮投產(chǎn)
昨天,“行家說三代半”報道了三安在重慶的2個碳化硅項目進(jìn)展(.點(diǎn)這里.),今天,三安又公布了最新的項目消息
西電郝躍院士團(tuán)隊在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展
近日,西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊劉艷教授和羅拯東副教授在超陡垂直晶體管器件研究方面取得重要進(jìn)展,相
西安電子科技大學(xué)科研團(tuán)隊超陡垂直晶體管研究獲新突破
當(dāng)今,集成電路生產(chǎn)工藝正在進(jìn)入亞5納米的階段,這使得理解傳統(tǒng)的晶體管尺寸縮小的方法已經(jīng)無法再滿足“器件-芯片”性能提升與成本控制的要求。因此,理論界和工...
IGBT和MOSFET在對飽和區(qū)的定義差別? IGBT和MOSFET是傳輸電力和控制電流的重要電子器件。它們在許多電力電子應(yīng)用中起著關(guān)鍵的作用。飽和區(qū)是...
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 4.3k 1
融合SiC和Si的優(yōu)點(diǎn):混合功率模塊和混合分立器件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)在大功率、大電流的應(yīng)用,比如電動汽車目前動輒300kW以上的電機(jī)功率中,由于對損耗和散熱方面的要求較高,所以一般會在逆變器...
Diodes公司推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的新型雙通道高側(cè)電源開關(guān)
Diodes公司近日宣布推出三款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的新型雙通道高側(cè)電源開關(guān),分別為ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS8218...
2024-02-03 標(biāo)簽:MOSFETDiodes電源開關(guān) 1.6k 0
英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格...
斬波電路的開關(guān)頻率由什么決定? 斬波電路的開關(guān)頻率是指電路中開關(guān)元件(一般是晶體管或MOSFET)的開關(guān)動作頻率。這個頻率是由多個因素決定的,包括電路設(shè)...
瞄準(zhǔn)SiC MOS出貨量飆升,五大策略應(yīng)對市場挑戰(zhàn)
截至2023年,1200V碳化硅器件累計出貨超過了2400萬顆,得到了新能源汽車、消費(fèi)電子以及工業(yè)市場的客戶好評。其中SiC MOSFET營收迅速提升,...
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了...
AOS推出創(chuàng)新型雙面散熱 DFN 5x6 封裝
AONA66916采用全新頂部開窗式DFN5x6封裝,可實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的散熱性能,提供可靠性更高的設(shè)計 日前,集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售一體的著名功率半導(dǎo)...
KP3114SGA必易微SOP-8非隔離PWM功率開關(guān)控制芯片
KP3114SGA是一款高性能低成本 PWM 控制功率開關(guān),適用于離線式小功率降壓型應(yīng)用場合,外圍電路簡單、器件個數(shù)少。同時產(chǎn)品內(nèi)置高耐壓 MOSFET...
2024-01-23 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源功率開關(guān) 3.1k 0
安建半導(dǎo)體推出全新150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺,平臺采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計,提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,從而實現(xiàn)了高...
2024-01-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器安建半導(dǎo)體 1.9k 0
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H
引言 ? 過去幾年,實際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關(guān)注重點(diǎn)。 ? 英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的...
2024-01-22 標(biāo)簽:MOSFET 868 0
一文了解SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢
共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕...
安建半導(dǎo)體推出1200V-17mΩ SiC MOSFET
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET,通過獨(dú)特設(shè)計確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性,在國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片...
電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度與時俱進(jìn),在性能不斷提高的同時,小型化也已成為不可逆轉(zhuǎn)的事實和趨勢。
2024-01-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 2.8k 0
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