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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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“持久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能、字節(jié)可尋址、非易失性存儲器設(shè)備。MRAM(磁性只讀存儲器)和FRAM(鐵電RAM)都聲稱具有相似的性...
馳拓科技完成12億元B輪融資,加速MRAM產(chǎn)業(yè)生態(tài)布局
近日,浙江馳拓科技有限公司在杭州成功舉辦了B輪融資簽約大會。此次大會標(biāo)志著公司獲得了誠通混改基金、誠通國調(diào)基金、國調(diào)科改基金、國新綜改基金、浙江金控、湖...
臺積電重返內(nèi)存市場 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM | 老邢點評
晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭,現(xiàn)由邏輯芯片擴及內(nèi)存市場。 臺積電這次重返內(nèi)存市場,瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存,因傳輸速度...
MRAM具有一些獨特的功能 可能導(dǎo)致MRAM替換現(xiàn)有的內(nèi)存
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模,廣泛采用。這是否會很快發(fā)生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...
ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù),因為它是一種高性能存儲器(可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM),可擴展至10nm以下,并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋...
瑞薩電子宣布已開發(fā)具有快速讀寫操作的測試芯片MRAM
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發(fā)出用于嵌入式自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術(shù),以下簡稱MRAM)具有快速讀寫操作的測試芯片。
詳細(xì)介紹集各種存儲器優(yōu)異性能于一身的MRAM
MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經(jīng)過10多年不間斷的研發(fā),全球第一款正式量產(chǎn)并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A,它采用44腳的TSOP封裝,...
串行MRAM芯片MR25H10MDCMDC的詳細(xì)介紹
MRAM像SRAM一樣是快速寫入的,而像Flash一樣也是非易失性的,但是不需要頁面擦除或長寫入周期。事件數(shù)據(jù)可以以總線速度保存到MRAM,并且即使意外...
對于存儲器而言,重要的技術(shù)指標(biāo)無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力,但是始終只能偏重某一方面...
隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進步,芯片工藝制程的不斷演進和成本的不斷降低,半導(dǎo)體芯片廣泛應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)、個人終端、汽車電子、可穿戴設(shè)備、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等各個領(lǐng)域。...
隨著制程邁向5nm甚至3nm,半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進技術(shù)節(jié)點處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗,STT-MRAM存儲器已成為替...
Everspin MRAM是面向數(shù)據(jù)持久性和完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要的市場和應(yīng)用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲器MR...
在 MRAM 這類內(nèi)存寫入時,組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓,使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性,以及寫入速度三者往往不可兼得,必須有所權(quán)衡。這意味著即使ST...
BV百度風(fēng)投三輪加注,MRAM企業(yè)亙存科技再獲融資
亙存科技成立于2019年,是一家以mram技術(shù)為中心,致力于設(shè)計、開發(fā)和銷售相關(guān)產(chǎn)品的Fabless企業(yè)。總公司設(shè)在深圳,在上海、蘇州等地設(shè)有r&...
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP(就地執(zhí)行)功能和基于硬件/軟件的數(shù)據(jù)保護機制。SPl(串行外圍接口)是一個帶有命令、地址和數(shù)據(jù)信號的同步串...
eMRAM屬于新型存儲技術(shù),同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
28nm嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存(MRAM)即將問世
在今年即將于美國加州舉行的國際電子組件會議(IEDM)上,來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊...
MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設(shè)備,組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35...
關(guān)于非易失性存儲器MRAM兩大優(yōu)點的介紹
新式存儲器技術(shù)隊伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM,受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破,正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上,眼前我們正處于見證存儲器歷史的轉(zhuǎn)折...
磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應(yīng)用
磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1在電池管理系統(tǒng) (BMS)中的應(yīng)用
2024-03-28 標(biāo)簽:電池管理系統(tǒng)MRAM國芯思辰 1.6k 0
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