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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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本文對(duì)MOS失效原因總結(jié)以下六點(diǎn),然后對(duì)1,2重點(diǎn)進(jìn)行分析: 1、雪崩失效(電壓失效),也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過...
在前一篇文章里,Roland 在給大家的演示中使用了一個(gè)自制的汽車?yán)鋯?dòng)電池電壓波形發(fā)生器,它的作用是要模擬出車輛啟動(dòng)時(shí)的電池電壓跌落。 使對(duì)車用電子設(shè)...
2021-06-22 標(biāo)簽:mcu轉(zhuǎn)換器MOSFET 3.8k 0
ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
ROHM針對(duì)這些挑戰(zhàn),于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC...
大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的65W ACF Type-C PD3.0充電器方案
大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技(Diodes)AP3306+APR347+AP43771的65W ACF Type-C PD3.0充電器解決方案。
盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu),電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路(VLSI)設(shè)備采用的設(shè)計(jì)方式有極大的不同,它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體...
2021-06-15 標(biāo)簽:MOSFET 5.2k 0
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增,它的工作速度...
英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅(qū)動(dòng)器系列推出增強(qiáng)型隔離產(chǎn)品
應(yīng)用廣泛的EiceDRIVER X3 Compact系列擁有5.5、10和14 A的驅(qū)動(dòng)電流等規(guī)格,及90 ns的優(yōu)化傳輸時(shí)延。
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊,適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應(yīng)用的快速開關(guān)
Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個(gè)功率因數(shù)(cos φ)范圍內(nèi)工作而設(shè)計(jì),它采用最先進(jìn)的CoolSiC MOSFET和TRENC...
2021-06-09 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET太陽能系統(tǒng) 1.8k 0
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證
M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未來的衛(wèi)星系統(tǒng),也可作為現(xiàn)有系統(tǒng)的備用電源。
2021-06-09 標(biāo)簽:MOSFETmicrochipDC-DC轉(zhuǎn)換器 2.3k 0
IGBT的結(jié)構(gòu) 一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極...
安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術(shù),適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電壓,易于用負(fù)門極電壓驅(qū)動(dòng)。
2021-06-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體電動(dòng)車充電 1.6k 0
東芝推出新款1200V碳化硅MOSFET——TW070J120B
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) ? ? 眾所周知,硅元素因其獨(dú)特的穩(wěn)定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導(dǎo)體材料的不斷發(fā)展,越來越多的化合物...
2021-06-04 標(biāo)簽:MOSFET東芝半導(dǎo)體 4.7k 0
在整個(gè)MOSFET一個(gè)周期內(nèi)的損耗有哪些?
接下來我們討論一下Igs電流。 由于下拉電阻R2比柵極驅(qū)動(dòng)電阻R3大很多,所以,接下來分析時(shí)忽略掉下拉電阻,這個(gè)時(shí)候就要看電容了。剛開始充電的是時(shí)候,電...
Vishay推出新型TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝,導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ,優(yōu)異的 FOM 僅為 2...
這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展,當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時(shí)候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以...
2021-05-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 8.6k 0
亞成微推出新型高壓超結(jié)MOSFET助力電源系統(tǒng)節(jié)能降耗
功率半導(dǎo)體器件一直被廣泛應(yīng)用于通信、汽車、消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域,特別是近年來節(jié)能減排、新能源的興起,使其市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。隨著人們對(duì)環(huán)保的日益重視,行業(yè)開...
Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業(yè)應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高功率密度
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結(jié)硅技術(shù)與成熟的LFPAK銅夾片技術(shù)相結(jié)合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
2021-05-27 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器Nexperia 1.4k 0
Vishay推出先進(jìn)的30V N溝道MOSFET,進(jìn)一步提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效
器件采用PowerPAK? 1212?8S封裝,導(dǎo)通電阻低至0.95 mW,優(yōu)異的FOM僅為29.8 mW*nC。
微碩SGT工藝場(chǎng)效應(yīng)管新品上線,關(guān)于SGT MOSFET你了解多少?
相對(duì)于MOSFET也屬于高端功率器件,但在廣大的中低壓應(yīng)用當(dāng)中,無論是消費(fèi)類電子,還是家用電器,或是嵌入式系統(tǒng)和工業(yè)領(lǐng)域,MOSFET依然占據(jù)著巨大的市場(chǎng)份額。
2021-05-20 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管功率半導(dǎo)體 1.0萬 0
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