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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
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什么是STT-MRAM,關(guān)于STT-MRAM的作用以及應(yīng)用
隨著有希望的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)的可用性不斷增加,以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲(chǔ)器,新的SoC級(jí)存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRA...
MRAM將可能會(huì)面臨大規(guī)模的應(yīng)用,未來市場(chǎng)的分析
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模,廣泛采用。這是否會(huì)很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...
高密度MRAM未來將會(huì)取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備
高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。 對(duì)于Everspin而言...
MRAM等新興的非易失存儲(chǔ)器將成為實(shí)現(xiàn)內(nèi)存計(jì)算架構(gòu)的關(guān)鍵技術(shù)之一
第一代MRAM是toggle MRAM,采取磁場(chǎng)寫入數(shù)據(jù)的方式,其特點(diǎn)是容易設(shè)計(jì)制造,缺點(diǎn)在于尺寸大,難以微縮。
詳細(xì)介紹Everspin AEC認(rèn)證的汽車應(yīng)用MRAM
MRAM是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)始終保持非易失性...
目前MRAM市場(chǎng)以及專用MRAM設(shè)備測(cè)試重要性的分析
Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚,其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性,低延遲和安全性至關(guān)重要。為云存儲(chǔ),能源,工業(yè),汽車和...
如何用非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來云存儲(chǔ)解決方案
在2019全球閃存峰會(huì)上,Everspin作為MRAM存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲(chǔ)的解決方案。 首...
關(guān)于非易失性存儲(chǔ)器MRAM兩大優(yōu)點(diǎn)的介紹
新式存儲(chǔ)器技術(shù)隊(duì)伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM,受惠技術(shù)、材料、設(shè)備等環(huán)節(jié)的關(guān)鍵突破,正邁向大規(guī)模量產(chǎn)的路上,眼前我們正處于見證存儲(chǔ)器歷史的轉(zhuǎn)折...
淺談非易失性MRAM技術(shù)未來的發(fā)展趨勢(shì)
切換(或場(chǎng)驅(qū)動(dòng))MRAM包括大部分的獨(dú)立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴(kuò)展到更高的密度,需要更低的...
2020-06-23 標(biāo)簽:MRAM非易失性存儲(chǔ)器 1.4k 0
醫(yī)療設(shè)備專用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM的應(yīng)用
Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM適用于醫(yī)療設(shè)備中的非易失存儲(chǔ)器,例如在醫(yī)用呼吸中,4Mb (MR25H40)的MRAM可...
2020-06-02 標(biāo)簽:醫(yī)療設(shè)備MRAM 1.6k 0
一種應(yīng)用于醫(yī)療設(shè)備中的并行接口MRAM-MR5A16A
Everspin并行輸入/輸出MRAM產(chǎn)品的簡單異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設(shè)計(jì)易于實(shí)現(xiàn),無需額外的組件或生態(tài)系統(tǒng)支...
2020-05-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器醫(yī)療設(shè)備呼吸機(jī) 1.4k 0
?醫(yī)用呼吸機(jī)Everspin MRAM應(yīng)用筆記
由于當(dāng)前疫情的大流行,增加醫(yī)用呼吸機(jī)的供應(yīng)迫在眉睫。Everspin Technologies提供了一種獨(dú)特的MRAM存儲(chǔ)技術(shù),它將為這類設(shè)備的電子系統(tǒng)...
2020-05-28 標(biāo)簽:醫(yī)療器械醫(yī)療設(shè)備呼吸機(jī) 1.4k 0
隨著制程邁向5nm甚至3nm,半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗,STT-MRAM存儲(chǔ)器已成為替...
太空應(yīng)用中多功能性工業(yè)級(jí)Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲(chǔ)器市場(chǎng)的翹楚,并基于Everspi...
2020-05-14 標(biāo)簽:航天應(yīng)用MRAM太空技術(shù) 1.3k 0
新型存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)存儲(chǔ)器介質(zhì)特性對(duì)比
目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM),其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國Everspi...
Everspin MRAM小尺寸MR4A16B存儲(chǔ)器
Everspin的MRAM技術(shù)具高可靠性、快速讀/寫、即時(shí)開啟、非揮發(fā)性、和無限次擦除等特性。Everspin的產(chǎn)品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選...
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起,同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度...
2020-04-08 標(biāo)簽:MRAM 1.3k 0
用于工業(yè)應(yīng)用的Everspin MRAM
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì),制造和交付到相關(guān)應(yīng)用中的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是獨(dú)一無二的。Everspin擁有超過600項(xiàng)有效專利和申請(qǐng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)...
MRAM是一種使用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與S...
MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ),MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由...
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