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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET是一種應(yīng)用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管
MOSFET全稱Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管...
這種靈活性和可編程性還意味著設(shè)計(jì)人員可以選擇其他規(guī)格接近應(yīng)用特性的組件,而不是使用具有很大余量的器件。
2022-05-15 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電感器 1.4k 0
1、要嚴(yán)格按照用戶手冊的規(guī)定來使用逆變器,正常使用情況下逆變器輸入保險(xiǎn)絲燒壞,最好不要自己更換:逆變器99%的情況下輸入保險(xiǎn)絲燒壞都是因?yàn)檩斎隡OSFE...
簡而言之,碳化硅讓功率器件超越了硅的極限。與傳統(tǒng)硅一樣,碳化硅的制造和加工更具挑戰(zhàn)性,但它對高性能功率轉(zhuǎn)換的許多有利特性使其成為非常值得的替代品。
2022-05-13 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET意法半導(dǎo)體 2.5k 0
單片降壓開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器WD5060概述、特征及應(yīng)用
WD5060是具有內(nèi)置功率MOSFET的單片降壓開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器,它在4.5V至60V輸入電源上可實(shí)現(xiàn)600mA峰值輸出電流,并具有出色的負(fù)載和線路調(diào)節(jié)能...
2022-05-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET降壓開關(guān) 2.3k 0
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless(TOL...
寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的碳化硅功率MOSFET模型
碳化硅MOSFET支持非??斓膁V/dts,約每納秒50 V至100 V,而dI/dts則支持每納秒3 A至6 A。本征器件門極電阻很重要,可用來抗電磁...
耗盡型模擬開關(guān)具有多種用途,并特別適用于在沒有電源的情況下傳導(dǎo)高保真信號。這使得它們常用作旁路開關(guān),可在需要時(shí)用作在電源下隔離的低功率默認(rèn)路徑,或者...
汽車分立MOSFET可最小化開關(guān)損耗和提高系統(tǒng)級可靠性
LFPAK56封裝具有超低封裝雜散電感和電阻值。它采用強(qiáng)固的結(jié)構(gòu),鷗翼式(gull-wing)設(shè)計(jì)可承受由于熱和機(jī)械應(yīng)力引起的膨脹和收縮,而不會影響...
2022-05-09 標(biāo)簽:MOSFET汽車電子安森美半導(dǎo)體 1.7k 0
WBG技術(shù)在現(xiàn)代大功率器件中的應(yīng)用
盡管這些模塊可能會保留其硅基前身的外形尺寸,但幾乎內(nèi)部設(shè)計(jì)的每個(gè)方面都將需要進(jìn)行更改以采用新器件的特性。
2022-05-09 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器安森美半導(dǎo)體 2.8k 0
采用MOSFET和驅(qū)動器提高智能電源方案的能效和可靠性
盡管SiC 基MOSFET的成本仍高于硅基MOSFET,但成本卻下降了,電感和電容器的相關(guān)節(jié)?。ㄆ渲档陀诠柙O(shè)計(jì))意味著SiC基電源方案的物料單(Bo...
通過WBG器件助于實(shí)現(xiàn)能效更高的太陽能發(fā)電方案
如果考慮到無源元器件的節(jié)省,盡管SiC器件的成本較高,但基于WBG的電源方案的總成本現(xiàn)在相當(dāng)于或略低于Si基方案。
2022-05-09 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體SiC 1.8k 0
WebDesigner+ Power Supply設(shè)計(jì)工具
要將設(shè)計(jì)保存在云中,請單擊登錄圖標(biāo),然后使用您的“ MyON”帳戶登錄,您的設(shè)計(jì)將自動保存以備以后參考。
適用于輕度混合動力建筑和采礦機(jī)械的48V技術(shù)
輔助和液壓系統(tǒng)的48 V發(fā)電和儲能,如電動風(fēng)扇、電動渦輪模式、電動工作液壓系統(tǒng)、電動AC壓縮機(jī)、電動回轉(zhuǎn)驅(qū)動器(挖掘機(jī))以及48 V轉(zhuǎn)12 V DC...
碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器中的作用
因此,如果要提高驅(qū)動效率及延長系統(tǒng)的工作壽命時(shí),遷移到SiC 肖特基顯然是有利的。那么我們何以采取更進(jìn)一步的方案呢?
SiC成為實(shí)現(xiàn)更高汽車能效的關(guān)鍵技術(shù)
該模塊符合AQG 324汽車功率模塊標(biāo)準(zhǔn)。B2 SiC模塊結(jié)合燒結(jié)技術(shù)用于裸片連接和銅夾,壓鑄模工藝用于實(shí)現(xiàn)強(qiáng)固的封裝。其SiC芯片組采用安森美的M1 ...
除此之外,我們在評估板上的效率評估結(jié)果,它被模擬為每個(gè)應(yīng)用程序的電路,以便讓您知道我們的設(shè)備在應(yīng)用電路中也有良好的性能。例如,下圖顯示了逆變電路中的...
東芝半導(dǎo)體DTMOSVI系列MOSFET的應(yīng)用及特性
如今,市場對于高效率電源的需求日益增漲,在此背景下,東芝拓展了新一代650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z...
2022-04-26 標(biāo)簽:MOSFET電源效率東芝半導(dǎo)體 2.2k 0
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